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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPD30N06S4L23ATMA1	-	RFQ	8219	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 30a，10v	2.2V @ 10µA	21 NC @ 10 V	±16V	1560 pf @ 25 V	-	36W（TC）
5LN01SS-TL-E	0.0800	RFQ	7	Sanyo	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-81	5LN01	MOSFET （金属 o化物）	3-SSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	50 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	7.8OHM @ 50mA，4V	-	1.57 NC @ 10 V	±10V	6600 PF @ 10 V	-	150MW（TA）
SIHA12N50E-GE3	1.8700	RFQ	950	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA12N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	32W（TC）
TSM056NH04LCR RLG	3.0100	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	30.4 NC @ 10 V	±16V	1940 pf @ 25 V	-	78.9W（TC）
RJK0352DSP-00＃j0	0.5700	RFQ	182	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	18A（18A）		5.6MOHM @ 9A，10V	-	16 NC @ 4.5 V		2440 pf @ 10 V	-	2W（TA）
mtaj30n06felfk	1.8500	RFQ	396	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
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irfd320pbf	1.8600	RFQ	469	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD320	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfd320pbf	Ear99	8541.29.0095	100	n通道	400 v	490mA ta）	10V	1.8OHM @ 210mA，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	1W（ta）
HUFA76619D3ST	-	RFQ	5822	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
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STD35NF06LT4	1.6200	RFQ	25	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD35	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	35A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 17.5a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	80W（TC）
DMN33D8LTQ-7	0.4600	RFQ	1020	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN33	MOSFET （金属 o化物）	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	115ma（ta）	2.5V，4V	5ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	0.55 NC @ 10 V	±20V	48 pf @ 5 V	-	240MW（TA）
IPI45N06S4L08AKSA1	-	RFQ	9426	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI45N06	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	60 V	45A（TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 45A，10V	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
IPI023NE7N3G	2.2800	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	75 v	120A（TC）		2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V		14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
AOD780A70	0.6229	RFQ	4855	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD7	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOD780A70TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	700 v	7A（TC）	10V	780MOHM @ 1.4A，10V	4.1V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 100 V	-	83W（TC）
ixfa3n120-trr	6.4701	RFQ	3516	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa3n120-trrtr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
RD3R05BBHTL1	3.1000	RFQ	8073	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3R05	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	50a（ta）	6V，10V	29mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 75 V	-	89w（ta）
RSQ015P10TR	0.3776	RFQ	3722	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ015	MOSFET （金属 o化物）	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	100 v	1.5A（TA）	4V，10V	470MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	600MW（TA）
IXFT80N65X2HV-TRL	11.8738	RFQ	7815	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80	MOSFET （金属 o化物）	TO-268HV（IXFT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixft80n65x2hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 40a，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRFC4020D	-	RFQ	7235	Infineon技术	-	大部分	过时的							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577750	过时的	0000.00.0000	1			-
SI2342DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	3935	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2342DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	8 V	6a（6a），6A（6A （TC）	1.2V，4.5V	17MOHM @ 7.2A，4.5V	800MV @ 250µA	15.8 NC @ 4.5 V	±5V	1070 pf @ 4 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
mmftn6001	0.0276	RFQ	138	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMFTN6001TR		8541.21.0000	3,000	n通道	60 V	440mA ta）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	23.3 pf @ 25 V	-	530MW（TA）
BSZ049N03LSCGATMA1	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	5,000
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	RFQ	657	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfz20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMN6010	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AB（D²Pak）	下载			到达不受影响	31-DMN6010SCTBQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	128a（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2692 PF @ 25 V	-	5W（5W），312W（TC）
apt20m11jfll	79.3500	RFQ	9953	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11	MOSFET （金属 o化物）	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	176a（TC）		11mohm @ 88a，10v	5V @ 5mA	180 NC @ 10 V		10320 PF @ 25 V	-
PH1330al，115	-	RFQ	3712	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PH1330	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064142115	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	100A（TC）		1.3MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	100 nc @ 10 V		6227 PF @ 12 V	-	-
TK6A65D（sta4，Q，m）	1.9400	RFQ	6	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A65	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	6a（6a）	10V	1.11ohm @ 3a，10v	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF9510	0.6000	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²