SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO033N03MSGXUMA1 1.5600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) BSO033 MOSFET (金属 o化物) PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 17A(TA) 4.5V,10V 3.3mohm @ 22a,10v 2V @ 250µA 124 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 15 V - 1.56W(TA)
IXFH40N30Q IXYS IXFH40N30Q -
RFQ
ECAD 1537年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH40 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFH40N30Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a(TC) 10V 80Mohm @ 500mA,10V 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 300W(TC)
NVMFS5C410NLWFT1G onsemi NVMFS5C410NLWFT1G -
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 48A(TA),315a (TC) 4.5V,10V 0.9MOHM @ 50a,10v 2V @ 250µA 143 NC @ 10 V ±20V 8862 PF @ 25 V - 3.8W(TA),167W(TC)
SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C〜150°C(TA) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIHD12 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 550 v 10.5A(TC) 10V 380MOHM @ 6A,10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 886 pf @ 100 V - 114W(TC)
SMP3003-DL-E onsemi smp3003-dl-e -
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Smp3003 MOSFET (金属 o化物) SMP-FD - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 75 v 100A(TA) 8mohm @ 50a,10v - 280 NC @ 10 V 13400 PF @ 20 V - 90W(TC)
FDU8896 onsemi FDU8896 -
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FDU88 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 30 V 17a(17a),94A(tc) 4.5V,10V 5.7MOHM @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W(TC)
NVTFS4C13NWFTAG onsemi NVTFS4C13NWFTAG 1.3200
RFQ
ECAD 7301 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NVTFS4 MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 14A(TA) 4.5V,10V 9.4mohm @ 30a,10v 2.1V @ 250µA 15.2 NC @ 10 V ±20V 770 pf @ 15 V - (3W)(26W)(26W)TC)
RJK60S5DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK60S5DPP-E0 #T2 14.8000
RFQ
ECAD 226 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 600 v 20A(TC) 178mohm @ 10a,10v - 27 NC @ 10 V 1600 pf @ 25 V - 33.7W(TC)
AON7421 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7421 1.1200
RFQ
ECAD 256 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn AON742 MOSFET (金属 o化物) 8-DFN-EP(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 30a(30a),50a(tc) 2.5V,10V 4.6mohm @ 20a,10v 1.2V @ 250µA 114 NC @ 10 V ±12V 4550 pf @ 10 V - 6.2W(ta),83W(tc)
FDB024N06 Fairchild Semiconductor FDB024N06 -
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n通道 60 V 120A(TC) 10V 2.4MOHM @ 75A,10V 4.5V @ 250µA 226 NC @ 10 V ±20V 14885 PF @ 25 V - 395W(TC)
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1 2.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSC030 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 100A(TC) 6V,10V 3mohm @ 50a,10v 3.8V @ 95µA 76 NC @ 10 V ±20V 5600 PF @ 40 V - 2.5W(ta),139w(tc)
SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60AE-GE3 7.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 43A(TC) 10V 65MOHM @ 24A,10V 4V @ 250µA 182 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 100 V - 313W(TC)
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1 9.8900
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 Infineon技术 Optimos™-5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB048 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 150 v 120A(TC) 10V 4.8mohm @ 100a,10v 4.9V @ 255µA 84 NC @ 10 V ±20V 380 pf @ 75 V - 313W(TC)
IRF200S234 Infineon Technologies IRF200S234 -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF200 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 90A(TC) 10V 16.9MOHM @ 51A,10V 5V @ 250µA 162 NC @ 10 V ±20V 6484 pf @ 50 V - 417W(TC)
BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y6R0-60E,115 1.6500
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 buk9y6 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 100A(TC) 5V 5.2MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 39.4 NC @ 5 V ±10V 6319 PF @ 25 V - (195W)(TC)
IPS09N03LA G Infineon Technologies IPS09N03LA g -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK IPS09N MOSFET (金属 o化物) PG-TO251-3-11 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 50A(TC) 4.5V,10V 8.8mohm @ 30a,10v 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ±20V 1642 PF @ 15 V - 63W(TC)
SPS03N60C3 Infineon Technologies SPS03N60C3 -
RFQ
ECAD 5584 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK SPS03N MOSFET (金属 o化物) PG-TO251-3-11 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000235877 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 3.2A(TC) 10V 1.4OHM @ 2A,10V 3.9V @ 135µA 17 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 25 V - 38W(TC)
SI7342DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7342DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7342 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 8.25mohm @ 15a,10v 1.8V @ 250µA 19 nc @ 4.5 V ±12V 1900 pf @ 15 V - 1.8W(TA)
IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies IRFS7530TRLPBF 3.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Infineon技术 hexfet®,strongirfet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFS7530 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 195a(TC) 6V,10V 2MOHM @ 100A,10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 V ±20V 13703 PF @ 25 V - 375W(TC)
IRF7524D1PBF Infineon Technologies IRF7524D1PBF -
RFQ
ECAD 3378 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MOSFET (金属 o化物) micro8™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 80 P通道 20 v 1.7A(TA) 2.7V,4.5V 270MOHM @ 1.2A,4.5V 700mv @ 250µA(250µA)) 8.2 NC @ 4.5 V ±12V 240 pf @ 15 V Schottky 二极管(孤立) 1.25W(TA)
NVMFS5C430NWFT3G onsemi NVMFS5C430NWFT3G -
RFQ
ECAD 8753 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 185a(TC) 10V 1.7MOHM @ 50a,10v 3.5V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 3.8W(TA),106W(tc)
SI3438DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3438DV-T1-E3 1.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3438 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 7.4A(TC) 4.5V,10V 35.5MOHM @ 5A,10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 640 pf @ 20 V - 2W(ta),3.5W(TC)
IPB65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R230CFD7AATMA1 3.7800
RFQ
ECAD 9580 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB65R MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 11A(TC) 10V 230MOHM @ 5.2A,10V 4.5V @ 260µA 23 NC @ 10 V ±20V 1044 PF @ 400 V - 63W(TC)
IRFZ48VPBF Infineon Technologies IRFZ48VPBF -
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 72A(TC) 10V 12MOHM @ 43A,10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 1985 pf @ 25 V - 150W(TC)
MMBF170-7-F Diodes Incorporated MMBF170-7-F 0.3800
RFQ
ECAD 3838 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF170 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 500mA(ta) 4.5V,10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 250µA ±20V 40 pf @ 10 V - 300MW(TA)
FQPF5P20 onsemi FQPF5P20 -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 200 v 3.4A(TC) 10V 1.4OHM @ 1.7A,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 pf @ 25 V - 38W(TC)
FDC640P onsemi FDC640P 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDC640 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.5A(ta) 2.5V,4.5V 53MOHM @ 4.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 13 NC @ 4.5 V ±12V 890 pf @ 10 V - 1.6W(TA)
IRFBE30STRR Vishay Siliconix irfbe30strr -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBE30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 4.1A(TC) 10V 3ohm @ 2.5A,10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 125W(TC)
IRF9Z34PBF Vishay Siliconix IRF9Z34PBF 1.8300
RFQ
ECAD 745 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9Z34 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF9Z34PBF Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 18A(TC) 10V 140mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 88W(TC)
AOTF42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF42S60L 6.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 AMOS™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 AOTF42 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 39A(TC) 10V 99mohm @ 21a,10v 3.8V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 2154 PF @ 100 V - 37.9W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库