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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF3710ZSPBF	-	RFQ	4856	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRLR7811WPBF	-	RFQ	1359	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRLR7811WPBF	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±12V	2260 pf @ 15 V	-	71W（TC）
PSMN011-60MSX	0.8900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN011	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	61A（TC）	10V	11.3mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1368 PF @ 30 V	-	91W（TC）
MCAC130N04-TP	1.5900	RFQ	7	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC130N04	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCAC130N04-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	130a		1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7140 pf @ 25 V	-	115W
IRF7807A	-	RFQ	1942年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7807A	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IXFN48N55	-	RFQ	1882年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN48	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	550 v	48A（TC）	10V	110MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
FDPF12N50FT	-	RFQ	6000	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	11.5A（TC）	10V	700mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1395 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI2335DS-T1-GE3	-	RFQ	6311	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2335	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	51MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
IRFP4232PBF	-	RFQ	5091	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	250 v	60a（TC）	10V	35.7MOHM @ 42A，10V	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7290 pf @ 25 V	-	430W（TC）
IRFR1N60ATR	-	RFQ	6599	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
AUIRF1404S	-	RFQ	4813	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522616	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	75A（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BSP316PE6327	-	RFQ	3865	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	100 v	680mA（ta）	4.5V，10V	1.8OHM @ 680mA，10V	2V @ 170µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	146 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF7241TRPBF	0.9700	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7241	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSO613SPV	-	RFQ	2792	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	3.44A（TA）	10V	130MOHM @ 3.44A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
H5N3301LSTL-E	3.4400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
PJP6NA40_T0_00001	-	RFQ	2706	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP6NA40_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	6a（6a）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	553 pf @ 25 V	-	100W（TC）
CSD17483F4	0.4500	RFQ	88	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17483	MOSFET （金属 o化物）	3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	240mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
STMFS5C609NLT1G	4.3826	RFQ	4526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	STMFS5	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	-		-	-	-	-		-		-	-
STP25NM60N	-	RFQ	2554	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP25N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5020-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
IRFPG30	-	RFQ	9904	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPG30	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSZ023N04LSATMA1	-	RFQ	9200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 20 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
FDMA710PZ	-	RFQ	8028	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.29.0095	1	P通道	20 v	7.8A（ta）	1.8V，5V	24mohm @ 7.8a，5v	1.5V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±8V	2015 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
SCH2825-TL-E	-	RFQ	7095	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SCH282	MOSFET （金属 o化物）	6-SCH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n通道	30 V	1.6a（ta）	4V，10V	180mohm @ 800mA，10v	-	2 NC @ 10 V	±20V	88 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	600MW（TA）
SSM3J168F，LF	0.3700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J168	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	400mA（TA）	4V，10V	1.9OHM @ 100mA，4.5V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	+20V，-16V	82 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
YJQ60N03A	0.2760	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ60N03ATR	Ear99		5,000
AO4441L	-	RFQ	3702	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	4A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1120 PF @ 30 V	-	3.1W（TA）
IRLR2703TRPBF	1.1600	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2703	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	23A（TC）	4V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IMT65R048M1HXTMA1	-	RFQ	7974	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R			-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
FQPF34N20	-	RFQ	5697	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	17.5A（TC）	10V	75MOHM @ 8.75a，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IPL65R190E6AUMA1	-	RFQ	7365	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R	MOSFET （金属 o化物）	PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响	SP001074938	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 700µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²