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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NVMFS5C673NLAFT1G | 1.5000 | ![]() | 2056 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 9.2MOHM @ 25A,10V | 2V @ 35µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 880 pf @ 25 V | - | 46W(TC) | ||
DMP6185SE-7 | - | ![]() | 9985 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | DMP6185 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 3A(3A) | 4.5V,10V | 150MOHM @ 2.2a,10V | 3V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 708 PF @ 30 V | - | 1.2W(TA) | |||
![]() | IXFN73N30Q | - | ![]() | 7760 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN73 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 300 v | 73A(TC) | 10V | 45mohm @ 500mA,10v | 4V @ 4mA | 195 NC @ 10 V | ±30V | 5400 PF @ 25 V | - | 481W(TC) | ||
![]() | BUK7240-100A,118 | 1.6800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | BUK7240 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 34A(TC) | 10V | 40mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | ±20V | 2293 PF @ 25 V | - | 114W(TC) | |||
![]() | STD90N03L-1 | - | ![]() | 1875年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | STD90 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 5V,10V | 5.7MOHM @ 40a,10V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 V | ±20V | 2805 PF @ 25 V | - | 95W(TC) | ||
![]() | NTD110N02R-001G | - | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | NTD110 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 24 V | 12.5A(ta),110a (TC) | 4.5V,10V | 4.6mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 V | ±20V | 3440 pf @ 20 V | - | 1.5W(TA),110W(tc) | |||
![]() | IMYH200R012M1HXKSA1 | 169.1800 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | IMYH200 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | pg-to247-4-U04 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 2000 v | 123A(TC) | 15V,18V | 16.5mohm @ 60a,18v | 5.5V @ 48mA | 246 NC @ 18 V | +20V,-7V | - | 552W(TC) | |||
![]() | DMT3009LFVWQ-7 | 0.2639 | ![]() | 4237 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | DMT3009 | MOSFET (金属 o化物) | PowerDi3333-8(SWP)类型ux | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 30 V | (12A)(ta),50a(tc) | 3.8V,10V | 11MOHM @ 14.4a,10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 823 pf @ 15 V | - | 2.3W(35.7W)(35.7W(tc) | ||
![]() | IRL3716S | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 20 v | 180a(TC) | 4.5V,10V | 4MOHM @ 90A,10V | 3V @ 250µA | 79 NC @ 4.5 V | ±20V | 5090 pf @ 10 V | - | 210W(TC) | |||
![]() | IRF1010ZS | - | ![]() | 8694 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF1010ZS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 7.5MOHM @ 75A,10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | ||
![]() | BUK7506-55A,127 | - | ![]() | 5729 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 6.3MOHM @ 25A,10V | 4V @ 1mA | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||
![]() | NVHL082N65S3F | 9.3300 | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,SuperFet®III,FRFET® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | NVHL082 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-NVHL082N65S3F-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 650 v | 40a(TC) | 10V | 82MOHM @ 20A,10V | 5V @ 4mA | 81 NC @ 10 V | ±30V | 3410 PF @ 400 V | - | 313W(TC) | |
![]() | SIHK155N60E-T1-GE3 | 5.3300 | ![]() | 6952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerbsfn | SIHK155 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®10x12 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 19a(tc) | 10V | 155mohm @ 10a,10v | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1514 PF @ 100 V | - | 156W(TC) | ||||
![]() | AOI444 | 0.2619 | ![]() | 5197 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI44 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n通道 | 60 V | (4A)(12a (TC) | 4.5V,10V | 60mohm @ 12a,10v | 3V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 30 V | - | 2.1W(TA),20W(20W)TC) | ||
![]() | NTMFS4C032NT1G | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | (13A)(TA),38a tc(TC) | 4.5V,10V | 7.35mohm @ 30a,10v | 2.1V @ 250µA | 15.2 NC @ 10 V | ±20V | 770 pf @ 15 V | - | 2.46W(TA),21.6W(tc) | ||
![]() | SPI11N60C3XKSA1 | - | ![]() | 4849 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI11N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 3.9V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | |||
![]() | IPD90N04S403ATMA1 | 1.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD90 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-313 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 10V | 3.2MOHM @ 90A,10V | 4V @ 53µA | 66.8 NC @ 10 V | ±20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W(TC) | ||
![]() | SI2347DS-T1-BE3 | 0.4300 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SI2347DS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(ta),5a tc(5a tc) | 4.5V,10V | 42MOHM @ 3.8A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 705 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA),1.7W(TC) | |||
![]() | IRLR3303TRLPBF | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001577002 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 35A(TC) | 4.5V,10V | 31mohm @ 21a,10v | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | |||
![]() | FCH190N65F-F155 | 3.3400 | ![]() | 4300 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | FRFET®,SuperFet®II | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 66 | n通道 | 650 v | 20.6A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 5V @ 2mA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 3225 pf @ 100 V | - | 208W(TC) | ||||||
![]() | IRFR3504ZTR | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 42A(TC) | 10V | 9mohm @ 42a,10v | 4V @ 50µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1510 PF @ 25 V | - | 90W(TC) | |||
AON6560 | 1.0107 | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON656 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 84A(ta),200a(tc) | 4.5V,10V | 0.62Mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 325 NC @ 10 V | ±20V | 11500 PF @ 15 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) | |||
![]() | NTB45N06LG | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NTB45 | MOSFET (金属 o化物) | D²Pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 45A(TA) | 5V | 28mohm @ 22.5a,5v | 2V @ 250µA | 32 NC @ 5 V | ±15V | 1700 PF @ 25 V | - | 2.4W(ta),125W(((((() | |||
![]() | IRFP90N20DPBF | 7.9600 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 200 v | 94A(TC) | 10V | 23mohm @ 56A,10V | 5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±30V | 6040 pf @ 25 V | - | 580W(TC) | ||
![]() | TSM240N03CX RFG | 0.9000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM240 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 345 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||
![]() | STFU15N80K5 | 4.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STFU15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 14A(TC) | 10V | 375MOHM @ 7A,10V | 5V @ 100µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | ||
STP55NF06 | 1.6200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 10V | 18mohm @ 27.5a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | |||
![]() | EPC2059 | 4.4500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | EPC20 | ganfet(n化岩) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n通道 | 170 v | 24A(24A) | 5V | 9mohm @ 10a,5v | 2.5V @ 3mA | 7.4 NC @ 5 V | +6V,-4V | 836 pf @ 85 V | - | - | ||
![]() | SI2324-TP | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2324 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | - | 353-SI2324-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 2a | 4.5V,10V | 234mohm @ 1.5A,10V | 2.8V @ 250µA | 5.8 NC @ 4.5 V | ±20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.2W | ||||
![]() | IRFTS8342TRPBF | 0.5900 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | IRFTS8342 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8.2a(ta) | 4.5V,10V | 19mohm @ 8.2a,10v | 2.35V @ 25µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ±20V | 560 pf @ 25 V | - | 2W(TA) |
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