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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FCP360N65S3R0	2.7700	RFQ	431	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP360	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FCP360N65S3R0-488	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	83W（TC）
MMDF2P01HDR2	0.1400	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NTR3C21NZT3G	0.4200	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR3C21	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	17.8 NC @ 4.5 V	±8V	1540 pf @ 16 V	-	470MW（TA）
di008n09平方	0.5290	RFQ	3511	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI008N09SQTR		8541.21.0000	4,000	n通道		8a								2W
YJG130G04A	0.5890	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJG130G04ATR	Ear99		5,000
IXFR40N50Q2	-	RFQ	6387	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR40	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	29A（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4200 PF @ 25 V	-	320W（TC）
NTD24N06G	-	RFQ	8374	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD24	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	24A（24A）	10V	42mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	1.36W（TA），62.5W（tj）
STD150N2LH5	-	RFQ	1026	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	STD15	-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	-		-		-	-				-	-
IRL7833STRLPBF	2.3700	RFQ	1334	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL7833	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 38a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4170 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IQE008N03LM5ATMA1	2.6800	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE008N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	27a（27A），253a（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±16V	5700 PF @ 15 V	-	2.1W（TA），89W（tc）
IXTA24P085T	2.8200	RFQ	5	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta24	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	85 v	24A（TC）	10V	65mohm @ 12a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±15V	2090 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FDP2552	2.2600	RFQ	759	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP25	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	5A（5A），37A （TC）	6V，10V	36mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
ZXMN3A02X8TC	-	RFQ	6969	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 12a，10v	1V @ 250µA	26.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
IRFIB6N60A	-	RFQ	1946年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB6N60A	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	5.5A（TC）	10V	750MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IXFH120N25T	12.9570	RFQ	4685	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	120A（TC）	10V	23mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	11300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRL3103D1PBF	-	RFQ	8288	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D1PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	2W（ta），89w（tc）
HUF75345S3ST_NL	1.0000	RFQ	4487	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	130W（TC）
FDA20N50	3.1900	RFQ	80	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	22a（TC）		230mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	59.5 NC @ 10 V		3120 PF @ 25 V	-
HUF76121S3	0.4400	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的							-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NTMFS4935NT1G	-	RFQ	7076	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4935	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	13a（13A），93A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 15 V	-	930MW（TA），48W （TC）
DMN3024LK3-13	0.5500	RFQ	5106	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN3024	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	9.78a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	12.9 NC @ 10 V	±20V	608 pf @ 15 V	-	2.17W（TA）
IRLS4030pbf	-	RFQ	5280	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568730	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
NTMFS5C404NLT3G	3.3250	RFQ	1644年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	52A（TA），370A （TC）	4.5V，10V	0.75MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12168 PF @ 25 V	-	3.2W（TA），167W（tc）
PJA3436-AU_R1_000A1	0.3300	RFQ	8	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3436	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA3436-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	1.2A（TA）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	0.9 NC @ 4.5 V	±12V	39 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IXTT110N10L2-TRL	21.5000	RFQ	370	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT110	MOSFET （金属 o化物）	TO-268（IXTT）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	100 v	110A（TC）	10V	18mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
DMNH6012SPSQ-13	1.5400	RFQ	4	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6012	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 V	±20V	1926 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
IRFSL7430pbf	-	RFQ	1788年	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFSL7430	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557608	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	195a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
DMP1008UCB9-7	0.3007	RFQ	8938	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，Wlbga	DMP1008	MOSFET （金属 o化物）	U-WLB1515-9	下载			到达不受影响	31-DMP1008UCB9-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	9.8A（ta）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.1V @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 V	-6V	900 pf @ 4 V	-	840MW（TA）
APT31N60BCSG	-	RFQ	2826	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	31a（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	85 NC @ 10 V	±30V	3055 pf @ 25 V	-	255W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²