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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
MCPF80P06Y-BP	2.2700	RFQ	3128	微商业公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MCPF80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCPF80P06Y-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±18V	5810 PF @ 30 V	-	83W
PSMN4R3-100ES，127	-	RFQ	2460	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
PMPB10ENZ	0.1465	RFQ	5050	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB10	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 9a，10v	2V @ 250µA	20.6 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 15 V	-	1.8W（TA），12.5W（tc）
BSD314SPEL6327HTSA1	-	RFQ	6790	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
EKI07076	-	RFQ	1937年	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI07076 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	85A（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 44a，10v	2.5V @ 1.5mA	91 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 25 V	-	135W（TC）
SQJQ140E-T1_GE3	3.4200	RFQ	215	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	701A（TC）	10V	0.53MOHM @ 20A，10V	3.3V @ 250µA	288 NC @ 10 V	±20V	17000 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IPP80P04P4L04AKSA1	-	RFQ	3662	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000840200	Ear99	8541.29.0095	500	P通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	+5V，-16V	3800 PF @ 25 V	-	125W（TC）
APT6M100K	-	RFQ	8814	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	6A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1410 PF @ 25 V	-	225W（TC）
HUFA75852G3	-	RFQ	3012	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150	n通道	150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IPD80R2K0P7ATMA1	1.1100	RFQ	79	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R2	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 940mA，10v	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 PF @ 500 V	-	24W（TC）
IRF740LC	-	RFQ	6821	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740LC	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-
IXTH12N100L	22.5400	RFQ	2223	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	12A（TC）	20V	1.3OHM @ 500mA，20V	5V @ 250µA	155 NC @ 20 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFT150N25X3HV	27.4100	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT150	MOSFET （金属 o化物）	TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	150a（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IPB039N10N3GE8197ATMA1	0.8800	RFQ	7149	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3	n通道	100 v	160a（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 160µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
SUD50N03-16P-GE3	-	RFQ	8447	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	（15A）（37a ta）（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	6.5W（TA），40.8W（TC）
IXFP10N60P	4.1400	RFQ	576	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	10A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	200W（TC）
RJK5026DPP-V0＃t2	-	RFQ	7254	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PMH400UNEH	0.3600	RFQ	9298	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMH400	MOSFET （金属 o化物）	DFN0606-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	30 V	900mA（ta）	1.5V，4.5V	460MOHM @ 700mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.93 NC @ 4.5 V	±8V	4540 pf @ 15 V	-	360MW（TA），2.23W（tc）
SISS63DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	37	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS63	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	35.1A（TA），127.5A （TC）	2.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	236 NC @ 8 V	±12V	7080 pf @ 10 V	-	5W（5W），65.8W（TC）
IRF3709SPBF	-	RFQ	6297	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
PJQ5442_R2_00001	0.7400	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5442	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-PJQ5442_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	（14a）（90a ta）（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V	1258 pf @ 25 V	-	2W（TA），83W（tc）
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BSP100,135-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
PMN52XP115	0.0800	RFQ	636	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FDPF680N10T	1.6500	RFQ	821	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF680	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	12A（TC）	10V	68mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 50 V	-	24W（TC）
IPB048N06LGATMA1	-	RFQ	3985	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB048N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 100a，10v	2V @ 270µA	225 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 30 V	-	300W（TC）
NVMYS1D3N04CTWG	3.7200	RFQ	13	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS1	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	43A（ta），252A（tc）	10V	1.15MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 180µA	75 NC @ 10 V	±20V	4855 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），134W（tc）
PJQ4546P-AU_R2_002A1	0.8700	RFQ	5	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4546	MOSFET （金属 o化物）	DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	15.7A（TA），64A （TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.3V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
STW20N90K5	7.3600	RFQ	582	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW20	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17089	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
TK11P65W，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK11P65	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	650 v	11.1a（ta）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
NP34N055SLE-E1-AY	1.8500	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZK）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP34N055SLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	34A（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），88W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²