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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NDP4050	-	RFQ	6916	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	NDP405	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45	n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V		450 pf @ 25 V	-
TP65H070LSG-TR	13.1200	RFQ	12	移动	TP65H070L	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-powerdfn		ganfet（n化岩）	3-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	25A（TC）	10V	85mohm @ 16a，10v	4.8V @ 700µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 400 V	-	96W（TC）
SSF8309S	0.3900	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	P通道	30 V	3.8A（TA）	4.5V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±25V	665 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
NVMFS5C423NLWFT1G	-	RFQ	3737	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	（31a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
IPB097N08N3 g	-	RFQ	8627	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB097N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	70A（TC）	6V，10V	9.7MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
ISL9N312AS3ST	0.8700	RFQ	40	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 58a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	75W（ta）
2N7002_NB9G002	-	RFQ	1780年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
SI4896DY-T1-E3	1.9500	RFQ	1853年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4896	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	6.7a（ta）	6V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA（）	41 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
STD5N20T4	-	RFQ	3452	Stmicroelectronics	网格覆盖™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
irfu120pbf	1.0600	RFQ	87	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU120	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu120pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IPD220N06L3GATMA1	0.8400	RFQ	2035	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD220N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-311	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 30a，10v	2.2V @ 11µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	36W（TC）
RCD100N19TL	1.4000	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RCD100	MOSFET （金属 o化物）	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	190 v	10A（TC）	4V，10V	182MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	850MW（TA），20W（tc）
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upd63911bgb（a） - gah-ax	-	RFQ	9441	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
ixtr90p10p	-	RFQ	1805年	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr90	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道	100 v	57A（TC）	10V	27mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	190w（TC）
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IPN70R450P7SATMA1	1.0100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R450	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	700 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 2.3A，10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 10 V	±16V	424 PF @ 400 V	-	7.1W（TC）
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IRF710pbf	1.1100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF710pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SUM36N20-54P-E3	-	RFQ	3120	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum36	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	36a（TC）	10V，15V	53mohm @ 20a，15v	4.5V @ 250µA	127 NC @ 15 V	±25V	3100 pf @ 25 V	-	3.12W（TA），166W（tc）
2SK2956-E	-	RFQ	7376	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQD2N50TF	0.3400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
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IRF8707TRPBF	0.5700	RFQ	33	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8707	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXFH94N303	12.8000	RFQ	5	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH94	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh94n30p3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±20V	5510 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
NILMS4501NR2	-	RFQ	1862年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	4-DFN	NILMS45	MOSFET （金属 o化物）	4-PLLP（6.2x5.2）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	24 V	9.5A（TA）	10V	13mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±10V	1500 pf @ 6 V	电流感应	1.4W（TA）
DMN61D9UV-13	-	RFQ	6243	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN61		SOT-23-3	下载				31-DMN61D9UV-13	过时的		1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²