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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPD70R1K4P7SAUMA1	0.7500	RFQ	8	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 700mA，10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 V	±16V	158 pf @ 400 V	-	23W（TC）
LSIC1MO120G0080	-	RFQ	2688	Littelfuse Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	LSIC1MO120	sicfet （碳化硅）	TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	39A（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	4V @ 10mA	92 NC @ 20 V	+22V，-6V	170 pf @ 800 V	-	214W（TC）
ISL9N303AP3	-	RFQ	6692	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
DMN2013UFDEQ-7	0.2465	RFQ	9944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN2013	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN2013UFDEQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	10.5a（ta）	1.5V，4.5V	11mohm @ 8.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	25.8 NC @ 8 V	±8V	2453 PF @ 10 V	-	660MW（TA）
2SK4066-DL-E	-	RFQ	6752	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK4066-DL-E-600057			1	n通道	60 V	100A（TA）	4V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2.6V @ 1mA	220 NC @ 10 V	±20V	12500 PF @ 20 V	-	1.65W（ta），90W（tc）
DMTH6005LK3-13	1.1200	RFQ	3913	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6005	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
IPI65R420CFD	0.8200	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	4126	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7746	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
NVTYS007N04CLTWG	0.6142	RFQ	6586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS007N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 30µA	16 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），38W（tc）
IPD12CN10N	-	RFQ	8149	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	67A（TC）	10V	12.4mohm @ 67a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 50 V	-	125W（TC）
NDCTR30120A	-	RFQ	7745	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NDCTR30120			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR30120ATR			1,700			-
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2156-PMPB20EN/S500X	Ear99	8541.21.0075	1	n通道	30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
ixtk140n20p	16.0200	RFQ	7100	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK140	MOSFET （金属 o化物）	TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	200 v	140a（TC）	10V	18mohm @ 70a，10v	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IQE004NE1LM7SCATMA1	1.1739	RFQ	1174	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				6,000
TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
PSMN2R4-30MLD115	-	RFQ	9137	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
NVMFS6B03NWFT1G	-	RFQ	9470	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	145a（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±16V	4200 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），198W（TC）
G30N04D3	0.6900	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	标准	19.8W（TC）
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon技术	Coolmos™CP	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RM6N100S4V	0.1600	RFQ	9753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM6N100S4VTR		8541.10.0080	30,000	n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
DMG1013TQ-7	0.3800	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMG1013	MOSFET （金属 o化物）	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	460mA ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 350mA，4.5V	1V @ 250µA	0.58 NC @ 4.5 V	±6V	59.76 pf @ 16 V	-	270MW（TA）
MCH3421-TL-E	0.1800	RFQ	225	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）	3-MCPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	800mA（ta）		890MOHM @ 400mA，10V	-	4.8 NC @ 10 V		165 pf @ 20 V	-	900MW（TA）
BSP88L6327	-	RFQ	3665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
DI015N25D1	1.3889	RFQ	9488	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3，DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI015N25D1TR		8541.21.0000	2,500	n通道	250 v	15A（TC）	10V	255mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 125 V	-	140W（TC）
IPDQ60R065S7XTMA1	9.0100	RFQ	8507	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ60R	MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-22-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	750	n通道	600 v	9A（TC）	12V	65mohm @ 8a，12v	4.5V @ 490µA	51 NC @ 12 V	±20V	1932 PF @ 300 V	-	（195W）（TC）
IRF6637TRPBF	0.8300	RFQ	31	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MP		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™MP	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	14a（14A），59A （TC）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
RM50N150DF	0.6400	RFQ	1275	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM50N150DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	150 v	50A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	5200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
SISS66DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS66	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	49.1A（TA），178.3A （TC）	4.5V，10V	1.38mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	85.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	3327 PF @ 15 V	（（（）	5.1W（TA），65.8W（tc）
FQA10N60C	1.9700	RFQ	44	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	10A（TC）	10V	730MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	192W（TC）
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	2693	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²