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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFS17N20DTRRP	-	RFQ	6720	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
STP40N20	-	RFQ	3004	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4380-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	40a（TC）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	160W（TC）
irfr010tr	-	RFQ	3899	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
irlu2905zpbf	-	RFQ	3101	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI3099-TP	0.2500	RFQ	37	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3099	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.1a	2.5V，10V	408MOHM @ 500NA，10V	1.5V @ 250µA	1.72 NC @ 10 V	±12V	61 pf @ 15 V	-	830MW
STP5NK50Z	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5NK50	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STS5PF20V	-	RFQ	6377	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS5P	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	6 NC @ 2.5 V	±8V	412 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
RJK0852DPB-WS＃j5	-	RFQ	5675	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的							-				559-RJK0852DPB-WS＃j5	过时的		1
IRF3710ZSPBF	-	RFQ	4856	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRLR7811WPBF	-	RFQ	1359	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRLR7811WPBF	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±12V	2260 pf @ 15 V	-	71W（TC）
PSMN011-60MSX	0.8900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN011	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	61A（TC）	10V	11.3mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1368 PF @ 30 V	-	91W（TC）
MCAC130N04-TP	1.5900	RFQ	7	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC130N04	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCAC130N04-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	130a		1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7140 pf @ 25 V	-	115W
IRF7807A	-	RFQ	1942年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7807A	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IXFN48N55	-	RFQ	1882年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN48	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	550 v	48A（TC）	10V	110MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
FDPF12N50FT	-	RFQ	6000	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	11.5A（TC）	10V	700mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1395 pf @ 25 V	-	42W（TC）
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IRFP4232PBF	-	RFQ	5091	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	250 v	60a（TC）	10V	35.7MOHM @ 42A，10V	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7290 pf @ 25 V	-	430W（TC）
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IRF7241TRPBF	0.9700	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7241	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSO613SPV	-	RFQ	2792	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	3.44A（TA）	10V	130MOHM @ 3.44A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
H5N3301LSTL-E	3.4400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
PJP6NA40_T0_00001	-	RFQ	2706	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP6NA40_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	6a（6a）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	553 pf @ 25 V	-	100W（TC）
CSD17483F4	0.4500	RFQ	88	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17483	MOSFET （金属 o化物）	3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	240mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
STMFS5C609NLT1G	4.3826	RFQ	4526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	STMFS5	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	-		-	-	-	-		-		-	-
STP25NM60N	-	RFQ	2554	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5020-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG30	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSZ023N04LSATMA1	-	RFQ	9200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 20 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
FDMA710PZ	-	RFQ	8028	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.29.0095	1	P通道	20 v	7.8A（ta）	1.8V，5V	24mohm @ 7.8a，5v	1.5V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±8V	2015 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
SSM3J168F，LF	0.3700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J168	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	400mA（TA）	4V，10V	1.9OHM @ 100mA，4.5V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	+20V，-16V	82 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²