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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NVMFS5C673NLAFT1G	1.5000	RFQ	2056	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 35µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	46W（TC）
DMP6185SE-7	-	RFQ	9985	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DMP6185	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.2a，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	708 PF @ 30 V	-	1.2W（TA）
IXFN73N30Q	-	RFQ	7760	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	481W（TC）
BUK7240-100A，118	1.6800	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7240	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	34A（TC）	10V	40mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2293 PF @ 25 V	-	114W（TC）
STD90N03L-1	-	RFQ	1875年	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STD90	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	80A（TC）	5V，10V	5.7MOHM @ 40a，10V	1V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	2805 PF @ 25 V	-	95W（TC）
NTD110N02R-001G	-	RFQ	8108	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD110	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	24 V	12.5A（ta），110a （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.5W（TA），110W（tc）
IMYH200R012M1HXKSA1	169.1800	RFQ	185	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMYH200	SIC （硅碳化物交界晶体管）	pg-to247-4-U04	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道	2000 v	123A（TC）	15V，18V	16.5mohm @ 60a，18v	5.5V @ 48mA	246 NC @ 18 V	+20V，-7V		-	552W（TC）
DMT3009LFVWQ-7	0.2639	RFQ	4237	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	（12A）（ta），50a（tc）	3.8V，10V	11MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	823 pf @ 15 V	-	2.3W（35.7W）（35.7W（tc）
IRL3716S	-	RFQ	3243	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
IRF1010ZS	-	RFQ	8694	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010ZS	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BUK7506-55A，127	-	RFQ	5729	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	6.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA		±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
NVHL082N65S3F	9.3300	RFQ	8368	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL082	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-NVHL082N65S3F-488	Ear99	8541.29.0095	450	n通道	650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 4mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）
SIHK155N60E-T1-GE3	5.3300	RFQ	6952	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK155	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®10x12	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	19a（tc）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	156W（TC）
AOI444	0.2619	RFQ	5197	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI44	MOSFET （金属 o化物）	TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500	n通道	60 V	（4A）（12a （TC）	4.5V，10V	60mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	2.1W（TA），20W（20W）TC）
NTMFS4C032NT1G	-	RFQ	3206	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	（13A）（TA），38a tc（TC）	4.5V，10V	7.35mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	2.46W（TA），21.6W（tc）
SPI11N60C3XKSA1	-	RFQ	4849	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPD90N04S403ATMA1	1.8900	RFQ	5	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	90A（TC）	10V	3.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 53µA	66.8 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	94W（TC）
SI2347DS-T1-BE3	0.4300	RFQ	461	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SI2347DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.8A（ta），5a tc（5a tc）	4.5V，10V	42MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	705 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），1.7W（TC）
IRLR3303TRLPBF	-	RFQ	7962	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577002	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
FCH190N65F-F155	3.3400	RFQ	4300	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	66	n通道	650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 2mA	78 NC @ 10 V	±20V	3225 pf @ 100 V	-	208W（TC）
IRFR3504ZTR	-	RFQ	6012	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 50µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
AON6560	1.0107	RFQ	7361	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON656	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	84A（ta），200a（tc）	4.5V，10V	0.62Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	325 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 15 V	-	7.3W（ta），208W（tc）
NTB45N06LG	-	RFQ	2573	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB45	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	45A（TA）	5V	28mohm @ 22.5a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1700 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
IRFP90N20DPBF	7.9600	RFQ	7382	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP90	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	200 v	94A（TC）	10V	23mohm @ 56A，10V	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	6040 pf @ 25 V	-	580W（TC）
TSM240N03CX RFG	0.9000	RFQ	76	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM240	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
STFU15N80K5	4.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	14A（TC）	10V	375MOHM @ 7A，10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 100 V	-	35W（TC）
STP55NF06	1.6200	RFQ	37	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP55	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	110W（TC）
EPC2059	4.4500	RFQ	32	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	死	EPC20	ganfet（n化岩）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,500	n通道	170 v	24A（24A）	5V	9mohm @ 10a，5v	2.5V @ 3mA	7.4 NC @ 5 V	+6V，-4V	836 pf @ 85 V	-	-
SI2324-TP	-	RFQ	8934	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2324	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	-				353-SI2324-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	2a	4.5V，10V	234mohm @ 1.5A，10V	2.8V @ 250µA	5.8 NC @ 4.5 V	±20V	190 pf @ 50 V	-	1.2W
IRFTS8342TRPBF	0.5900	RFQ	4252	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRFTS8342	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	8.2a（ta）	4.5V，10V	19mohm @ 8.2a，10v	2.35V @ 25µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 25 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²