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![]() | DMNH6012SPSQ-13 | 1.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | DMNH6012 | MOSFET (金属 o化物) | PowerDI5060-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 10V | 11mohm @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 35.2 NC @ 10 V | ±20V | 1926 PF @ 30 V | - | 1.6W(TA) | ||
![]() | IRFSL7430pbf | - | ![]() | 1788年 | 0.00000000 | Infineon技术 | hexfet®,strongirfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFSL7430 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001557608 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 195a(TC) | 6V,10V | 1.2MOHM @ 100A,10V | 3.9V @ 250µA | 460 NC @ 10 V | ±20V | 14240 pf @ 25 V | - | 375W(TC) | |
![]() | DMP1008UCB9-7 | 0.3007 | ![]() | 8938 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 9-Ufbga,Wlbga | DMP1008 | MOSFET (金属 o化物) | U-WLB1515-9 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMP1008UCB9-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 9.8A(ta) | 2.5V,4.5V | 5.7MOHM @ 2A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 8.2 NC @ 4.5 V | -6V | 900 pf @ 4 V | - | 840MW(TA) | |||
![]() | APT31N60BCSG | - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 31a(TC) | 10V | 100mohm @ 18a,10v | 3.9V @ 1.2mA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 3055 pf @ 25 V | - | 255W(TC) | ||||
![]() | IRF432 | 1.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-204AA(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 500 v | 4a | - | - | - | - | - | 75W | |||||
![]() | irll014tr | - | ![]() | 2957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IRLL014 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 2.7A(TC) | 4V,5V | 200mohm @ 1.6A,5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 V | ±10V | 400 pf @ 25 V | - | 2W(TA),3.1W(TC) | ||
![]() | 2SJ690-T1B-AT | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C | 表面安装 | SC-96 | MOSFET (金属 o化物) | SC-96-3,薄的迷你模具 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 119MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 450 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||
BSS123W-7-F | 0.3800 | ![]() | 594 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BSS123 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 170mA(TA) | 4.5V,10V | 6ohm @ 170mA,10v | 2V @ 1mA | ±20V | 60 pf @ 25 V | - | 200mw(ta) | ||||
![]() | SI8461DB-T2-E1 | - | ![]() | 4611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | SI8461 | MOSFET (金属 o化物) | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 1.5V,4.5V | 100mohm @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 24 NC @ 8 V | ±8V | 610 pf @ 10 V | - | (780MW)(TA),1.8W(tc) | ||
![]() | APT60M75JFLL | 65.8700 | ![]() | 7239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT60M75 | MOSFET (金属 o化物) | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 58A(TC) | 10V | 75mohm @ 29a,10v | 5V @ 5mA | 195 NC @ 10 V | ±30V | 8930 PF @ 25 V | - | 595W(TC) | ||
![]() | IRF9530NS | - | ![]() | 8727 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 100 v | 14A(TC) | 10V | 200mohm @ 8.4a,10v | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±20V | 760 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),79w(tc) | |||
![]() | TK90S06N1L,LQ | 2.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TK90S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 90A(ta) | 4.5V,10V | 3.3MOHM @ 45A,10V | 2.5V @ 500µA | 81 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 10 V | - | 157W(TC) | |||
![]() | IRFU9014 | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P通道 | 60 V | 5.1A(TC) | 10V | 500MOHM @ 3.1A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |
![]() | RJK0301DPB-02#j0 | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | RJK0301 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 60a(ta) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 30a,10v | - | 32 NC @ 4.5 V | +16V,-12V | 5000 pf @ 10 V | - | 65W(TC) | ||
IRF9540 | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9540 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF9540 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 100 v | 19a(tc) | 10V | 200mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | ||
![]() | CMPDM303NH BK | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-3平线 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23F | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,500 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 40mohm @ 1.8A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | 350MW(TA) | |||||
![]() | BUK754R3-40B,127 | - | ![]() | 4691 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 4.3mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4824 PF @ 25 V | - | 254W(TC) | ||
![]() | T2N7002AK,LM | 0.1500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | T2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 200ma(ta) | 4.5V,10V | 3.9ohm @ 100mA,10v | 2.1V @ 250µA | 0.35 NC @ 4.5 V | ±20V | 17 pf @ 10 V | - | 320MW(TA) | |||
![]() | RM180N60T2 | 0.7300 | ![]() | 2096 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-RM180N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n通道 | 60 V | 180a(TC) | 10V | 2.9mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | ±20V | 4500 pf @ 30 V | - | 220W(TC) | |||||
![]() | NDD03N50ZT4G | - | ![]() | 2367 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NDD03 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 2.6A(TC) | 10V | 3.3OHM @ 1.15a,10V | 4.5V @ 50µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 329 pf @ 25 V | - | 58W(TC) | |||
![]() | IRLMS2002TRPBF | 0.7200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | IRLMS2002 | MOSFET (金属 o化物) | Micro6™(SOT23-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 30mohm @ 6.5a,4.5V | 1.2V @ 250µA | 22 NC @ 5 V | ±12V | 1310 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||
![]() | TPN8R903NL,LQ | 0.7400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPN8R903 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.1x3.1) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 8.9MOHM @ 10a,10v | 2.3V @ 100µA | 9.8 NC @ 4.5 V | ±20V | 820 pf @ 15 V | - | 700MW(TA),22W(22W)TC) | |||
![]() | IRL540NL | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRL540NL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 36a(TC) | 4V,10V | 44mohm @ 18a,10v | 2V @ 250µA | 74 NC @ 5 V | ±16V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),140W(TC) | ||
AON6152 | - | ![]() | 1649年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon61 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 100A(TC) | 4.5V,10V | 1.15MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 8900 PF @ 22.5 V | - | 208W(TC) | |||
![]() | SI3454CDV-T1-GE3 | - | ![]() | 8358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4.2A(TC) | 4.5V,10V | 50MOHM @ 3.8A,10V | 3V @ 250µA | 10.6 NC @ 10 V | ±20V | 305 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA),1.5W(tc) | ||
![]() | IRFS3206TRRPBF | 3.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFS3206 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 3mohm @ 75a,10v | 4V @ 150µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 6540 pf @ 50 V | - | 300W(TC) | ||
![]() | IRFU2905Z | - | ![]() | 4715 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | IPAK(TO-251AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU2905Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 55 v | 42A(TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a,10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1380 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||
![]() | IPS031N03L g | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO251-3-11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 90A(TC) | 4.5V,10V | 3.1MOHM @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 5300 PF @ 15 V | - | 94W(TC) | ||||
![]() | NTR0202PLT1 | - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | NTR020 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | NTR0202PLT1OS | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 400mA(TA) | 4.5V,10V | 800MOHM @ 200mA,10V | 2.3V @ 250µA | 2.18 NC @ 10 V | ±20V | 70 pf @ 5 V | - | 225MW(TA) |
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