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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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AO4454	-	RFQ	8390	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	6.5A（TA）	7V，10V	36mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	1450 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
SPU03N60C3	1.0000	RFQ	1178	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
BUK761R6-40E，118	1.9362	RFQ	6380	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK761	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	145 NC @ 10 V	±20V	11340 pf @ 25 V	-	349W（TC）
SI4386DY-T1-E3	1.4000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
FDD6680AS	-	RFQ	4524	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD668	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	55A（ta）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 15 V	-	60W（TA）
IRL3102L	-	RFQ	6155	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL3102	MOSFET （金属 o化物）	TO-262-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3102L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
WPB4001-1E	-	RFQ	5381	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	WPB40	MOSFET （金属 o化物）	TO-3P-3L	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	26a（26a）	10V	260MOHM @ 13A，10V	-	87 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 30 V	-	2.5W（220W）（220W）TC）
DMN6040SK3-13	0.6400	RFQ	9632	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN6040	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1287 PF @ 25 V	-	42W（TC）
Stu5N65M6	0.6486	RFQ	4198	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu5n65	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	3.75V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±25V	170 pf @ 100 V	-	45W（TC）
sihu7n60e-e3	0.9441	RFQ	1371	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu7	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
BUK725R0-40C，118	-	RFQ	6477	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	75A（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3820 pf @ 25 V	-	157W（TC）
IRFZ44STRL	-	RFQ	2206	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
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RCX081N20	1.1200	RFQ	173	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX081	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	8A（TC）	10V	770MOHM @ 4A，10V	5.25V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	2.23W（ta），40W（TC）
IRFS7734TRLPBF	3.0400	RFQ	797	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7734	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	183A（TC）	6V，10V	3.5MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10150 pf @ 25 V	-	290W（TC）
SISH101DN-T1-GE3	0.7700	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH101	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	16.9a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±25V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
G9435S	0.4400	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	4,000	P通道	30 V	5.1a（ta）	4.5V，10V	55mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
5LP01C-TB-H	-	RFQ	6073	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	5LP01	MOSFET （金属 o化物）	SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
FCH099N65S3-F155	7.4200	RFQ	425	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH099	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	650 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.5V @ 3mA	61 NC @ 10 V	±30V	2480 pf @ 400 V	-	227W（TC）
FDB3632	3.1600	RFQ	5096	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB363	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
RF4E075ATTCR	0.6500	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	RF4E075	MOSFET （金属 o化物）	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	7.5A（ta）	4.5V，10V	21.7MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRLR014NPBF	-	RFQ	9654	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道	55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	1V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
BSP318SH6327XTSA1	0.9300	RFQ	8815	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP318	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	2.6A（TJ）	4.5V，10V	90MOHM @ 2.6a，10V	2V @ 20µA	20 nc @ 10 V	±20V	380 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRL510pbf	1.3500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL510pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
MCT06P02-TP	-	RFQ	9251	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MCT06	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	-				353-MCT06P02-TP	Ear99	8541.29.0095	1	P通道	20 v	6a	2.5V，4.5V	60mohm @ 6a，4.5V	900mv @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	740 pf @ 4 V	-	3W
IPB60R360P7ATMA1	2.1100	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R360	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	9A（TC）	10V	360MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 pf @ 400 V	-	41W（TC）
IXFK24N100F	-	RFQ	9544	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	560W（TC）
MMBF2202PT1G	-	RFQ	6868	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMBF22	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3（SOT323）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	300mA（TA）	4.5V，10V	2.2OHM @ 200mA，10v	2.4V @ 250µA	2.7 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 5 V	-	150MW（TA）
RD3L01BATTL1	1.1600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3L01	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	10a（10a）	4.5V，10V	84mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15.2 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	26W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²