SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IXTT110N10L2-TRL IXYS IXTT110N10L2-TRL 21.5000
RFQ
ECAD 370 0.00000000 ixys 线性l2™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXTT110 MOSFET (金属 o化物) TO-268(IXTT) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 100 v 110A(TC) 10V 18mohm @ 55a,10v 4.5V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 600W(TC)
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH6012SPSQ-13 1.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN DMNH6012 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50A(TC) 10V 11mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 35.2 NC @ 10 V ±20V 1926 PF @ 30 V - 1.6W(TA)
IRFSL7430PBF Infineon Technologies IRFSL7430pbf -
RFQ
ECAD 1788年 0.00000000 Infineon技术 hexfet®,strongirfet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFSL7430 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001557608 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 195a(TC) 6V,10V 1.2MOHM @ 100A,10V 3.9V @ 250µA 460 NC @ 10 V ±20V 14240 pf @ 25 V - 375W(TC)
DMP1008UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1008UCB9-7 0.3007
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 9-Ufbga,Wlbga DMP1008 MOSFET (金属 o化物) U-WLB1515-9 下载 到达不受影响 31-DMP1008UCB9-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 9.8A(ta) 2.5V,4.5V 5.7MOHM @ 2A,4.5V 1.1V @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 V -6V 900 pf @ 4 V - 840MW(TA)
APT31N60BCSG Microsemi Corporation APT31N60BCSG -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 31a(TC) 10V 100mohm @ 18a,10v 3.9V @ 1.2mA 85 NC @ 10 V ±30V 3055 pf @ 25 V - 255W(TC)
IRF432 International Rectifier IRF432 1.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-204AA,TO-3 MOSFET (金属 o化物) TO-204AA(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 500 v 4a - - - - - 75W
IRLL014TR Vishay Siliconix irll014tr -
RFQ
ECAD 2957 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA IRLL014 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 2.7A(TC) 4V,5V 200mohm @ 1.6A,5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 V ±10V 400 pf @ 25 V - 2W(TA),3.1W(TC)
2SJ690-T1B-AT Renesas Electronics America Inc 2SJ690-T1B-AT -
RFQ
ECAD 5455 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C 表面安装 SC-96 MOSFET (金属 o化物) SC-96-3,薄的迷你模具 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.5a(ta) 2.5V,4.5V 119MOHM @ 1A,4.5V 1.5V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 V ±12V 450 pf @ 10 V - 200mw(ta)
BSS123W-7-F Diodes Incorporated BSS123W-7-F 0.3800
RFQ
ECAD 594 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BSS123 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 170mA(TA) 4.5V,10V 6ohm @ 170mA,10v 2V @ 1mA ±20V 60 pf @ 25 V - 200mw(ta)
SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8461DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,CSPBGA SI8461 MOSFET (金属 o化物) 4微米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a(ta) 1.5V,4.5V 100mohm @ 1.5A,4.5V 1V @ 250µA 24 NC @ 8 V ±8V 610 pf @ 10 V - (780MW)(TA),1.8W(tc)
APT60M75JFLL Microchip Technology APT60M75JFLL 65.8700
RFQ
ECAD 7239 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT60M75 MOSFET (金属 o化物) isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 58A(TC) 10V 75mohm @ 29a,10v 5V @ 5mA 195 NC @ 10 V ±30V 8930 PF @ 25 V - 595W(TC)
IRF9530NS Infineon Technologies IRF9530NS -
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 14A(TC) 10V 200mohm @ 8.4a,10v 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 3.8W(ta),79w(tc)
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ 2.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK90S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 90A(ta) 4.5V,10V 3.3MOHM @ 45A,10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 157W(TC)
IRFU9014 Vishay Siliconix IRFU9014 -
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRFU9 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU9014 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 60 V 5.1A(TC) 10V 500MOHM @ 3.1A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
RJK0301DPB-02#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0301DPB-02#j0 -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 RJK0301 MOSFET (金属 o化物) LFPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 60a(ta) 4.5V,10V 2.8mohm @ 30a,10v - 32 NC @ 4.5 V +16V,-12V 5000 pf @ 10 V - 65W(TC)
IRF9540 Vishay Siliconix IRF9540 -
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF9540 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 19a(tc) 10V 200mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 150W(TC)
CMPDM303NH BK Central Semiconductor Corp CMPDM303NH BK -
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET (金属 o化物) SOT-23F 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,500 n通道 30 V 3.6a(ta) 2.5V,4.5V 40mohm @ 1.8A,4.5V 1.2V @ 250µA 13 NC @ 4.5 V 12V 590 pf @ 10 V - 350MW(TA)
BUK754R3-40B,127 NXP USA Inc. BUK754R3-40B,127 -
RFQ
ECAD 4691 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 69 NC @ 10 V ±20V 4824 PF @ 25 V - 254W(TC)
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK,LM 0.1500
RFQ
ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 T2N7002 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 200ma(ta) 4.5V,10V 3.9ohm @ 100mA,10v 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ±20V 17 pf @ 10 V - 320MW(TA)
RM180N60T2 Rectron USA RM180N60T2 0.7300
RFQ
ECAD 2096 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-RM180N60T2 8541.10.0080 5,000 n通道 60 V 180a(TC) 10V 2.9mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA ±20V 4500 pf @ 30 V - 220W(TC)
NDD03N50ZT4G onsemi NDD03N50ZT4G -
RFQ
ECAD 2367 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NDD03 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 2.6A(TC) 10V 3.3OHM @ 1.15a,10V 4.5V @ 50µA 16 NC @ 10 V ±30V 329 pf @ 25 V - 58W(TC)
IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF 0.7200
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 IRLMS2002 MOSFET (金属 o化物) Micro6™(SOT23-6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6.5A(TA) 2.5V,4.5V 30mohm @ 6.5a,4.5V 1.2V @ 250µA 22 NC @ 5 V ±12V 1310 pf @ 15 V - 2W(TA)
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 0.7400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPN8R903 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 8.9MOHM @ 10a,10v 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 4.5 V ±20V 820 pf @ 15 V - 700MW(TA),22W(22W)TC)
IRL540NL Infineon Technologies IRL540NL -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRL540NL Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 36a(TC) 4V,10V 44mohm @ 18a,10v 2V @ 250µA 74 NC @ 5 V ±16V 1800 pf @ 25 V - 3.8W(ta),140W(TC)
AON6152 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6152 -
RFQ
ECAD 1649年 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-powersmd,平面线 aon61 MOSFET (金属 o化物) 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 100A(TC) 4.5V,10V 1.15MOHM @ 20A,10V 2.3V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 22.5 V - 208W(TC)
SI3454CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3454CDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3454 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4.2A(TC) 4.5V,10V 50MOHM @ 3.8A,10V 3V @ 250µA 10.6 NC @ 10 V ±20V 305 pf @ 15 V - 1.25W(TA),1.5W(tc)
IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies IRFS3206TRRPBF 3.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFS3206 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 120A(TC) 10V 3mohm @ 75a,10v 4V @ 150µA 170 NC @ 10 V ±20V 6540 pf @ 50 V - 300W(TC)
IRFU2905Z Infineon Technologies IRFU2905Z -
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) IPAK(TO-251AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU2905Z Ear99 8541.29.0095 75 n通道 55 v 42A(TC) 10V 14.5mohm @ 36a,10v 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1380 pf @ 25 V - 110W(TC)
IPS031N03L G Infineon Technologies IPS031N03L g -
RFQ
ECAD 9438 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK MOSFET (金属 o化物) PG-TO251-3-11 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 90A(TC) 4.5V,10V 3.1MOHM @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 15 V - 94W(TC)
NTR0202PLT1 onsemi NTR0202PLT1 -
RFQ
ECAD 1459 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NTR020 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 NTR0202PLT1OS Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 400mA(TA) 4.5V,10V 800MOHM @ 200mA,10V 2.3V @ 250µA 2.18 NC @ 10 V ±20V 70 pf @ 5 V - 225MW(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库