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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFT80N65X2HV-TRL	11.8738	RFQ	7815	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80	MOSFET （金属 o化物）	TO-268HV（IXFT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixft80n65x2hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 40a，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRFC4020D	-	RFQ	7235	Infineon技术	-	大部分	过时的							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577750	过时的	0000.00.0000	1			-
SI2342DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	3935	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2342DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	8 V	6a（6a），6A（6A （TC）	1.2V，4.5V	17MOHM @ 7.2A，4.5V	800MV @ 250µA	15.8 NC @ 4.5 V	±5V	1070 pf @ 4 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
mmftn6001	0.0276	RFQ	138	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMFTN6001TR		8541.21.0000	3,000	n通道	60 V	440mA ta）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	23.3 pf @ 25 V	-	530MW（TA）
BSZ049N03LSCGATMA1	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	5,000
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	RFQ	657	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfz20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMN6010	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AB（D²Pak）	下载			到达不受影响	31-DMN6010SCTBQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	128a（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2692 PF @ 25 V	-	5W（5W），312W（TC）
apt20m11jfll	79.3500	RFQ	9953	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11	MOSFET （金属 o化物）	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	176a（TC）		11mohm @ 88a，10v	5V @ 5mA	180 NC @ 10 V		10320 PF @ 25 V	-
PH1330al，115	-	RFQ	3712	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PH1330	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064142115	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	100A（TC）		1.3MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	100 nc @ 10 V		6227 PF @ 12 V	-	-
TK6A65D（sta4，Q，m）	1.9400	RFQ	6	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A65	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	6a（6a）	10V	1.11ohm @ 3a，10v	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF9510	0.6000	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
DMTH6012LPSW-13	0.2453	RFQ	8826	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6012	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi5060-8（Q）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6012LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	11.5A（ta），50.5a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 30 V	-	2.8W（TA），53.6W（TC）
NVHL040N60S5F	10.7100	RFQ	450	Onmi	FRFET®，SuperFet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL040	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL040N60S5F	Ear99	8541.29.0095	450	n通道	600 v	59A（TC）	10V	40mohm @ 29.5a，10v	4.8V @ 7.2mA	115 NC @ 10 V	±30V	6318 PF @ 400 V	-	347W（TC）
TSM70N750CP	2.1762	RFQ	9537	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N750CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
CPC3714CTR	0.4416	RFQ	7626	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-243AA	CPC3714	MOSFET （金属 o化物）	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	350 v	-		14ohm @ 240mA，0v	-			100 pf @ 25 V	耗尽模式
ixtc36p15p	-	RFQ	5419	ixys	Polarp™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc36	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	150 v	22a（TC）	10V	120MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	150W（TC）
AON6314	0.3091	RFQ	2968	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon63	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	32.5W（TC）
IXTP08N100D2	2.4900	RFQ	1851年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	800mA（TC）	-	21ohm @ 400mA，0v	-	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
STW55NM60ND	-	RFQ	2159	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW55N	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-7036-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	51A（TC）	10V	60mohm @ 25.5a，10v	5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±25V	5800 PF @ 50 V	-	350W（TC）
SIA483DJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	118	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA483	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
STW38N65M5	7.6200	RFQ	1092	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW38	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
IPC60R280E6X1SA1	-	RFQ	2982	Infineon技术	-	大部分	积极的				IPC60			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000745332		0000.00.0000	1			-
SIR820DP-T1-GE3	0.6350	RFQ	3781	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir820	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3512 PF @ 15 V	-	37.8W（TC）
IRL60B216	-	RFQ	5439	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL60B216	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568416	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	258 NC @ 4.5 V	±20V	15570 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFS530a	0.4500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	10.7A（TC）	10V	110MOHM @ 5.35a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IPD30N06S3L-20	-	RFQ	5119	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	30A（TC）	5V，10V	20mohm @ 17a，10v	2.2V @ 20µA	37 NC @ 10 V	±16V	2600 PF @ 25 V	-	45W（TC）
FL6L52060L	-	RFQ	4774	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	WSSMINI6-F1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	20 v	2A（TA）	1.8 V，4V	120MOHM @ 1A，4V	1.1V @ 1mA		±10V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	540MW（TA）
BUK9520-100A，127	0.6100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				Buk95			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²