SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IXKH30N60C5 IXYS IXKH30N60C5 -
RFQ
ECAD 3240 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXKH30 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A(TC) 10V 125mohm @ 16a,10v 3.5V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 10 V - -
FCP290N80 onsemi FCP290N80 4.9000
RFQ
ECAD 3575 0.00000000 Onmi SuperFet®II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FCP290 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 17a(TC) 10V 290MOHM @ 8.5A,10V 4.5V @ 1.7mA 75 NC @ 10 V ±20V 3205 PF @ 100 V - 212W(TC)
IPUH6N03LA G Infineon Technologies ipuh6n03la g -
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA ipuh6n MOSFET (金属 o化物) P-TO251-3-1 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 50A(TC) 4.5V,10V 6.2MOHM @ 50a,10v 2V @ 30µA 19 nc @ 5 V ±20V 2390 pf @ 15 V - 71W(TC)
TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X 2.7500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TK100E06 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 100A(TA) 10V 2.3MOHM @ 50a,10v 4V @ 1mA 140 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 30 V - 255W(TC)
IRF6628TRPBF Infineon Technologies IRF6628TRPBF -
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距MX MOSFET (金属 o化物) DirectFet™MX 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,800 n通道 25 v 27A(27A),160a (TC) 4.5V,10V 2.5MOHM @ 27a,10v 2.35V @ 100µA 47 NC @ 4.5 V ±20V 3770 pf @ 15 V - 2.8W(ta),96w(tc)
SSS1N60B Fairchild Semiconductor SSS1N60B 0.1400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 1A(TJ) 10V 12ohm @ 500mA,10v 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 215 pf @ 25 V - 17W(TC)
AONT32136C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONT32136C 0.0998
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 AONT321 MOSFET (金属 o化物) 6-DFN(2x2) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONT32136CTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 8a(8a) 2.5V,4.5V 22MOHM @ 8A,4.5V 1.25V @ 250µA 14 NC @ 4.5 V ±12V 660 pf @ 10 V - 2.7W(TA)
NTMFS4946NT1G onsemi NTMFS4946NT1G -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4946 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 12.7A(TA),100A(tc) 4.5V,11.5V 3.4mohm @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 53 NC @ 11.5 V ±20V 3250 pf @ 12 V - 890MW(TA),55.5W(tc)
SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-RE3 2.5200
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SO-8DC 下载 (1 (无限) 742-SIDR622DP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 64.6a(ta),56.7a(tc) 7.5V,10V 17.7mohm @ 20a,10v 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1516 PF @ 75 V - 6.25W(TA),125W(((((((((((
IRFU024PBF Vishay Siliconix irfu024pbf 1.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRFU024 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irfu024pbf Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 14A(TC) 10V 100mohm @ 8.4a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
IRFU3706 Infineon Technologies IRFU3706 -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) IPAK(TO-251AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU3706 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 20 v 75A(TC) 2.8V,10V 9mohm @ 15a,10v 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 V ±12V 2410 pf @ 10 V - 88W(TC)
IPW60R060C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R060C7XKSA1 10.8500
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IPW60R060 MOSFET (金属 o化物) pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001385020 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 35A(TC) 10V 60mohm @ 15.9a,10v 4V @ 800µA 68 NC @ 10 V ±20V 2850 PF @ 400 V - 162W(TC)
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
ECAD 2883 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®,SyncFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS85 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 n通道 25 v (30a)(ta),70a tc)(TC) 4.5V,10V 1.8mohm @ 30a,10v 2.2V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±12V 4350 pf @ 13 V - 2.5W(TA),65W(tc)
BUK954R4-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK954R4-40B,127 -
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 4.5V,10V 4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 64 NC @ 5 V ±15V 7124 PF @ 25 V - 254W(TC)
IRFR3303CPBF Infineon Technologies IRFR3303CPBF -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 33A(TC) 10V 31mohm @ 18a,10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 750 pf @ 25 V - 57W(TC)
STW7N90K5 STMicroelectronics STW7N90K5 3.0700
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW7N90 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17081 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 7A(TC) 10V - 5V @ 100µA ±30V - 110W(TC)
IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF1010ZSTRLPBF 2.0900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF1010 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7.5MOHM @ 75A,10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 25 V - 140W(TC)
IRF744 Vishay Siliconix IRF744 -
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF744 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF744 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 8.8A(TC) 10V 630MOHM @ 5.3A,10V 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 125W(TC)
IRFB4610 Infineon Technologies IRFB4610 -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFB4610 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 73A(TC) 10V 14mohm @ 44a,10v 4V @ 100µA 140 NC @ 10 V ±20V 3550 pf @ 50 V - 190w(TC)
DMP3028LPSQ-7 Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-7 -
RFQ
ECAD 8394 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 初步的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 DMP3028 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 21a(TC) 4.5V,10V 28mohm @ 7a,10v 2.4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1372 PF @ 15 V - 1.28W
IPB80N06S208ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S208ATMA1 -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 7.7MOHM @ 58A,10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 V ±20V 2860 pf @ 25 V - 215W(TC)
XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd XP152A12C0MR 0.2664
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 托雷克斯半导体有限公司 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 XP152A MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 700mA(TA) 2.5V,4.5V 300MOHM @ 400mA,4.5V - ±12V 180 pf @ 10 V - 500MW(TA)
SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA52DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira52 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 1.7MOHM @ 15A,10V 2.4V @ 250µA 150 NC @ 10 V +20V,-16V 7150 pf @ 20 V - 48W(TC)
AOW20S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW20S60 1.7111
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 AMOS™ 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA AOW20 MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 20A(TC) 10V 199mohm @ 10a,10v 4.1V @ 250µA 19.8 NC @ 10 V ±30V 1038 PF @ 100 V - 266W(TC)
FQB16N25CTM Fairchild Semiconductor FQB16N25CTM 0.8100
RFQ
ECAD 845 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK(TO-263) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 250 v 15.6A(TC) 10V 270MOHM @ 7.8A,10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 3.13W(TA),139w(tc)
NTB125N02RT4 onsemi NTB125N02RT4 -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Onmi * (CT) 过时的 NTB12 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
SCH1439-TL-W onsemi SCH1439-TL-W -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 Sch143 MOSFET (金属 o化物) SOT-563/SCH6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 3.5A(ta) 4V,10V 72MOHM @ 1.5A,10V 2.6V @ 1mA 5.6 NC @ 10 V ±20V 280 pf @ 10 V - 1W(ta)
EPC2031ENGRT EPC EPC2031engrt -
RFQ
ECAD 8490 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 EPC20 ganfet(n化岩) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 500 n通道 60 V 31a(ta) 5V 2.6mohm @ 30a,5v 2.5V @ 15mA 17 NC @ 5 V +6V,-4V 1800 PF @ 300 V - -
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L,LXHQ 1.5800
RFQ
ECAD 1308 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK60S10 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 60a(ta) 6V,10V 6.11MOHM @ 30a,10v 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 180W(TC)
AUIRLR024ZTRL International Rectifier auirlr024ztrl 1.0000
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 国际整流器 汽车,AEC-Q101,Hexfet® 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 55 v 16A(TC) 58mohm @ 9.6a,10V 3V @ 250µA 9.9 NC @ 5 V ±16V 380 pf @ 25 V - 35W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库