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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFIB5N65A	-	RFQ	6693	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB5N65A	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	5.1A（TC）	10V	930mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	60W（TC）
PSMN2R8-40BS	-	RFQ	8495	NXP半导体	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1
IXFL60N60	-	RFQ	3931	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL60	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS264™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	60a（TC）	10V	80Mohm @ 30a，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
NTD4909NT4G	-	RFQ	5289	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD4909	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	8.8A（ta），41A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1314 PF @ 15 V	-	1.37W（TA），29.4W（tc）
IPI80N06S4L05AKSA2	-	RFQ	5408	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028726	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 40a，4.5V	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
FDS6688	1.0700	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3888 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDB28N30TM	2.2100	RFQ	5014	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB28N30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	300 v	28a（TC）	10V	129MOHM @ 14A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IRF7769L1TRPBF	5.0300	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7769	MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	20a（20A），124A （TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF8707TRPBF	0.5700	RFQ	33	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8707	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRL2703STRR	-	RFQ	1841年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
FCPF165N65S3R0L	2.6900	RFQ	56	Onmi	SuperFet®III	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF165	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	35 NC @ 10 V	±30V	1415 PF @ 400 V	-	35W（TC）
PMPB20XPEZ	0.4900	RFQ	31	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB20	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	7.2A（ta）	1.8V，4.5V	23.5MOHM @ 7.2A，4.5V	900mv @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
FQA34N20	-	RFQ	6211	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	200 v	34A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRFZ48ZSPBF	-	RFQ	6918	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
IXFR180N10	17.1133	RFQ	9891	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFR180N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	100 v	165a（TC）	10V	8mohm @ 90a，10v	4V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFX78NNNNN50P3	14.3100	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX78	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	78A（TC）	10V	68mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	147 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
FQP6N80	-	RFQ	5550	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	5.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRFSL3607pbf	-	RFQ	2715	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	429	n通道	75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
2SK4070-ZK-e2-ay	0.5500	RFQ	2	nec公司	-	大部分	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK4070	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	n通道	600 v	1A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA	5 NC @ 10 V	±30V	110 pf @ 10 V	-	1W（1W），22W（22W）TC）
BSZ018NE2LSIATMA1	2.0800	RFQ	25	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ018	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	25 v	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPI65R310CFD	0.8900	RFQ	10	Infineon技术	Coolmos CFD2™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
DMN61D9UT-7	-	RFQ	5394	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN61	MOSFET （金属 o化物）	SOT-523	-		（1 （无限）		31-DMN61D9UT-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	350mA（ta）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	28.5 pf @ 30 V	-	260MW（TA）
BSC070N10NS5SCATMA1	2.8100	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC070	MOSFET （金属 o化物）	PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	14a（14A），82A（tc）	6V，10V	7mohm @ 40a，10v	3.8V @ 50µA	38 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
HUF759253	0.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	11A（TC）	10V	275mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 20 V	±20V	1030 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IV1Q12160T4	18.7400	RFQ	106	发明	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		4084-IV1Q12160T4	Ear99		30	n通道	1200 v	20A（TC）	20V	195mohm @ 10a，20v	2.9V @ 1.9mA	43 NC @ 20 V	+20V，-5V	885 PF @ 800 V	-	138W（TC）
STI14NM50N	3.0500	RFQ	757	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI14N	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 100µA	27 NC @ 10 V	±25V	816 pf @ 50 V	-	90W（TC）
BSO080P03NS3EGXUMA1	-	RFQ	7772	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
BUK9M35-80EX	0.9200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK9M35	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	26a（TC）	5V	31MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	13.5 NC @ 5 V	±10V	1804 PF @ 25 V	-	62W（TC）
IRF630L	-	RFQ	9171	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF630	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF630L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²