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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irlu110pbf	1.4900	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU110	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irlu110pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
TSM7NC65CF C0G	1.5053	RFQ	4379	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
ixtt4n150hv-trl	29.9225	RFQ	1834年	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt4	MOSFET （金属 o化物）	TO-268HV（IXTT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt4n150hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	1500 v	4A（TC）	10V	6ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±30V	1576 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SSM3K72CFS，LF	0.2000	RFQ	133	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K72	MOSFET （金属 o化物）	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	170mA（TA）	4.5V，10V	3.9ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 4.5 V	±20V	17 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
AON6532P	-	RFQ	5207	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	-	AON653	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	68A（TC）	10V	4.1MOHM @ 20A，10V	710MV @ 1A	17.2 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 15 V	-	35.5W（TC）
GT100N12D5	1.5600	RFQ	9365	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	120 v	70a		10mohm @ 35a，10v	3.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3050 pf @ 60 V		120W
STP24NM60N	3.3000	RFQ	700	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11229-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	125W（TC）
SPP100N04S2-04	-	RFQ	2189	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.6mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7220 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ATP107-TL-H	-	RFQ	6672	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP107	MOSFET （金属 o化物）	Atpak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	50a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 25a，10v	-	47 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	50W（TC）
STW29NK50ZD	-	RFQ	8661	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw29n	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	29A（TC）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	4.5V @ 150µA	200 NC @ 10 V	±30V	6450 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRFR214TRLPBF	0.6159	RFQ	9879	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
DMT3009LFVW-7	0.6000	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	（12A）（ta），50a（tc）	3.8V，10V	11MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	823 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
IPD70R600P7SAUMA1	0.9800	RFQ	3	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	43W（TC）
RTQ020N03TR	0.5800	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RTQ020	MOSFET （金属 o化物）	TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	125MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.3 NC @ 4.5 V	±12V	135 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
AUIRFR3607TRL	1.5381	RFQ	8834	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519596	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	75 v	56A（TC）		9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V		3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
PH20100S，115	-	RFQ	2487	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	34.3A（TC）	10V	23mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±20V	2264 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
ixta1n120p	5.3000	RFQ	659	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1	MOSFET （金属 o化物）	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1200 v	1A（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.6 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	63W（TC）
STP13NK60Z	2.7900	RFQ	998	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP13	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	13A（TC）	10V	550MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	92 NC @ 10 V	±30V	2030 pf @ 25 V	-	150W（TC）
NDB4050	-	RFQ	7568	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDB405	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	50 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FDU8896	-	RFQ	2247	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU88	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
FDB024N06	-	RFQ	8933	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	226 NC @ 10 V	±20V	14885 PF @ 25 V	-	395W（TC）
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IPN60R2K1CEATMA1	0.6800	RFQ	7952	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R2	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	3.7A（TC）	10V	2.1OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	5W（TC）
NTQS6463R2	-	RFQ	9472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQS64	MOSFET （金属 o化物）	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	P通道	20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 6.8a，4.5V	900mv @ 250µA	50 NC @ 5 V	±12V		-	930MW（TA）
RFP7N35	1.0700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	350 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IPP100N10S305AKSA1	6.4800	RFQ	65	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	100A（TC）	10V	5.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 240µA	176 NC @ 10 V	±20V	11570 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SI7682DP-T1-E3	-	RFQ	1336	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7682	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.5W（TC）
FQU20N06TU	0.4100	RFQ	22	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
JAN2N7236	-	RFQ	2262	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/595	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	100 v	18A（TC）	10V	220MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（125W（ta）（TC）
DMT4008LFDF-7	0.2284	RFQ	8346	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMT4008LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	11.8a（ta）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	17.1 NC @ 10 V	±20V	1179 PF @ 20 V	-	800MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²