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单FET，MOSFET（（44971）

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FDS7088N7	-	RFQ	5801	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）	8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	3MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
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SPD04N60S5	-	RFQ	4536	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NP160N055TUJ-e2-ay	-	RFQ	7197	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000			160a（TC）
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FDD6688	-	RFQ	6491	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD668	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
IRL1104L	-	RFQ	8609	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL1104L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），167W（tc）
STFI10LN80K5	-	RFQ	8967	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI10LN	MOSFET （金属 o化物）	I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	20W（TC）
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NTD20N06LT4	-	RFQ	1900	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTD20N06LT4OS	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	20A（TA）	5V	48mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	1.36W（ta），60w（TJ）
APT8065BVFRG	13.7700	RFQ	2843	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT8065	MOSFET （金属 o化物）	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	13A（TC）		650MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V		3700 PF @ 25 V	-
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CSD16301Q2	0.5800	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD16301	MOSFET （金属 o化物）	六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	5A（TC）	3V，8V	24mohm @ 4a，8v	1.55V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 12.5 V	-	2.3W（ta）
IRFZ44VZL	-	RFQ	5062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfz44vzl	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
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IRL3303S	-	RFQ	8194	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3303S	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IXKC25N80C	-	RFQ	9404	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC25	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	4V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	-
AOU7S65	-	RFQ	1718年	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	aou7	MOSFET （金属 o化物）	TO-251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	9.2 NC @ 10 V	±30V	434 PF @ 100 V	-	89W（TC）
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NTMFS4C09NBT1G	1.0700	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500	n通道	30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	5.8mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	10.9 NC @ 4.5 V	±20V	1252 PF @ 15 V	-	（760MW）（TA），25.5W（tc）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²