SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
NVMFS5C673NLAFT1G onsemi NVMFS5C673NLAFT1G 1.5000
RFQ
ECAD 2056 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 50A(TC) 4.5V,10V 9.2MOHM @ 25A,10V 2V @ 35µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 880 pf @ 25 V - 46W(TC)
DMP6185SE-7 Diodes Incorporated DMP6185SE-7 -
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA DMP6185 MOSFET (金属 o化物) SOT-223-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 3A(3A) 4.5V,10V 150MOHM @ 2.2a,10V 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 708 PF @ 30 V - 1.2W(TA)
IXFN73N30Q IXYS IXFN73N30Q -
RFQ
ECAD 7760 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN73 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 73A(TC) 10V 45mohm @ 500mA,10v 4V @ 4mA 195 NC @ 10 V ±30V 5400 PF @ 25 V - 481W(TC)
BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7240-100A,118 1.6800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 BUK7240 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 34A(TC) 10V 40mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 2293 PF @ 25 V - 114W(TC)
STD90N03L-1 STMicroelectronics STD90N03L-1 -
RFQ
ECAD 1875年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA STD90 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 80A(TC) 5V,10V 5.7MOHM @ 40a,10V 1V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±20V 2805 PF @ 25 V - 95W(TC)
NTD110N02R-001G onsemi NTD110N02R-001G -
RFQ
ECAD 8108 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA NTD110 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 24 V 12.5A(ta),110a (TC) 4.5V,10V 4.6mohm @ 20a,10v 2V @ 250µA 28 NC @ 4.5 V ±20V 3440 pf @ 20 V - 1.5W(TA),110W(tc)
IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R012M1HXKSA1 169.1800
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 IMYH200 SIC (硅碳化物交界晶体管) pg-to247-4-U04 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 n通道 2000 v 123A(TC) 15V,18V 16.5mohm @ 60a,18v 5.5V @ 48mA 246 NC @ 18 V +20V,-7V - 552W(TC)
DMT3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT3009LFVWQ-7 0.2639
RFQ
ECAD 4237 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn DMT3009 MOSFET (金属 o化物) PowerDi3333-8(SWP)类型ux 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V (12A)(ta),50a(tc) 3.8V,10V 11MOHM @ 14.4a,10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 823 pf @ 15 V - 2.3W(35.7W)(35.7W(tc)
IRL3716S Infineon Technologies IRL3716S -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 20 v 180a(TC) 4.5V,10V 4MOHM @ 90A,10V 3V @ 250µA 79 NC @ 4.5 V ±20V 5090 pf @ 10 V - 210W(TC)
IRF1010ZS Infineon Technologies IRF1010ZS -
RFQ
ECAD 8694 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF1010ZS Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7.5MOHM @ 75A,10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 25 V - 140W(TC)
BUK7506-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7506-55A,127 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 10V 6.3MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA ±20V 6000 pf @ 25 V - 300W(TC)
NVHL082N65S3F onsemi NVHL082N65S3F 9.3300
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,SuperFet®III,FRFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 NVHL082 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 2156-NVHL082N65S3F-488 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 650 v 40a(TC) 10V 82MOHM @ 20A,10V 5V @ 4mA 81 NC @ 10 V ±30V 3410 PF @ 400 V - 313W(TC)
SIHK155N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK155N60E-T1-GE3 5.3300
RFQ
ECAD 6952 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerbsfn SIHK155 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®10x12 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 19a(tc) 10V 155mohm @ 10a,10v 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1514 PF @ 100 V - 156W(TC)
AOI444 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI444 0.2619
RFQ
ECAD 5197 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK AOI44 MOSFET (金属 o化物) TO-251A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,500 n通道 60 V (4A)(12a (TC) 4.5V,10V 60mohm @ 12a,10v 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 540 pf @ 30 V - 2.1W(TA),20W(20W)TC)
NTMFS4C032NT1G onsemi NTMFS4C032NT1G -
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V (13A)(TA),38a tc(TC) 4.5V,10V 7.35mohm @ 30a,10v 2.1V @ 250µA 15.2 NC @ 10 V ±20V 770 pf @ 15 V - 2.46W(TA),21.6W(tc)
SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPI11N60C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI11N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 7A,10V 3.9V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 125W(TC)
IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1 1.8900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD90 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-313 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 10V 3.2MOHM @ 90A,10V 4V @ 53µA 66.8 NC @ 10 V ±20V 5260 pf @ 25 V - 94W(TC)
SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2347DS-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SI2347DS-T1-BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 3.8A(ta),5a tc(5a tc) 4.5V,10V 42MOHM @ 3.8A,10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 705 pf @ 15 V - 1.2W(TA),1.7W(TC)
IRLR3303TRLPBF Infineon Technologies IRLR3303TRLPBF -
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001577002 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A(TC) 4.5V,10V 31mohm @ 21a,10v 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 V ±16V 870 pf @ 25 V - 68W(TC)
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 Fairchild半导体 FRFET®,SuperFet®II 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 Ear99 8542.39.0001 66 n通道 650 v 20.6A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 5V @ 2mA 78 NC @ 10 V ±20V 3225 pf @ 100 V - 208W(TC)
IRFR3504ZTR Infineon Technologies IRFR3504ZTR -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 42A(TC) 10V 9mohm @ 42a,10v 4V @ 50µA 45 NC @ 10 V ±20V 1510 PF @ 25 V - 90W(TC)
AON6560 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6560 1.0107
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-powersmd,平面线 AON656 MOSFET (金属 o化物) 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 84A(ta),200a(tc) 4.5V,10V 0.62Mohm @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 325 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 15 V - 7.3W(ta),208W(tc)
NTB45N06LG onsemi NTB45N06LG -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NTB45 MOSFET (金属 o化物) D²Pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 45A(TA) 5V 28mohm @ 22.5a,5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 1700 PF @ 25 V - 2.4W(ta),125W(((((()
IRFP90N20DPBF Infineon Technologies IRFP90N20DPBF 7.9600
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP90 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 94A(TC) 10V 23mohm @ 56A,10V 5V @ 250µA 270 NC @ 10 V ±30V 6040 pf @ 25 V - 580W(TC)
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX RFG 0.9000
RFQ
ECAD 76 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TSM240 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6.5A(TC) 4.5V,10V 24mohm @ 6a,10v 2.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 V ±20V 345 pf @ 25 V - 1.56W(TC)
STFU15N80K5 STMicroelectronics STFU15N80K5 4.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFU15 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 14A(TC) 10V 375MOHM @ 7A,10V 5V @ 100µA 32 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 100 V - 35W(TC)
STP55NF06 STMicroelectronics STP55NF06 1.6200
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP55 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 10V 18mohm @ 27.5a,10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 110W(TC)
EPC2059 EPC EPC2059 4.4500
RFQ
ECAD 32 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 EPC20 ganfet(n化岩) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 2,500 n通道 170 v 24A(24A) 5V 9mohm @ 10a,5v 2.5V @ 3mA 7.4 NC @ 5 V +6V,-4V 836 pf @ 85 V - -
SI2324-TP Micro Commercial Co SI2324-TP -
RFQ
ECAD 8934 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2324 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 - 353-SI2324-TP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 2a 4.5V,10V 234mohm @ 1.5A,10V 2.8V @ 250µA 5.8 NC @ 4.5 V ±20V 190 pf @ 50 V - 1.2W
IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF 0.5900
RFQ
ECAD 4252 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 IRFTS8342 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8.2a(ta) 4.5V,10V 19mohm @ 8.2a,10v 2.35V @ 25µA 4.8 NC @ 4.5 V ±20V 560 pf @ 25 V - 2W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库