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![]() | SPS03N60C3 | - | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | SPS03N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO251-3-11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000235877 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 3.2A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 2A,10V | 3.9V @ 135µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W(TC) | ||
![]() | SI7342DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7342 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 8.25mohm @ 15a,10v | 1.8V @ 250µA | 19 nc @ 4.5 V | ±12V | 1900 pf @ 15 V | - | 1.8W(TA) | |||
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![]() | IRF7524D1PBF | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | Infineon技术 | Fetky™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MOSFET (金属 o化物) | micro8™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | P通道 | 20 v | 1.7A(TA) | 2.7V,4.5V | 270MOHM @ 1.2A,4.5V | 700mv @ 250µA(250µA)) | 8.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 240 pf @ 15 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.25W(TA) | ||||
![]() | NVMFS5C430NWFT3G | - | ![]() | 8753 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 40 V | 185a(TC) | 10V | 1.7MOHM @ 50a,10v | 3.5V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 3300 PF @ 25 V | - | 3.8W(TA),106W(tc) | ||
![]() | SI3438DV-T1-E3 | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3438 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 7.4A(TC) | 4.5V,10V | 35.5MOHM @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 20 V | - | 2W(ta),3.5W(TC) | |||
![]() | IPB65R230CFD7AATMA1 | 3.7800 | ![]() | 9580 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB65R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 230MOHM @ 5.2A,10V | 4.5V @ 260µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1044 PF @ 400 V | - | 63W(TC) | ||
![]() | IRFZ48VPBF | - | ![]() | 2424 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 72A(TC) | 10V | 12MOHM @ 43A,10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 1985 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
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![]() | FQPF5P20 | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 200 v | 3.4A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.7A,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 pf @ 25 V | - | 38W(TC) | ||
![]() | FDC640P | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | FDC640 | MOSFET (金属 o化物) | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A(ta) | 2.5V,4.5V | 53MOHM @ 4.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | ±12V | 890 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA) | ||
![]() | irfbe30strr | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 800 v | 4.1A(TC) | 10V | 3ohm @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | |||
IRF9Z34PBF | 1.8300 | ![]() | 745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9Z34 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF9Z34PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 60 V | 18A(TC) | 10V | 140mohm @ 11a,10v | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 25 V | - | 88W(TC) | |||
![]() | AOTF42S60L | 6.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF42 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 39A(TC) | 10V | 99mohm @ 21a,10v | 3.8V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2154 PF @ 100 V | - | 37.9W(TC) |
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