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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQSA82CENW-T1_GE3	0.6700	RFQ	30	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	12A（TC）	4.5V，10V	46mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SSM3K15AF，LF	0.2800	RFQ	107	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
TK5A60W5，S5VX	1.5900	RFQ	7625	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	4.5A（ta）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	4.5V @ 230µA	11.5 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 300 V	-	30W（TC）
PMX300Unez	0.2700	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0201（0603公制）	PMX300	MOSFET （金属 o化物）	DFN0603-3（SOT8013）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	15,000	n通道	30 V	820mA（ta）	1.8V，4.5V	250MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	2.1 NC @ 4.5 V	±8V	120 pf @ 15 V	-	300MW（TA），4.7W（TC）
IXFX230N20T	26.0400	RFQ	2661	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXFX230	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	230a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IRFP340pbf	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP340	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
64-2042	-	RFQ	7675	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF1404	MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	75A（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	220W（TC）
IRF1104STRL	-	RFQ	8456	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	100A（TC）	10V	9mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	2.4W（TA），170W（tc）
SISS26DN-T1-GE3	1.6800	RFQ	2735	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS26	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	60a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	3.6V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 30 V	-	57W（TC）
PMV280 -NEAR	0.4800	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV280	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.1A，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 50 V	-	580MW（TA）
IRF7425	-	RFQ	2823	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7425	Ear99	8541.29.0095	95	P通道	20 v	15A（TA）	2.5V，4.5V	8.2MOHM @ 15A，4.5V	1.2V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±12V	7980 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
CPC3730CTR	0.4032	RFQ	8504	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-243AA	CPC3730	MOSFET （金属 o化物）	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	350 v	140mA（ta）		35ohm @ 140mA，0v	-			200 pf @ 25 V	耗尽模式
SQD40081EL_GE3	1.3700	RFQ	2265	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40081	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	40 V	50A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	71W（TC）
CSD18511Q5AT	1.6700	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）	8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	n通道	40 V	159a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 24A，4.5V	2.45V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 10 V	-	104W（TC）
ixta38n15t	-	RFQ	6663	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta38	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	38A（TC）		-	-				-	-
2N6660JTXL02	-	RFQ	2234	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）	TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
STD16NF06LT4	1.2400	RFQ	23	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	24A（TC）	5V，10V	70mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	7.5 NC @ 5 V	±18V	370 pf @ 25 V	-	40W（TC）
NTDV20N06LT4G	-	RFQ	9187	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTDV20	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	20A（TA）	5V	48mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	1.36W（ta），60w（TJ）
DMP65H11D0HSS-13	0.5075	RFQ	1043	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载			到达不受影响	31-DMP65H11D0HSS-13TR	Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	600 v	270mA（ta）	10V	11ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	1.9W（TA）
IPD50R800CEBTMA1	-	RFQ	7721	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	500 v	5A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	40W（TC）
IRFZ14	-	RFQ	6678	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ14	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
AOD518_050	-	RFQ	4644	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD51	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	（15a）（ta），54a （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	951 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IRLML2803Tr	-	RFQ	8686	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	1.2A（TA）		250MOHM @ 910mA，10V	1V @ 250µA	5 NC @ 10 V		85 pf @ 25 V	-
NTP125N02RG	-	RFQ	2684	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP125	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	24 V	15.9a（ta）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.98W（TA），113.6W（tc）
FDP150N10A-F102	2.6600	RFQ	5022	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP150	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	50A（TC）	10V	15mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 50 V	-	91W（TC）
NTD4815NHT4G	-	RFQ	6019	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±20V	845 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
SPA12N50C3XKSA1	-	RFQ	7330	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA12N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	560 v	11.6A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRFR1219A	0.3900	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
FCI25N60N-F102	-	RFQ	8999	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
DMN65D8L-7	0.1700	RFQ	304	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN65	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	310mA ta）	5V，10V	3ohm @ 115mA，10v	2V @ 250µA	0.87 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	370MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²