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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
PSMN2R8-40BS	-	RFQ	4629	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1
AON7264E	0.2552	RFQ	5005	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	aon72	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	28a（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	27.5W（TC）
SSM6K513NU，LF	0.4600	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K513	MOSFET （金属 o化物）	6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 4A，10V	2.1V @ 100µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	1130 PF @ 15 V	-	1.25W（TA）
R6008anx	1.9208	RFQ	9730	Rohm半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6008	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6008ANX	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	50W（TC）
ipp08cne8nng	0.8800	RFQ	925	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	85 v	95A（TC）	10V	6.4mohm @ 95a，10v	4V @ 130µA	99 NC @ 10 V	±20V	6690 pf @ 40 V	-	167W（TC）
FQB7N80TM_AM002	-	RFQ	2519	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB7	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	800 v	6.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.3a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），167W（tc）
IRC640pbf	-	RFQ	9424	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC640pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
PHM21NQ15T，518	-	RFQ	8989	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PHM21	MOSFET （金属 o化物）	8-hvson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	22.2A（TC）	5V，10V	55mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
IRLZ24	-	RFQ	6617	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ24	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	17a（TC）	4V，5V	100mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2SK1585-az	0.3400	RFQ	5454	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700
PJL9425_R2_00001	0.2412	RFQ	2235	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PJL9425	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-PJL9425_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	10a（10a）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2767 PF @ 25 V	-	2.1W（TA）
IXTP50N25T	5.5100	RFQ	6960	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP50	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	50A（TC）	10V	50mohm @ 25a，10v	5V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	400W（TC）
FDPF17N60NT	3.3100	RFQ	925	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF17	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3040 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
FQP10N20CTSTU	0.3100	RFQ	9282	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	797	n通道	200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
TPC6111（TE85L，F，M）	-	RFQ	3219	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6111	MOSFET （金属 o化物）	VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	5.5A（ta）	1.5V，4.5V	40mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 1mA	10 NC @ 5 V	±8V	700 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
AON4703	0.2213	RFQ	2261	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON470	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN （3x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.4a（ta）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 3.4A，4.5V	1V @ 250µA	6.1 NC @ 4.5 V	±8V	540 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）
BUK7E3R5-60E，127	0.9500	RFQ	710	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	316	n通道	60 V	120A（TC）	10V	3.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	8920 PF @ 25 V	-	293W（TC）
APT17F100	11.0300	RFQ	6839	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT17F100	MOSFET （金属 o化物）	d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1000 v	17a（TC）	10V	780MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	150 NC @ 10 V	±30V	4845 pf @ 25 V	-	625W（TC）
PMV60 -NEAR	0.3900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV60	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	3A（3A）	4.5V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 20 V	-	615MW（TA），7.5W（tc）
CP775-CWDM3011P-WN	-	RFQ	1859年	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP775-CWDM3011P-WN	过时的		8,000	P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 8 V	-	-
STWA20N95DK5	5.6814	RFQ	6067	Stmicroelectronics	MDMESH™DK5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA20	MOSFET （金属 o化物）	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道	950 v	18A（TC）	10V	330mohm @ 9a，10v	5V @ 100µA	50.7 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFRC20TRRPBF	0.8236	RFQ	6797	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
MFT62NA64S363EA	0.9000	RFQ	3	Meritek	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					MOSFET （金属 o化物）		-	Rohs符合条件	（1 （无限）		2997-MFT62NA64S363ATR	Ear99	8532.25.0020	10	n通道	60 V	640mA ta）						17 pf @ 25 V
UPA2746UT1A-E2-AY	1.8500	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
FCU3400N80Z	-	RFQ	8340	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU3400	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	800 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 100 V	-	32W（TC）
2SK3634-az	0.7700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	6A（TC）		600mohm @ 3a，10v	4.5V @ 1mA	9 NC @ 10 V		270 pf @ 10 V	-
SQP120N06-3M5L_GE3	-	RFQ	1739年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	14700 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPP65R280C6	-	RFQ	4893	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1	n通道	650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI4416DY	-	RFQ	8178	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,353	n通道	30 V	9a（9a）	-	18mohm @ 9a，10v	1V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1340 pf @ 15 V	-	1W（ta）
TK10A60W5，S5VX	2.0400	RFQ	32	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A60	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	9.7A（ta）	10V	450MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 500µA	25 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 300 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²