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单FET，MOSFET（（44971）

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FQB9N15TM	-	RFQ	8803	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB9	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
FDS7079ZN3	-	RFQ	1845年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）	8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	55 NC @ 5 V	±25V	3630 PF @ 15 V	-	3.13W（TA）
STW54NK30Z	-	RFQ	6852	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW54N	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600	n通道	300 v	54A（TC）	10V	60mohm @ 27a，10v	4.5V @ 150µA	221 NC @ 10 V	±30V	4960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SIE860DF-T1-GE3	-	RFQ	2361	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（m）	SIE860	MOSFET （金属 o化物）	10-Polarpak®（m）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 21.7A，10V	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
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IRF630L	-	RFQ	9171	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF630	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF630L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	-
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SISH101DN-T1-GE3	0.7700	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH101	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	16.9a（ta），35a （TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±25V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
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IRFP254pbf	4.2200	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP254	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP254PBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	250 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRF9630	-	RFQ	5324	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9630	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
FDD6685	1.2200	RFQ	12	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD668	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1715 PF @ 15 V	-	52W（ta）
BUK7M17-80EX	1.0400	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M17	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	43A（TC）	10V	17mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	29.6 NC @ 10 V	±20V	2031 PF @ 25 V	-	79W（TC）
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IAUC120N06S5L011ATMA1	1.4380	RFQ	5673	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-53	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	310a（TJ）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 60a，10v	2.2V @ 130µA	160 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 30 V	-	188W（TC）
IRFZ44STRL	-	RFQ	2206	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
CSD19533Q5A	1.5600	RFQ	579	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19533	MOSFET （金属 o化物）	8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	9.4mohm @ 13A，10V	3.4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
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IRF7452TRPBF	-	RFQ	6881	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²