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单FET，MOSFET（（44971）

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RJK6012DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	1382	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TC）
2SK4097L	1.7200	RFQ	334	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100	n通道	500 v	8.3a（TC）		650MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V		750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
BSP299L6327	-	RFQ	9136	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
PSMN4R2-80YSEX	3.3600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	170a（ta）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 40 V	-	294W（TA）
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
SI2101-TP	-	RFQ	3217	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI2101	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.4A（TJ）	1.8V，4.5V	100mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA		±8V	640 pf @ 8 V	-	290MW
AUIRFR5305TR	2.8500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5305	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	55 v	31a（TC）		65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1200 pf @ 25 V	-
IXTP180N055T	-	RFQ	1440	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXTP180	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-
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aod526_delta	-	RFQ	4670	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD52	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
DMP4011SK3-13	0.5541	RFQ	5032	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4011	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMP4011SK3-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	（14a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 20 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
FCH76N60N	23.0500	RFQ	5958	Onmi	Supremos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH76N60	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	76A（TC）	10V	36mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±30V	12385 PF @ 100 V	-	543W（TC）
TSM4N90CI C0G	-	RFQ	6687	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4N90	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	900 v	4A（TC）	10V	4ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
DMN3404L-7-50	0.0758	RFQ	5538	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3404	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载				31-DMN3404L-7-7-7-50	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4.2A（ta）	3V，10V	28mohm @ 5.8A，10V	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	498 pf @ 15 V	-	720MW
PSMN017-30EL，127	-	RFQ	3587	Nexperia USA Inc.	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN017	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.15V @ 1mA	10.7 NC @ 10 V	±20V	552 pf @ 15 V	-	47W（TC）
DMTH3002LPSQ-13	0.5592	RFQ	6944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	POWERDI5060-8（k型）	-			到达不受影响	31-DMTH3002LPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
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TSM60NB380CH	2.1663	RFQ	8075	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
FCB20N60-F085	-	RFQ	8057	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	20A（TC）		198mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	341W（TC）
IPI80N04S4-03	1.0700	RFQ	350	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	350	n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 53µA	66 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	94W（TC）
PJP60R390E_T0_001	2.0300	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP60R	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJP60R390E_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	1.5A（TA），11a（tc）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	531 PF @ 25 V	-	2W（ta），124W（tc）
SIHP22N60S-E3	-	RFQ	1043	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60SE3	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	22a（TC）		190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-
SQD40P10-40L_GE3	2.7600	RFQ	2748	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	100 v	38A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 8.2a，10v	2.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	5540 pf @ 15 V	-	136W（TC）
AUIRFR120Z	-	RFQ	9248	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IXFD26N50Q-72	-	RFQ	8396	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-	-	死	IXFD26N50Q	MOSFET （金属 o化物）	死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	-	-	-	-		-		-	-
AUIRF540ZS	-	RFQ	2984	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF540	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
AOT27S60L_001	-	RFQ	4231	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT27	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	-			到达不受影响	785-AOT27S60L_001			1	n通道	600 v	27a（TC）	10V	160MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1294 pf @ 100 V	-	357W（TC）
FDD7030BL	0.4400	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
TK31Z60X，S1F	12.4300	RFQ	11	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4	TK31Z60	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 9.4a，10V	3.5V @ 1.5mA	65 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²