SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
STFU14N80K5 STMicroelectronics STFU14N80K5 2.0154
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFU14 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 12A(TC) 10V 445MOHM @ 6A,10V 5V @ 100µA 22 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 100 V - 30W(TC)
IXTA02N450HV IXYS ixta02n450hv -
RFQ
ECAD 3375 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta02 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 4500 v 200ma(tc) 10V 750OHM @ 10mA,10v 6.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ±20V 256 pf @ 25 V - 113W(TC)
BUK6D77-60EX Nexperia USA Inc. BUK6D77-60EX 0.5300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 BUK6D77 MOSFET (金属 o化物) DFN2020MD-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 3.4a(ta),10.6a(TC) 4.5V,10V 77MOHM @ 3.4A,10V 2.7V @ 250µA 9.2 NC @ 10 V ±20V 305 pf @ 30 V - 2W(TA),18.8W(TC)
STWA40N95DK5 STMicroelectronics STWA40N95DK5 16.6700
RFQ
ECAD 586 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DK5 管子 积极的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-247-3 STWA40 MOSFET (金属 o化物) TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17224 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 950 v 38A(TC) 10V 130mohm @ 19a,10v 5V @ 100µA 100 nc @ 10 V ±30V 3480 pf @ 100 V - 450W(TC)
HUF75345S3S onsemi HUF75345S3S -
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUF75 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W(TC)
FQP19N10L onsemi FQP19N10L -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP1 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 19a(tc) 5V,10V 100mohm @ 9.5a,10v 2V @ 250µA 18 nc @ 5 V ±20V 870 pf @ 25 V - 75W(TC)
BUK662R7-55C,118 NXP USA Inc. BUK662R7-55C,118 -
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 55 v 120A(TC) 10V 2.7MOHM @ 25A,10V 2.8V @ 1mA 258 NC @ 10 V ±16V 15300 PF @ 25 V - 306W(TC)
MTB10N40ET4 onsemi MTB10N40ET4 0.8700
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1
STB80NF55-08-1 STMicroelectronics STB80NF55-08-1 -
RFQ
ECAD 2299 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB80N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-3516-5 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 155 NC @ 10 V ±20V 3850 pf @ 25 V - 300W(TC)
FQP16N25C-F105 Fairchild Semiconductor FQP16N25C-F105 -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 - 0000.00.0000 250
IRFIZ48G Vishay Siliconix IRFIZ48G -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRFIZ48 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 37A(TC) 10V 18mohm @ 22a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 50W(TC)
IXFH54N65X3 IXYS IXFH54N65x3 12.6200
RFQ
ECAD 6490 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH54 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXFH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfh54N65x3 Ear99 8541.29.0095 300 n通道 650 v 54A(TC) 10V 59mohm @ 27a,10v 5.2V @ 4mA 49 NC @ 10 V ±20V 3360 pf @ 25 V - 625W(TC)
FCP850N80Z onsemi FCP850N80Z 2.9300
RFQ
ECAD 791 0.00000000 Onmi SuperFet®II 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FCP850 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 8A(TC) 10V 850MOHM @ 3A,10V 4.5V @ 600µA 29 NC @ 10 V ±20V 1315 PF @ 100 V - 136W(TC)
FQNLNSOCTA onsemi fqnlnsocta -
RFQ
ECAD 9076 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 fqnln - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FQNLNSOCTATR 1
DMP3028LFDE-7 Diodes Incorporated DMP3028LFDE-7 0.4400
RFQ
ECAD 235 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerudfn DMP3028 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(e) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 6.8a(ta) 4.5V,10V 32MOHM @ 7A,10V 2.4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1241 PF @ 15 V - 660MW(TA)
IRFB4321GPBF Infineon Technologies IRFB4321GPBF -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001556020 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 83A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4460 pf @ 25 V - 330W(TC)
STD7NK30Z STMicroelectronics STD7NK30Z -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD7 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 300 v 5A(TC) 10V 900mohm @ 2.5a,10v 4.5V @ 50µA 13 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 50W(TC)
PMZ290UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ290Nuneyl -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 MOSFET (金属 o化物) SOT-883 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 1A(1A) 1.8V,4.5V 380MOHM @ 500mA,4.5V 950mv @ 250µA 0.68 NC @ 4.5 V ±8V 83 pf @ 10 V - 360MW(TA),2.7W(TC)
MSJB11N80A-TP Micro Commercial Co MSJB11N80A-TP 7.4800
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 11A(TC) 10V 470MOHM @ 7.1A,10V 4.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 958 PF @ 400 V - 156W(TJ)
IXTA1R6N100D2 IXYS ixta1r6n100d2 3.2300
RFQ
ECAD 221 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta1 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 1.6A(TC) 10V 10ohm @ 800mA,0v - 27 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V 耗尽模式 100W(TC)
IRL640A onsemi IRL640A 1.7600
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRL640 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A(TC) 5V 180mohm @ 9a,5v 2V @ 250µA 56 NC @ 5 V ±20V 1705 PF @ 25 V - 110W(TC)
IXFK140N60X3 IXYS IXFK140N60X3 26.1024
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFK140 - 238-ixfk140n60x3 25
IXFH80N06 IXYS IXFH80N06 -
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXFH80 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 60 V 80A(TC) 10V - - ±20V - -
IRF620 Vishay Siliconix IRF620 -
RFQ
ECAD 7136 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF620 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 5.2A(TC) 10V 800MOHM @ 3.1A,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 260 pf @ 25 V - 50W(TC)
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix 2N6661JTVP02 -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N6661 MOSFET (金属 o化物) 到39 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA(tc) 5V,10V 4ohm @ 1A,10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - (725MW)(6.25W)TC)
FDS3670 Fairchild Semiconductor FDS3670 1.6700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 6.3a(ta) 6V,10V 32MOHM @ 6.3a,10V 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 2490 pf @ 50 V - 2.5W(TA)
DMN2053U-13 Diodes Incorporated DMN2053U-13 0.0699
RFQ
ECAD 4251 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN2053 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 6.5A(TA) 1.8V,10V 29mohm @ 6a,10v 1.2V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 V ±12V 414 pf @ 10 V - 800MW(TA)
STP4NK50ZFP STMicroelectronics STP4NK50ZFP -
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP4N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 3A(TC) 10V 2.7OHM @ 1.5A,10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 V ±30V 310 pf @ 25 V - 20W(TC)
FQP9N08 Fairchild Semiconductor FQP9N08 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 9.3A(TC) 10V 210MOHM @ 4.65a,10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±25V 250 pf @ 25 V - 40W(TC)
MCU20N06-TP Micro Commercial Co MCU20N06-TP -
RFQ
ECAD 6143 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MCU20 MOSFET (金属 o化物) D-pak - 353-MCU20N06-TP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 20a 10V 45mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 500 pf @ 30 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库