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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXKH30N60C5 | - | ![]() | 3240 | 0.00000000 | ixys | coolmos™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXKH30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 125mohm @ 16a,10v | 3.5V @ 1.1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 2500 pf @ 10 V | - | - | ||
![]() | FCP290N80 | 4.9000 | ![]() | 3575 | 0.00000000 | Onmi | SuperFet®II | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FCP290 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 17a(TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A,10V | 4.5V @ 1.7mA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 3205 PF @ 100 V | - | 212W(TC) | ||
![]() | ipuh6n03la g | - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | ipuh6n | MOSFET (金属 o化物) | P-TO251-3-1 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 25 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 6.2MOHM @ 50a,10v | 2V @ 30µA | 19 nc @ 5 V | ±20V | 2390 pf @ 15 V | - | 71W(TC) | |||
![]() | TK100E06N1,S1X | 2.7500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TK100E06 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 100A(TA) | 10V | 2.3MOHM @ 50a,10v | 4V @ 1mA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 30 V | - | 255W(TC) | |||
![]() | IRF6628TRPBF | - | ![]() | 3980 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | DirectFet™等距MX | MOSFET (金属 o化物) | DirectFet™MX | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n通道 | 25 v | 27A(27A),160a (TC) | 4.5V,10V | 2.5MOHM @ 27a,10v | 2.35V @ 100µA | 47 NC @ 4.5 V | ±20V | 3770 pf @ 15 V | - | 2.8W(ta),96w(tc) | ||||
![]() | SSS1N60B | 0.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 1A(TJ) | 10V | 12ohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 V | ±30V | 215 pf @ 25 V | - | 17W(TC) | |||
![]() | AONT32136C | 0.0998 | ![]() | 1252 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | AONT321 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONT32136CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 8a(8a) | 2.5V,4.5V | 22MOHM @ 8A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 V | ±12V | 660 pf @ 10 V | - | 2.7W(TA) | ||
![]() | NTMFS4946NT1G | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4946 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 12.7A(TA),100A(tc) | 4.5V,11.5V | 3.4mohm @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 53 NC @ 11.5 V | ±20V | 3250 pf @ 12 V | - | 890MW(TA),55.5W(tc) | ||
![]() | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SO-8DC | 下载 | (1 (无限) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 64.6a(ta),56.7a(tc) | 7.5V,10V | 17.7mohm @ 20a,10v | 4.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1516 PF @ 75 V | - | 6.25W(TA),125W((((((((((( | ||||
![]() | irfu024pbf | 1.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IRFU024 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *irfu024pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 60 V | 14A(TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||
![]() | IRFU3706 | - | ![]() | 9878 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | IPAK(TO-251AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU3706 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 20 v | 75A(TC) | 2.8V,10V | 9mohm @ 15a,10v | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 V | ±12V | 2410 pf @ 10 V | - | 88W(TC) | ||
IPW60R060C7XKSA1 | 10.8500 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | Coolmos™C7 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IPW60R060 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001385020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 35A(TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a,10v | 4V @ 800µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 2850 PF @ 400 V | - | 162W(TC) | ||
![]() | FDMS8560S | - | ![]() | 2883 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PoterTrench®,SyncFet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS85 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pqfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n通道 | 25 v | (30a)(ta),70a tc)(TC) | 4.5V,10V | 1.8mohm @ 30a,10v | 2.2V @ 1mA | 68 NC @ 10 V | ±12V | 4350 pf @ 13 V | - | 2.5W(TA),65W(tc) | ||
![]() | BUK954R4-40B,127 | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 4mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 64 NC @ 5 V | ±15V | 7124 PF @ 25 V | - | 254W(TC) | |||
![]() | IRFR3303CPBF | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 30 V | 33A(TC) | 10V | 31mohm @ 18a,10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 750 pf @ 25 V | - | 57W(TC) | ||||
![]() | STW7N90K5 | 3.0700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW7N90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-17081 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 900 v | 7A(TC) | 10V | - | 5V @ 100µA | ±30V | - | 110W(TC) | |||
![]() | IRF1010ZSTRLPBF | 2.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF1010 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 7.5MOHM @ 75A,10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | ||
IRF744 | - | ![]() | 9080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF744 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF744 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 8.8A(TC) | 10V | 630MOHM @ 5.3A,10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 1400 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||
![]() | IRFB4610 | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFB4610 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 73A(TC) | 10V | 14mohm @ 44a,10v | 4V @ 100µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 3550 pf @ 50 V | - | 190w(TC) | ||
DMP3028LPSQ-7 | - | ![]() | 8394 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 初步的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DMP3028 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 21a(TC) | 4.5V,10V | 28mohm @ 7a,10v | 2.4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1372 PF @ 15 V | - | 1.28W | |||
![]() | IPB80N06S208ATMA1 | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 10V | 7.7MOHM @ 58A,10V | 4V @ 150µA | 96 NC @ 10 V | ±20V | 2860 pf @ 25 V | - | 215W(TC) | ||
![]() | XP152A12C0MR | 0.2664 | ![]() | 1428 | 0.00000000 | 托雷克斯半导体有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | XP152A | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 700mA(TA) | 2.5V,4.5V | 300MOHM @ 400mA,4.5V | - | ±12V | 180 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||
![]() | SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira52 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 15A,10V | 2.4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | +20V,-16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W(TC) | |||
AOW20S60 | 1.7111 | ![]() | 3533 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 4.1V @ 250µA | 19.8 NC @ 10 V | ±30V | 1038 PF @ 100 V | - | 266W(TC) | |||
![]() | FQB16N25CTM | 0.8100 | ![]() | 845 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(TO-263) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 250 v | 15.6A(TC) | 10V | 270MOHM @ 7.8A,10V | 4V @ 250µA | 53.5 NC @ 10 V | ±30V | 1080 pf @ 25 V | - | 3.13W(TA),139w(tc) | |||||
![]() | NTB125N02RT4 | - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Onmi | * | (CT) | 过时的 | NTB12 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||
![]() | SCH1439-TL-W | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | Sch143 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-563/SCH6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 3.5A(ta) | 4V,10V | 72MOHM @ 1.5A,10V | 2.6V @ 1mA | 5.6 NC @ 10 V | ±20V | 280 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||
![]() | EPC2031engrt | - | ![]() | 8490 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | EPC20 | ganfet(n化岩) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 500 | n通道 | 60 V | 31a(ta) | 5V | 2.6mohm @ 30a,5v | 2.5V @ 15mA | 17 NC @ 5 V | +6V,-4V | 1800 PF @ 300 V | - | - | ||
![]() | TK60S10N1L,LXHQ | 1.5800 | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TK60S10 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 60a(ta) | 6V,10V | 6.11MOHM @ 30a,10v | 3.5V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 4320 PF @ 10 V | - | 180W(TC) | ||||
![]() | auirlr024ztrl | 1.0000 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 国际整流器 | 汽车,AEC-Q101,Hexfet® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 55 v | 16A(TC) | 58mohm @ 9.6a,10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 V | ±16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W(TC) |
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