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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
ZVNL120CSTZ	-	RFQ	5964	二极管合并	-	（TB）	过时的	-	通过洞	E-Line-3		MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	200 v	180mA（TA）	3V，5V	10ohm @ 250mA，5V	1.5V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
PMT280ENEAX	0.4300	RFQ	8312	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT280	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	100 v	1.5A（TA）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.5A，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 50 V	-	770MW（TA）
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015	MOSFET （金属 o化物）	Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
64-2137pbf	-	RFQ	6870	Infineon技术	*	管子	积极的				64-2137			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575026	Ear99	8541.29.0095	50
IRF1407STRLPBF	2.8600	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1407	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
NDS355AN-NB9L007A	-	RFQ	5045	Onmi	-	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS355	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
PSMN014-80ylx	1.0000	RFQ	6224	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	80 V	62A（TC）	5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	28.9 NC @ 5 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	147W（TC）
2SK3435-az	2.6000	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3435-az	Ear99	8541.29.0075	116	n通道	60 V	80A（TC）	10V	14mohm @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
mmftn6001	0.0276	RFQ	138	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMFTN6001TR		8541.21.0000	3,000	n通道	60 V	440mA ta）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	23.3 pf @ 25 V	-	530MW（TA）
PSMN017-30BL118	-	RFQ	9646	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1
SQ4064EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	7	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
BUK964R4-40B，118	2.9700	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk964	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	75A（TC）	5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	7124 PF @ 25 V	-	254W（TC）
FQB17P06TM	-	RFQ	8772	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	60 V	17a（TC）	10V	120MOHM @ 8.5a，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），79W（tc）
IRF820B	1.0000	RFQ	7283	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SJ529L06-E	0.9400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB		MOSFET （金属 o化物）	DPAK（l） - 2）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ529L06-E	Ear99	8541.29.0095	1	P通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	160MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±20V	580 pf @ 10 V	-	20W（TC）
IRF8788PBF	-	RFQ	5807	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566558	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	24A（24A）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	2.35V @ 100µA	66 NC @ 4.5 V	±20V	5720 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SSM3J306T（TE85L，F）	-	RFQ	5083	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET （金属 o化物）	TSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	2.4A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	-	2.5 NC @ 15 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
UPA2793GR（01）-e2-ay	-	RFQ	9901	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	3,000			7A（TJ）
DMTH6012LPSW-13	0.2453	RFQ	8826	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6012	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi5060-8（Q）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6012LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	11.5A（ta），50.5a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 30 V	-	2.8W（TA），53.6W（TC）
MCU30N02-TP	0.5200	RFQ	9	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU30N02	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCU30N02-TPTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	30A（TC）	1.8V，4.5V	7mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±10V	1700 PF @ 10 V	-	30W（TC）
RFD16N05NL	0.5100	RFQ	776	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
PSMN2R7-30BL，118	0.7500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	436	n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	3954 pf @ 15 V	-	170W（TC）
IXTT80N20L	20.4300	RFQ	487	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT80	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	80A（TC）	10V	32MOHM @ 40a，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	520W（TC）
TK6A65D（sta4，Q，m）	1.9400	RFQ	6	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A65	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	6a（6a）	10V	1.11ohm @ 3a，10v	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	45W（TC）
NVHL040N60S5F	10.7100	RFQ	450	Onmi	FRFET®，SuperFet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL040	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL040N60S5F	Ear99	8541.29.0095	450	n通道	600 v	59A（TC）	10V	40mohm @ 29.5a，10v	4.8V @ 7.2mA	115 NC @ 10 V	±30V	6318 PF @ 400 V	-	347W（TC）
GT065P06T	1.6800	RFQ	25	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50	P通道	60 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 30 V	-	150W（TC）
IRF7471pbf	-	RFQ	1335	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7471	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563538	Ear99	8541.29.0095	4,085	n通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2820 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
IPTG054N15NM5ATMA1	6.5100	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼		MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOG-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPTG054N15NM5ATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	150 v	17.5A（TA），143a （TC）	8V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	4.6V @ 191µA	73 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²