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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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HUF76407D3S	-	RFQ	8560	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IPP80N06S4L07AKSA1	-	RFQ	6646	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 40µA	75 NC @ 10 V	±16V	5680 pf @ 25 V	-	79W（TC）
FDD3570	-	RFQ	1515年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD357	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	10a（10a）	6V，10V	20mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	3.4W（TA），69W（tc）
NVMFS6H848NLWFT1G	1.2300	RFQ	2718	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	13a（13A），59a （TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 10a，10v	2V @ 70µA	25 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
IRFU3607TRL701P	-	RFQ	1343	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道	75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRL3715ZSTRRPBF	-	RFQ	5710	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
ixtx1r4n450hv	71.7900	RFQ	118	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx1	MOSFET （金属 o化物）	to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx1r4n450hv	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	4500 v	1.4A（TC）	10V	40 ohm @ 50mA，10v	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	960W（TC）
BSS127L6327HTSA1	-	RFQ	6409	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	600 v	21ma（ta）	4.5V，10V	500ohm @ 16mA，10v	2.6V @ 8µA	1 NC @ 10 V	±20V	28 PF @ 25 V	-	500MW（TA）
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	6101	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRFS4610	-	RFQ	9160	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS4610	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
MMIX1F420N10T	50.6500	RFQ	7133	ixys	Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F420	MOSFET （金属 o化物）	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	100 v	334a（TC）	10V	2.6mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	670 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 10 V	-	680W（TC）
FDBL86361-F085	6.1500	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86361	MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	300A（TC）	10V	1.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	188 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	429W（TJ）
IPU090N03L g	-	RFQ	7784	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU090N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	42W（TC）
IRFHM8228TRPBF	-	RFQ	4300	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	25 v	（19a ta）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 25µA	18 nc @ 10 V	±20V	1667 PF @ 10 V	-	2.8W（TA），34W（tc）
IRFSL17N20D	-	RFQ	6010	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL17N20D	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
PSMN014-80ylx	1.1200	RFQ	2993	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN014	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	62A（TC）	5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	28.9 NC @ 5 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	147W（TC）
STP140NF55	2.7900	RFQ	6818	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP140	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NVMFS5C612NLWFT3G	-	RFQ	4516	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	36a（TA），235a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
IRLIB9343	-	RFQ	2501	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLIB9343	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	55 v	14A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	33W（TC）
IRF9640	-	RFQ	3506	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9640	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR9024NTRR	-	RFQ	9291	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	55 v	11A（TC）	10V	175mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
irfu310pbf	1.4900	RFQ	8291	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU310	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu310pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
NDS8426A	-	RFQ	3734	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS842	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	10.5a（ta）	2.7V，4.5V	13.5MOHM @ 10.5A，4.5V	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±8V	2150 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
APTC80DA15T1G	-	RFQ	1020	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	28a（TC）	10V	150mohm @ 14a，10v	3.9V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±30V	4507 PF @ 25 V	-	277W（TC）
NTMS4935NR2G	-	RFQ	9361	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS49	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	52.1 NC @ 10 V	±20V	3639 PF @ 25 V	-	810MW（TA）
IPI70R950CE	1.0000	RFQ	8674	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载						0000.00.0000	1	n通道	700 v	7.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150mA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	68W（TC）
IRFP31N50LPBF	7.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP31	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP31N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	31a（TC）	10V	180mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	460W（TC）
SI4386DY-T1-E3	1.4000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
MMSF3P02HDR2	-	RFQ	2037	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MMSF3P	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	5.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²