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单FET，MOSFET（（44971）

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ipb26cne8n g	-	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB26C	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	85 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	71W（TC）
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STF9N80K5	2.8600	RFQ	8306	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF9N80	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16493-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	25W（TC）
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STH270N8F7-6	5.3600	RFQ	8204	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH270	MOSFET （金属 o化物）	h²pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13874-2	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
SIS890DN-T1-GE3	1.4000	RFQ	622	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS890	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	23.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	802 PF @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
NTP185N60S5H	3.4100	RFQ	6613	Onmi	SUPERFET®V	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTP185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	600 v	15A（TC）	10V	185MOHM @ 7.5A，10V	4.3V @ 1.4mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	116W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²