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单FET，MOSFET（（44971）

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mmftn3479kw	-	RFQ	1468	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MMFTN3479KWTR		8541.21.0000	1	n通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 10 V	-	900MW（TA）
BUK764R0-75C，118	-	RFQ	3739	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
TK4P50D（t6rss-Q）	-	RFQ	2672	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P50	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		TK4P50DT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	4A（ta）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.4V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	80W（TC）
TSM10N60CI C0	-	RFQ	3796	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
BUK9Y21-40E，115	0.7000	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y21	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	33A（TC）	5V	17mohm @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	7 NC @ 5 V	±10V	824 PF @ 25 V	-	45W（TC）
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STH270N8F7-6	5.3600	RFQ	8204	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH270	MOSFET （金属 o化物）	h²pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13874-2	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
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IRF630NSPBF	1.0000	RFQ	4978	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
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TPC8067-H，LQ（s	-	RFQ	9337	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8067	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DMTH10H032SPSW-13	0.2451	RFQ	6078	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8（type UX）	下载				31-DMTH10H032SPSW-13	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	25A（TC）	10V	32MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	544 pf @ 50 V	-	3.2W（TA）
PHB152NQ03LTA，118	-	RFQ	2282	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB15	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	25 v	75A（TC）	5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	36 NC @ 5 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	150W（TC）
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IXFP72N30x3M	10.2500	RFQ	147	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP72	MOSFET （金属 o化物）	TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	36W（TC）
BSP89 E6327	-	RFQ	8535	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	240 v	350mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.8V @ 108µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BUK7Y113-100EX	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	12A（TC）	10V	113MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	10.4 NC @ 10 V	±20V	601 PF @ 25 V	-	45W（TC）
IPW60R165CPFKSA1	6.7600	RFQ	228	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R165	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	21a（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	192W（TC）
SIS626DN-T1-GE3	-	RFQ	6642	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS626	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	16A（TC）	2.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	1.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±12V	1925 PF @ 15 V	-	52W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²