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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
STFU14N80K5	2.0154	RFQ	2101	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU14	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	12A（TC）	10V	445MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
ixta02n450hv	-	RFQ	3375	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta02	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	4500 v	200ma（tc）	10V	750OHM @ 10mA，10v	6.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	256 pf @ 25 V	-	113W（TC）
BUK6D77-60EX	0.5300	RFQ	23	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	BUK6D77	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	3.4a（ta），10.6a（TC）	4.5V，10V	77MOHM @ 3.4A，10V	2.7V @ 250µA	9.2 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 30 V	-	2W（TA），18.8W（TC）
STWA40N95DK5	16.6700	RFQ	586	Stmicroelectronics	MDMESH™DK5	管子	积极的	-55°C〜150°C	通过洞	TO-247-3	STWA40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17224	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	950 v	38A（TC）	10V	130mohm @ 19a，10v	5V @ 100µA	100 nc @ 10 V	±30V	3480 pf @ 100 V	-	450W（TC）
HUF75345S3S	-	RFQ	3349	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
FQP19N10L	-	RFQ	4641	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	19a（tc）	5V，10V	100mohm @ 9.5a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BUK662R7-55C，118	-	RFQ	9034	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
MTB10N40ET4	0.8700	RFQ	69	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
STB80NF55-08-1	-	RFQ	2299	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB80N	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3516-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FQP16N25C-F105	-	RFQ	4519	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							-						0000.00.0000	250
IRFIZ48G	-	RFQ	5835	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ48	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	37A（TC）	10V	18mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXFH54N65x3	12.6200	RFQ	6490	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH54	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh54N65x3	Ear99	8541.29.0095	300	n通道	650 v	54A（TC）	10V	59mohm @ 27a，10v	5.2V @ 4mA	49 NC @ 10 V	±20V	3360 pf @ 25 V	-	625W（TC）
FCP850N80Z	2.9300	RFQ	791	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP850	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	800 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	136W（TC）
fqnlnsocta	-	RFQ	9076	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				fqnln			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FQNLNSOCTATR			1
DMP3028LFDE-7	0.4400	RFQ	235	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP3028	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	6.8a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	2.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1241 PF @ 15 V	-	660MW（TA）
IRFB4321GPBF	-	RFQ	7850	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001556020	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	330W（TC）
STD7NK30Z	-	RFQ	1288	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD7	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	300 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	50W（TC）
PMZ290Nuneyl	-	RFQ	7246	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
MSJB11N80A-TP	7.4800	RFQ	8663	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	800 v	11A（TC）	10V	470MOHM @ 7.1A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	958 PF @ 400 V	-	156W（TJ）
ixta1r6n100d2	3.2300	RFQ	221	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	1.6A（TC）	10V	10ohm @ 800mA，0v	-	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
IRL640A	1.7600	RFQ	7362	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL640	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	18A（TC）	5V	180mohm @ 9a，5v	2V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	1705 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IXFK140N60X3	26.1024	RFQ	2828	ixys	-	管子	积极的				IXFK140			-				238-ixfk140n60x3			25
IXFH80N06	-	RFQ	4682	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXFH80	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	60 V	80A（TC）	10V	-	-		±20V		-	-
IRF620	-	RFQ	7136	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2N6661JTVP02	-	RFQ	3800	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6661	MOSFET （金属 o化物）	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道	90 v	860mA（tc）	5V，10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
FDS3670	1.6700	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	6.3a（ta）	6V，10V	32MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 50 V	-	2.5W（TA）
DMN2053U-13	0.0699	RFQ	4251	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2053	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	20 v	6.5A（TA）	1.8V，10V	29mohm @ 6a，10v	1.2V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	414 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
STP4NK50ZFP	-	RFQ	3224	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP4N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	310 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FQP9N08	0.2700	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	9.3A（TC）	10V	210MOHM @ 4.65a，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MCU20N06-TP	-	RFQ	6143	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	-				353-MCU20N06-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	20a	10V	45mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	500 pf @ 30 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²