RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RFP14N05	-	RFQ	2238	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	RFP14	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	50 V	14A（TC）		100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V		570 pf @ 25 V	-
NVTFS4C13NTAG	0.9800	RFQ	9531	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（3W）（26W）（26W）TC）
FDP8440	2.3200	RFQ	18	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	24740 pf @ 25 V	-	306W（TC）
IRF8327STR1PBF	-	RFQ	5466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	14a（TA），60A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
SCTWA35N65G2V-4	20.2000	RFQ	5270	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCTWA35	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA35N65G2V-4	Ear99	8541.29.0095	600	n通道	650 v	45A（TC）	18V，20V	67mohm @ 20a，20v	5V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+18V，-5V	1370 pf @ 400 V	-	240W（TC）
BUK9610-55A，118	-	RFQ	6033	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	68 NC @ 5 V	±15V	4307 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FDD6770A	-	RFQ	3065	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD677	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	（24A）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 pf @ 13 V	-	3.7W（3），65W（TC）
HUFA75645S3S	2.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	128	n通道	100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
SPD50N03S207GBTMA1	-	RFQ	8062	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	50A（TC）	10V	7.3mohm @ 50a，10v	4V @ 85µA	46.5 NC @ 10 V	±20V	2170 pf @ 25 V	-	136W（TC）
AO3494	-	RFQ	8066	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO3494Tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	62MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	260 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
FQNL1N50BTA	-	RFQ	9187	Onmi	QFET®	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	FQNL1	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	270mA（tc）	10V	9ohm @ 135mA，10v	3.7V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	1.5W（TC）
IRFR120NPBF	-	RFQ	4484	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	9.4A（TC）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
STI20N60M2-EP	-	RFQ	2557	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STI20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	13A（TC）	10V	278mohm @ 6.5a，10v	4.75V @ 250µA	21.7 NC @ 10 V	±25V	787 PF @ 100 V	-	110W（TC）
NTLJS1102PTAG	-	RFQ	1800	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS11	MOSFET （金属 o化物）	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	8 V	3.7a（ta）	1.2V，4.5V	36mohm @ 6.2a，4.5V	720mv @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±6V	1585 pf @ 4 V	-	700MW（TA）
NTMFS5H419NLT1G	1.5900	RFQ	979	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	29a（ta），155a（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），89W（tc）
BSP373E6327	-	RFQ	5173	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	n通道	100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
NTD4969N-1G	0.1900	RFQ	16	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD49	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	9.4a（TA），41A（tc）		9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V		837 PF @ 15 V	-
2SK937Y5	0.2600	RFQ	6	Onmi	*	大部分	过时的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
FDP79N15	3.3100	RFQ	6	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	79A（TC）	10V	30mohm @ 39.5a，10v	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 25 V	-	463W（TC）
CGD65B200S2-T13	4.7800	RFQ	4	剑桥甘恩设备	冰根™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		ganfet（n化岩）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	-	650 v	8.5A（TC）	9V，20V	280MOHM @ 600mA，12v	4.2V @ 2.75mA	1.4 NC @ 12 V	+20V，-1V		电流感应
AUIRF2804L-313	-	RFQ	6852	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFPF40pbf	4.4500	RFQ	375	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF40PBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	900 v	4.7A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DMT3009LFVWQ-7	0.2639	RFQ	4237	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	（12A）（ta），50a（tc）	3.8V，10V	11MOHM @ 14.4a，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	823 pf @ 15 V	-	2.3W（35.7W）（35.7W（tc）
GPIHV14DF	-	RFQ	5412	GanPower	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			ganfet（n化岩）		下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响	4025-GPIHV14DFTR	3A001	8541.49.7000	1	n通道	1200 v	14a	6V		1.7V @ 3.5mA	4 NC @ 6 V	+7.5V，-12V	60 pf @ 700 V
IRFS3306pbf	-	RFQ	5528	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
auirlr014n	-	RFQ	9768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518258	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
PSMN5R0-100ES，127	-	RFQ	4441	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				PSMN5			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
IRFB3306GPBF	1.8300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3306	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
AOD2904	-	RFQ	6678	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD290	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	10.5a（ta），70a（tc）	6V，10V	10mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2785 PF @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
PMV75UP，215	0.4700	RFQ	20	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV75	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	102MOHM @ 2.5A，4.5V	900mv @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	-	490MW（ta），5W（（（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²