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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STFU14N80K5 | 2.0154 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STFU14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 12A(TC) | 10V | 445MOHM @ 6A,10V | 5V @ 100µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 620 pf @ 100 V | - | 30W(TC) | |||
ixta02n450hv | - | ![]() | 3375 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta02 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 4500 v | 200ma(tc) | 10V | 750OHM @ 10mA,10v | 6.5V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 V | ±20V | 256 pf @ 25 V | - | 113W(TC) | ||||
![]() | BUK6D77-60EX | 0.5300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | BUK6D77 | MOSFET (金属 o化物) | DFN2020MD-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 3.4a(ta),10.6a(TC) | 4.5V,10V | 77MOHM @ 3.4A,10V | 2.7V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 V | ±20V | 305 pf @ 30 V | - | 2W(TA),18.8W(TC) | ||
![]() | STWA40N95DK5 | 16.6700 | ![]() | 586 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™DK5 | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-247-3 | STWA40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-17224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 950 v | 38A(TC) | 10V | 130mohm @ 19a,10v | 5V @ 100µA | 100 nc @ 10 V | ±30V | 3480 pf @ 100 V | - | 450W(TC) | |
![]() | HUF75345S3S | - | ![]() | 3349 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | HUF75 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 7mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 275 NC @ 20 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 325W(TC) | |||
![]() | FQP19N10L | - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 19a(tc) | 5V,10V | 100mohm @ 9.5a,10v | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 V | ±20V | 870 pf @ 25 V | - | 75W(TC) | |||
![]() | BUK662R7-55C,118 | - | ![]() | 9034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 55 v | 120A(TC) | 10V | 2.7MOHM @ 25A,10V | 2.8V @ 1mA | 258 NC @ 10 V | ±16V | 15300 PF @ 25 V | - | 306W(TC) | |||
![]() | MTB10N40ET4 | 0.8700 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STB80NF55-08-1 | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STB80N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-3516-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 10V | 8mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 3850 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |
![]() | FQP16N25C-F105 | - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 250 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFIZ48G | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFIZ48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 37A(TC) | 10V | 18mohm @ 22a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||
![]() | IXFH54N65x3 | 12.6200 | ![]() | 6490 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH54 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixfh54N65x3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | n通道 | 650 v | 54A(TC) | 10V | 59mohm @ 27a,10v | 5.2V @ 4mA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 3360 pf @ 25 V | - | 625W(TC) | ||
![]() | FCP850N80Z | 2.9300 | ![]() | 791 | 0.00000000 | Onmi | SuperFet®II | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FCP850 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 800 v | 8A(TC) | 10V | 850MOHM @ 3A,10V | 4.5V @ 600µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1315 PF @ 100 V | - | 136W(TC) | ||
![]() | fqnlnsocta | - | ![]() | 9076 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | fqnln | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-FQNLNSOCTATR | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DMP3028LFDE-7 | 0.4400 | ![]() | 235 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerudfn | DMP3028 | MOSFET (金属 o化物) | U-DFN2020-6(e) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 6.8a(ta) | 4.5V,10V | 32MOHM @ 7A,10V | 2.4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1241 PF @ 15 V | - | 660MW(TA) | ||
![]() | IRFB4321GPBF | - | ![]() | 7850 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001556020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 150 v | 83A(TC) | 10V | 15mohm @ 33a,10v | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 4460 pf @ 25 V | - | 330W(TC) | |||
![]() | STD7NK30Z | - | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD7 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 300 v | 5A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a,10v | 4.5V @ 50µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||
![]() | PMZ290Nuneyl | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n通道 | 20 v | 1A(1A) | 1.8V,4.5V | 380MOHM @ 500mA,4.5V | 950mv @ 250µA | 0.68 NC @ 4.5 V | ±8V | 83 pf @ 10 V | - | 360MW(TA),2.7W(TC) | |||
![]() | MSJB11N80A-TP | 7.4800 | ![]() | 8663 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 800 v | 11A(TC) | 10V | 470MOHM @ 7.1A,10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 958 PF @ 400 V | - | 156W(TJ) | ||||
ixta1r6n100d2 | 3.2300 | ![]() | 221 | 0.00000000 | ixys | 消耗 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 1000 v | 1.6A(TC) | 10V | 10ohm @ 800mA,0v | - | 27 NC @ 5 V | ±20V | 645 pf @ 25 V | 耗尽模式 | 100W(TC) | |||
![]() | IRL640A | 1.7600 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRL640 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 18A(TC) | 5V | 180mohm @ 9a,5v | 2V @ 250µA | 56 NC @ 5 V | ±20V | 1705 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | ||
![]() | IXFK140N60X3 | 26.1024 | ![]() | 2828 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | IXFK140 | - | 238-ixfk140n60x3 | 25 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH80N06 | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 60 V | 80A(TC) | 10V | - | - | ±20V | - | - | |||||
IRF620 | - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF620 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 5.2A(TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1A,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | 2N6661JTVP02 | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N6661 | MOSFET (金属 o化物) | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 90 v | 860mA(tc) | 5V,10V | 4ohm @ 1A,10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | (725MW)(6.25W)TC) | |||
![]() | FDS3670 | 1.6700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 6.3a(ta) | 6V,10V | 32MOHM @ 6.3a,10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 2490 pf @ 50 V | - | 2.5W(TA) | |||||
DMN2053U-13 | 0.0699 | ![]() | 4251 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DMN2053 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 20 v | 6.5A(TA) | 1.8V,10V | 29mohm @ 6a,10v | 1.2V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 V | ±12V | 414 pf @ 10 V | - | 800MW(TA) | |||
![]() | STP4NK50ZFP | - | ![]() | 3224 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STP4N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 3A(TC) | 10V | 2.7OHM @ 1.5A,10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 310 pf @ 25 V | - | 20W(TC) | ||
![]() | FQP9N08 | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 9.3A(TC) | 10V | 210MOHM @ 4.65a,10V | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 V | ±25V | 250 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | |||||
![]() | MCU20N06-TP | - | ![]() | 6143 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MCU20 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | - | 353-MCU20N06-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 60 V | 20a | 10V | 45mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 500 pf @ 30 V | - | - |
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