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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NDS356P	-	RFQ	1017	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS356	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	210MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±12V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
ATP214-TL-H	-	RFQ	5089	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP214	MOSFET （金属 o化物）	Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	75a（ta）	4V，10V	8.1MOHM @ 38A，10V	-	96 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 20 V	-	60W（TC）
2N6660-2	-	RFQ	3199	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）	TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
IRFW610BTM	1.0000	RFQ	5820	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），38W （TC）
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RDN100N20	-	RFQ	7167	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDN100	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	10a（10a）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	543 pf @ 10 V	-	35W（TC）
AOD4185L_DELTA	-	RFQ	4275	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AOD418			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			40a（TC）
SSM3K361R，LF	0.5100	RFQ	128	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K361	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	3.5A（ta）	4.5V，10V	69mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	430 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
IPD06N03LA g	-	RFQ	2751	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W（TC）
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SI7625DN-T1-GE3	1.1200	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7625	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	4427 PF @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IXFC80N10	-	RFQ	4290	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N10	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	80A（TC）	10V	12.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
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IRF6668TRPBF	0.9400	RFQ	59	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™MZ	下载					Ear99	8541.29.0095	318	n通道	80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRL2703S	-	RFQ	4554	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL2703S	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IXTT8P50	9.3263	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt8	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道	500 v	8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SFP9634	-	RFQ	9929	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SFP963	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	250 v	5A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	70W（TC）
SFS9640	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	200 v	6.2A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	1585 pf @ 25 V	-	40W（TC）
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SQJ409EP-T1_GE3	1.4900	RFQ	1197	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ409	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	68W（TC）
CSD18540Q5BT	3.0600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18540	MOSFET （金属 o化物）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 30 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
SQD25N06-22L_GE3	1.7000	RFQ	8440	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	25A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1975 pf @ 25 V	-	62W（TC）
FCH190N65F-F085	-	RFQ	1642	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH190	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 27a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 25 V	-	208W（TC）
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2546	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
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Auirfr3504Trl	-	RFQ	7724	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001520330	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	56A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²