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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFX24N100	18.2070	RFQ	8038	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX24	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IRFP3710pbf	3.5200	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP3710	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	100 v	57A（TC）	10V	25mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFS3107TRLPBF	5.0700	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3107	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	195a（TC）	10V	3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9370 pf @ 50 V	-	370W（TC）
SQ4483EY-T1_GE3	1.5100	RFQ	5274	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4483	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	7W（TC）
RJK1560DPP-M0 ＃T2	2.2900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FL	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1	n通道	150 v	20A（TA）		60mohm @ 10a，4v	-	52 NC @ 4 V		6720 PF @ 25 V	-	28.5W（TC）
IXTR36P15P	9.7750	RFQ	6293	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr36	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道	150 v	22a（TC）	10V	120MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STP11NM65N	2.3400	RFQ	334	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP11N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	11A（TC）	10V	455MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	800 pf @ 50 V	-	110W（TC）
irfu9020pbf	1.8900	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9020	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9020pbf	Ear99	8541.29.0095	75	P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
auirfs3004trl	4.0181	RFQ	3823	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS3004	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IPT029N08N5ATMA1	3.9700	RFQ	8692	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT029	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	52A（ta），169a （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 150A，10V	3.8V @ 108µA	87 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 40 V	-	168W（TC）
FDB8445-F085	-	RFQ	5252	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
IRF1407STRR	-	RFQ	5903	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
PSMN4R3-80ES，127	-	RFQ	5914	Nexperia USA Inc.	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	120A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	111 NC @ 10 V	±20V	8161 PF @ 40 V	-	306W（TC）
Auirfu8403-701trl	0.9700	RFQ	11	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to251-3-901	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 76A，10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IPD60R600CPATMA1	-	RFQ	1174	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000680642	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
PSMN012-80B，118	1.6700	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN012	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	74A（TC）	10V	11mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	2782 PF @ 12 V	-	148W（TC）
CEDM7001 BK PBFRE	0.1934	RFQ	8215	中央半导体公司	-	盒子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	CEDM7001	MOSFET （金属 o化物）	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n通道	20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	900mv @ 250µA	0.57 NC @ 4.5 V	10V	9 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
IRFC8721ED	-	RFQ	9560	Infineon技术	-	大部分	过时的							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001570724	过时的	0000.00.0000	1			-
VS-FA72SA50LC	-	RFQ	1930年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA72	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSFA72SA50LC	Ear99	8541.29.0095	160	n通道	500 v	72A（TC）	10V	80MOHM @ 34a，10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
CSD18541F5T	0.9500	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD18541	MOSFET （金属 o化物）	3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250	n通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 1A，10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	777 PF @ 30 V	-	500MW（TA）
IRF1010ZL	-	RFQ	9312	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010ZL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
SI1037X-T1-GE3	-	RFQ	8544	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1037	MOSFET （金属 o化物）	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	770ma（ta）	1.8V，4.5V	195MOHM @ 770mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	170MW（TA）
mmftp84k-aq	0.0466	RFQ	7256	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装				SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-MMFTP84K-AQTR		8541.21.0000	3,000	P通道		180mA								250MW
FBG04N30BC	299.1500	RFQ	54	EPC Space，LLC	FSMD-B	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅		ganfet（n化岩）	4-SMD	下载		不适用		4107-FBG04N30BC		0000.00.0000	154	n通道	40 V	30A（TC）	5V	9mohm @ 30a，5v	2.5V @ 9mA	11.4 NC @ 5 V	+6V，-4V	1300 pf @ 20 V	-	-
EPC2218	6.3100	RFQ	64	EPC	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	死		ganfet（n化岩）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1,000	n通道	100 v	60a（ta）	5V	3.2MOHM @ 25A，5V	2.5V @ 7mA	16.3 NC @ 5 V	+6V，-4V	2703 PF @ 50 V	-	-
BUK7640-100A，118	-	RFQ	6371	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7640	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	37A（TC）	10V	40mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2293 PF @ 25 V	-	138W（TC）
SIHR080N60E-T1-GE3	6.1300	RFQ	3222	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	51A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	500W（TC）
NTTFS3A08PZTWG	1.5100	RFQ	6703	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS3	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	P通道	20 v	9a（9a）	2.5V，4.5V	6.7MOHM @ 12A，4.5V	1V @ 250µA	56 NC @ 4.5 V	±8V	5000 pf @ 10 V	-	840MW（TA）
IXTP6N100D2	7.9600	RFQ	539	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	6A（TC）	-	2.2OHM @ 3a，0v	-	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IRFPF50	-	RFQ	7259	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF50	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFPF50	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	900 v	6.7A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	190w（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²