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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NTD4959NT4G	-	RFQ	9729	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
BUK7640-100A118	0.6300	RFQ	6483	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载					Ear99	8541.29.0095	1
BSP89 E6327	-	RFQ	8535	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	240 v	350mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.8V @ 108µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
MMBF170-7-F	0.3800	RFQ	3838	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF170	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	500mA（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 250µA		±20V	40 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
AOTF13N50L	-	RFQ	3808	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF13	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-			到达不受影响	785-AOTF13N50L			1	n通道	500 v	13A（TJ）	10V	510MOHM @ 6.5A，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1633 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IPD50R520CPATMA1	-	RFQ	6587	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R520	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001117706	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	500 v	7.1A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 100 V	-	66W（TC）
NTB23N03RG	-	RFQ	8978	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB23	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	25 v	23a（23A）	4.5V，10V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	37.5W（TJ）
STB30N65M2AG	4.2400	RFQ	4563	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STB30N65M2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30.8 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	190w（TC）
AOT600A70FL	0.8511	RFQ	7030	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT600	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOT600A70FL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	700 v	8.5A（TC）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	900 PF @ 100 V	-	104W（TC）
GSFP08130	1.3900	RFQ	3	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-ppak（5.1x5.71）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	60 V	130a（TC）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	143 NC @ 10 V	+20V，-12V	8265 PF @ 40 V	-	142W（TC）
2SK1403A-E	3.1100	RFQ	696	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FDD20AN06A0-F085	-	RFQ	2385	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDDDD20AN06A0-F085-600039			1	n通道	60 V	8a（8a ta），45a tc（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IXFK100N25	-	RFQ	5892	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK100	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
2SK3199	-	RFQ	6194	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3199 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750	n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±30V	650 pf @ 10 V	-	30W（TC）
STL12N65M5	2.8600	RFQ	56	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL12	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	530MOHM @ 4.25A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	644 pf @ 100 V	-	48W（TC）
BSS84PW	-	RFQ	7588	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	60 V	150mA（ta）	4.5V，10V	8ohm @ 150mA，10v	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19.1 PF @ 25 V	-	300MW（TA）
SST214 SOT-143 4L	2.4448	RFQ	3	线性集成系统公司	SST214	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	20 v	50mA（TA）	5V，25V	50ohm @ 1mA，10v	1.5V @ 1µA		±40V		-	300MW（TA）
FQP24N08	-	RFQ	9393	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	24A（TC）	10V	60mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	750 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
RJK2055DPA-00＃j0	-	RFQ	8430	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK2055	MOSFET （金属 o化物）	8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	20A（TA）	10V	69mohm @ 10a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 25 V	-	30W（TC）
IPB65R230CFD7AATMA1	3.7800	RFQ	9580	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	11A（TC）	10V	230MOHM @ 5.2A，10V	4.5V @ 260µA	23 NC @ 10 V	±20V	1044 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STN1NF20	0.8400	RFQ	455	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1NF20	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	200 v	1A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	90 pf @ 25 V	-	2W（TA）
NTB18N06L	-	RFQ	8338	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	15A（TC）	5V	100mohm @ 7.5a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	440 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
FDC610PZ	0.5800	RFQ	6070	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC610	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	1005 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
IPU60R1K0CEBKMA1	-	RFQ	4894	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	4.3A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	37W（TC）
MCH6336-TL-W	-	RFQ	9527	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6336	MOSFET （金属 o化物）	SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 1mA	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
IPB100N06S3L-03	-	RFQ	7059	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	100A（TC）	5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BUK7C2R2-60EJ	-	RFQ	6677	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c2	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067492118	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	-		-	-				-	-
NVMFS6B05NWFT3G	-	RFQ	2873	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²