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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
R8001CND3FRATL	2.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R8001	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	1A（TC）	10V	8.7ohm @ 500mA，10v	5.5V @ 1mA	7.2 NC @ 10 V	±30V	60 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SISS50DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS50	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-SISS50DN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	45 v	29.7a（ta），108a （TC）	4.5V，10V	2.83mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	4000 pf @ 20 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
PJD4NA65_L2_00001	0.8800	RFQ	8392	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD4NA65	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD4NA65_L2_00001CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	4A（ta）	10V	2.7OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	11.4 NC @ 10 V	±30V	463 pf @ 25 V	-	77W（TC）
IRF3707ZCSTRR	-	RFQ	1097	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
FQD19N10TM	0.8700	RFQ	1	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD19N10	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	15.6A（TC）	10V	100mohm @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	780 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FDA20N50-F109	3.7400	RFQ	440	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA20N50	MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	22a（TC）	10V	230mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	59.5 NC @ 10 V	±30V	3120 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IXFR32N50Q	-	RFQ	2902	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR32	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 16a，10v	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	310W（TC）
irfu1205pbf	-	RFQ	8316	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPI60R299CP	1.2000	RFQ	8	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	11A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	96W（TC）
NTLJS4114NTAG	0.6900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS4114	MOSFET （金属 o化物）	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
IRFBA1404PPBF	-	RFQ	5540	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA		MOSFET （金属 o化物）	SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	206a（TC）	10V	3.7MOHM @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SPP80N06S2L-06	-	RFQ	1595年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	250W（TC）
TSM70N600CP	2.5896	RFQ	4568	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
irlr3715ztrr	-	RFQ	4605	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IAUC80N04S6L032ATMA1	1.0500	RFQ	8277	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC80	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.29mohm @ 40a，10v	2V @ 18µA	25 NC @ 10 V	±16V	1515 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IRF520NSTRRPBF	-	RFQ	4441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
FDD3580	-	RFQ	3407	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD358	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	7.7a（ta）	6V，10V	29mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
SI7738DP-T1-GE3	3.0500	RFQ	4722	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7738	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	30A（TC）	10V	38mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
MSC180SMA120SA	7.3200	RFQ	8313	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，DPAK （7条线索 +选项卡）	MSC180	sicfet （碳化硅）	D2PAK-7	-			到达不受影响	150-MSC180SMA120SA	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1200 v	21a（TC）	20V	225mohm @ 8a，20v	3.26V @ 500µA	34 NC @ 20 V	+23V，-10V	510 pf @ 1000 V	-	125W（TC）
irfu3303pbf	-	RFQ	3503	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
2SK1460L	-	RFQ	7334	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK1460LS-488			1	n通道	900 v	3.5A（ta）	10V	3.6ohm @ 2a，10v	3V @ 1mA		±30V	700 pf @ 20 V	-	2W（TA），40W（TC）
SQJA00EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	2003	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA00	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	30A（TC）	10V	13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IXTP5N60P	-	RFQ	9853	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 50µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRF6618TR1	-	RFQ	8342	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™MT	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	（30a）（TA），170A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
PJQ5458A_R2_00001	0.2323	RFQ	5874	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5458	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5458A_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	4.4A（TA），16a （TC）	4.5V，10V	50mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	815 pf @ 15 V	-	（2W）（27W）（27W）TC）
MCAC10H04Y-TP	-	RFQ	4242	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC10	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件			353-MCAC10H04Y-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	5059 pf @ 20 V	-	80W（TC）
SIHB6N80AE-GE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
BUK6207-55C，118	-	RFQ	1122	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	90A（TC）	10V	7.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 25 V	-	158W（TC）
HUF76121S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BUK661R9-40C，118	3.4200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk661	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	260 NC @ 10 V	±16V	15100 PF @ 25 V	-	306W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²