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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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IRF821	-	RFQ	9372	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	390	n通道	450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RT1C060UNTR	0.2213	RFQ	7445	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RT1C060	MOSFET （金属 o化物）	8-TSST	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	28mohm @ 6a，4.5V	1V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±10V	870 pf @ 10 V	-	650MW（TA）
IRL3402STRL	-	RFQ	9487	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	20 v	85A（TC）	4.5V，7V	8mohm @ 51a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	78 NC @ 4.5 V	±10V	3300 PF @ 15 V	-	110W（TC）
FW905-TL-E	0.5200	RFQ	8	Sanyo	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
UPA2802T1L-E2-AY	1.2900	RFQ	210	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	18A（18A）		5.8mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	16 NC @ 5 V		1800 pf @ 10 V	-
NDF05N50ZH	0.2800	RFQ	1874年	Sanyo	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3完整包	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5.5A（ta）		1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	632 PF @ 25 V	-	30W（TC）
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CWDM3011N TR13 PBFRE	0.6500	RFQ	3	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CWDM3011	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	6.3 NC @ 5 V	20V	860 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BUK7623-75A，118	-	RFQ	1601	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	53A（TC）	10V	23mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2385 pf @ 25 V	-	138W（TC）
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SPD04N60C3	-	RFQ	6263	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SUM60061EL-GE3	5.9300	RFQ	1489	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM60061EL-GE3	Ear99	8541.29.0095	800	P通道	80 V	150a（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	218 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 40 V	-	375W（TC）
PSMN5R6-100ysfq	-	RFQ	5623	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PSMN5R6			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934071218115	Ear99	8541.29.0095	1,500			-
SQD40N06-14L_GE3	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2105 pf @ 25 V	-	75W（TC）
NTB52N10G	-	RFQ	3680	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB52	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	52A（TC）	10V	30mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	2W（TA），178W（tc）
IPDD60R050G7XTMA1	12.2500	RFQ	9331	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60	MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700	n通道	600 v	47A（TC）	10V	50mohm @ 15.9a，10V	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 400 V	-	278W（TC）
64-2128	-	RFQ	8199	Infineon技术	*	管子	积极的				64-2128			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559156	Ear99	8541.29.0095	50
FQPF18N50V2SDTU	1.5300	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	18A（TJ）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	69W（TC）
SI2333CDS-T1-E3	0.6200	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	7.1A（TC）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 5.1A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
AO4492L	-	RFQ	8939	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	14A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13A，10V	2.2V @ 250µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 15 V	-	3.1W（TC）
PMV27的操作	0.4300	RFQ	9117	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV27	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4.5A，4.5V	950mv @ 250µA	22.1 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	490MW（TA），4.15W（tc）
FCD5N60TM	1.7700	RFQ	1614年	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5N60	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRF2903ZSTRLP	-	RFQ	8961	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	75A（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IXFH94N30T	12.9570	RFQ	9525	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH94	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	890W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²