RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFT23N60Q	-	RFQ	7224	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft23	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	23A（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 25 V	-	400W（TC）
SIHG20N50E-GE3	3.2800	RFQ	4650	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG20	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
STWA50N65DM2AG	5.8831	RFQ	8910	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道	650 v	38A（TC）	10V	87mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±25V	3200 PF @ 100 V	-	300W（TC）
IPC100N04S5L1R5ATMA1	2.1200	RFQ	7756	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 60µA	95 NC @ 10 V	±16V	5340 pf @ 25 V	-	115W（TC）
STD15N50M2AG	1.9300	RFQ	3088	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15	MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	500 v	10A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 100 V	-	85W（TC）
VN2450N8-G	1.5000	RFQ	44	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	VN2450	MOSFET （金属 o化物）	TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	250mA（TJ）	4.5V，10V	13ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
BUK9230-100B，118	-	RFQ	9343	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk92			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
auirfs8408-7trl	1.0000	RFQ	4524	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-900	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
SSW2N60BTM	0.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），54W（tc）
BSC091N03MSCG	0.2400	RFQ	15	Infineon技术	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
BSS138BKW/DG/B2X	0.0400	RFQ	12	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	-				2156-BSS138BKW/DG/B2X			7,212	n通道	60 V	320mA（TA）	2.5V，10V	1.6OHM @ 320mA，10V	1.6V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	56 pf @ 10 V	-	260MW（TA），830MW（tc）
NVMFS5844NLWFT1G	-	RFQ	8593	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NVMFS5			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500
BSS84	0.1500	RFQ	4	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	50 V	130mA（ta）	5V，10V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA		±20V	30 pf @ 5 V	-	225MW
R5013ANXFU6	-	RFQ	8121	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	13A（TA）	10V	380MOHM @ 6.5A，10V	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	50W（TC）
YJP70G10A	0.5270	RFQ	100	Yangjie技术	-	管子	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJP70G10A	Ear99		1,000
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	RFQ	3794	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				SI7450			下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			3.2a（ta），19.8a tc）
IMZA120R014M1HXKSA1	52.5600	RFQ	193	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）	PG-TO247-4-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	127A（TC）	15V，18V	18.4mohm @ 54.3a，18v	5.2V @ 23.4mA	110 NC @ 18 V	+20V，-5V	4580 NF @ 25 V	-	455W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
SSM3J133TU，LF	0.4600	RFQ	71	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J133	MOSFET （金属 o化物）	UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	5.5A（ta）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IPD65R600E6ATMA1	-	RFQ	9964	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R600	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPS031N03LGAKMA1	-	RFQ	2481	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
TSM10NC65CF C0G	3.3400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
AOWF160A60	1.6199	RFQ	9824	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	AOWF160	MOSFET （金属 o化物）	TO-262F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOWF160A60	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	24A（TC）	10V	160MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	27.7W（TC）
RCD075N20TL	0.6045	RFQ	4169	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD075	MOSFET （金属 o化物）	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	7.5A（TC）	10V	325MOHM @ 3.75A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	755 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
TK80S04K3L（T6L1，NQ	-	RFQ	4801	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK80S04	MOSFET （金属 o化物）	DPAK+	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	80a（ta）	6V，10V	3.1MOHM @ 40a，10v	3V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 10 V	-	100W（TC）
STP25N60M2-EP	2.8900	RFQ	23	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15892-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	150W（TC）
APTM20DAM10TG	-	RFQ	4061	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4		MOSFET （金属 o化物）	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	175a（TC）	10V	12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W（TC）
IXFK24N100Q3	28.9700	RFQ	60	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	1000 v	24A（TC）	10V	440MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IPN60R600PFD7SATMA1	0.9700	RFQ	3214	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4.5V @ 80µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 400 V	-	7W（TC）
AUIRFSL8408	1.8100	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²