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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RQ5H020SPTL	0.5900	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5H020	MOSFET （金属 o化物）	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	45 v	2A（TA）	4V，10V	190mohm @ 2a，10v	3V @ 1mA	9.5 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
HUF75631SK8T	-	RFQ	4627	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IAUTN06S5N008ATMA1	6.6600	RFQ	7440	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
FDMS8662	-	RFQ	9116	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 28a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6420 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
PJU7NA60_T0_00001	-	RFQ	5275	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PJU7NA60	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	-				3757-PJU7NA60_T0_001	过时的		1	n通道	600 v	7a（ta）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±30V	723 PF @ 25 V	-	140W（TC）
SIR184LDP-T1-RE3	1.5300	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	21.5a（ta），73A（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
AON6234	0.4851	RFQ	2637	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon62	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	20A（20A），85a tc（85a）	4.5V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2805 PF @ 20 V	-	2.3W（TA），83W（tc）
FDS6575	1.3700	RFQ	245	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS65	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	13mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	74 NC @ 4.5 V	±8V	4951 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
SIR880ADP-T1-GE3	1.8600	RFQ	1429	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir880	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	60a（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2289 PF @ 40 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IPS090N03LGAKMA1	-	RFQ	8644	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	42W（TC）
SI1302DL-T1-E3	0.4400	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1302	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	600mA（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 600mA，10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V		-	280MW（TA）
UPA2736GR-E1-AT	-	RFQ	2485	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 10 V	-	1.1W（TA）
auirfs4127trl	1.0000	RFQ	4627	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
RJL6013DPP-00 t2	2.5500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BUK764R2-80E，118	-	RFQ	6782	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	80 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	136 NC @ 10 V	±20V	10426 pf @ 25 V	-	324W（TC）
XPJR6604PB，LXHQ	2.7700	RFQ	1489	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSIX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	5-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	S-TOGL™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	200a（200a）	6V，10V	0.66mohm @ 100A，10V	3V @ 1mA	128 NC @ 10 V	±20V	11380 pf @ 10 V	-	375W（TC）
R8006knxc7g	3.3400	RFQ	790	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R8006	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	6a（6a）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 4mA	22 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 100 V	-	52W（TC）
2SK3055（1）-az	2.4200	RFQ	107	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BSC028N06NSATMA1	2.7600	RFQ	55	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC028	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2.8V @ 50µA	37 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
SPB16N50C3ATMA1	-	RFQ	7074	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB16N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	560 v	16A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	160W（TC）
BUK98150-55A/CU，135	-	RFQ	4243	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1
FS100kMJ-03F＃b00	1.0000	RFQ	5738	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMT67M8LSS-13	0.3274	RFQ	5407	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载			到达不受影响	31-DMT67M8LSS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	12a（12a）	4.5V，10V	6.6mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	37.5 NC @ 10 V	±20V	2130 PF @ 30 V	-	1.4W（TA）
JAN2N6768T1	-	RFQ	3028	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
DMTH84M1SPS-13	0.8379	RFQ	6708	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH84	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载			到达不受影响	31-DMTH84M1SPS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	100A（TC）	6V，10V	4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4209 PF @ 40 V	-	1.6W（TA），136w（tc）
MCH3377-S-TL-E	-	RFQ	1190	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MCH33			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
CPC3701C	-	RFQ	7205	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CPC3701	MOSFET （金属 o化物）	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	n通道	60 V	-	0V	1欧姆 @ 300mA，0v	-		±15V		耗尽模式	1.1W（TA）
TSM680P06CH	0.8645	RFQ	7551	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM680	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
TSM260P02CX6	0.5097	RFQ	6460	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260	MOSFET （金属 o化物）	SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM260P02CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000	P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
IRFR540ZTRRPBF	-	RFQ	1043	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001557092	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²