SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1 1.8900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD90 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-313 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 10V 3.2MOHM @ 90A,10V 4V @ 53µA 66.8 NC @ 10 V ±20V 5260 pf @ 25 V - 94W(TC)
SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2347DS-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SI2347DS-T1-BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 3.8A(ta),5a tc(5a tc) 4.5V,10V 42MOHM @ 3.8A,10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 705 pf @ 15 V - 1.2W(TA),1.7W(TC)
IRLR3303TRLPBF Infineon Technologies IRLR3303TRLPBF -
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001577002 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A(TC) 4.5V,10V 31mohm @ 21a,10v 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 V ±16V 870 pf @ 25 V - 68W(TC)
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 Fairchild半导体 FRFET®,SuperFet®II 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 Ear99 8542.39.0001 66 n通道 650 v 20.6A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 5V @ 2mA 78 NC @ 10 V ±20V 3225 pf @ 100 V - 208W(TC)
IRFR3504ZTR Infineon Technologies IRFR3504ZTR -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 42A(TC) 10V 9mohm @ 42a,10v 4V @ 50µA 45 NC @ 10 V ±20V 1510 PF @ 25 V - 90W(TC)
AON6560 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6560 1.0107
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-powersmd,平面线 AON656 MOSFET (金属 o化物) 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 84A(ta),200a(tc) 4.5V,10V 0.62Mohm @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 325 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 15 V - 7.3W(ta),208W(tc)
NTB45N06LG onsemi NTB45N06LG -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NTB45 MOSFET (金属 o化物) D²Pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 45A(TA) 5V 28mohm @ 22.5a,5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 1700 PF @ 25 V - 2.4W(ta),125W(((((()
IRFP90N20DPBF Infineon Technologies IRFP90N20DPBF 7.9600
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP90 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 94A(TC) 10V 23mohm @ 56A,10V 5V @ 250µA 270 NC @ 10 V ±30V 6040 pf @ 25 V - 580W(TC)
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX RFG 0.9000
RFQ
ECAD 76 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TSM240 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6.5A(TC) 4.5V,10V 24mohm @ 6a,10v 2.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 V ±20V 345 pf @ 25 V - 1.56W(TC)
STFU15N80K5 STMicroelectronics STFU15N80K5 4.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFU15 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 14A(TC) 10V 375MOHM @ 7A,10V 5V @ 100µA 32 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 100 V - 35W(TC)
STP55NF06 STMicroelectronics STP55NF06 1.6200
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP55 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 10V 18mohm @ 27.5a,10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 110W(TC)
EPC2059 EPC EPC2059 4.4500
RFQ
ECAD 32 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 EPC20 ganfet(n化岩) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 2,500 n通道 170 v 24A(24A) 5V 9mohm @ 10a,5v 2.5V @ 3mA 7.4 NC @ 5 V +6V,-4V 836 pf @ 85 V - -
SI2324-TP Micro Commercial Co SI2324-TP -
RFQ
ECAD 8934 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2324 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 - 353-SI2324-TP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 2a 4.5V,10V 234mohm @ 1.5A,10V 2.8V @ 250µA 5.8 NC @ 4.5 V ±20V 190 pf @ 50 V - 1.2W
IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF 0.5900
RFQ
ECAD 4252 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 IRFTS8342 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8.2a(ta) 4.5V,10V 19mohm @ 8.2a,10v 2.35V @ 25µA 4.8 NC @ 4.5 V ±20V 560 pf @ 25 V - 2W(TA)
NDS8426A onsemi NDS8426A -
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NDS842 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 10.5a(ta) 2.7V,4.5V 13.5MOHM @ 10.5A,4.5V 1V @ 250µA 60 NC @ 4.5 V ±8V 2150 pf @ 10 V - 2.5W(TA)
IRFC4115EB Infineon Technologies IRFC4115EB -
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 过时的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA180N10N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 8621 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-fp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 28a(TC) 6V,10V 18mohm @ 28a,10v 3.5V @ 35µA 25 NC @ 10 V ±20V 1800 PF @ 50 V - 30W(TC)
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated DMN6040SSS-13 0.4600
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMN6040 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 5.5A(ta) 4.5V,10V 40mohm @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 V ±20V 1287 PF @ 25 V - 1.5W(TA)
IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPI70N10S3L12AKSA1 -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI70N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 70A(TC) 4.5V,10V 12.1MOHM @ 70A,10V 2.4V @ 83µA 80 NC @ 10 V ±20V 5550 pf @ 25 V - 125W(TC)
NTLJS3180PZTBG onsemi NTLJS3180PZTBG -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJS31 MOSFET (金属 o化物) 6-WDFN(2x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.5A(ta) 1.5V,4.5V 38mohm @ 3A,4.5V 1V @ 250µA 19.5 NC @ 4.5 V ±8V 1100 pf @ 16 V - 700MW(TA)
SI7840BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7840 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 16.5A,10V 3V @ 250µA 21 NC @ 4.5 V ±20V - 1.8W(TA)
FQU5N40TU onsemi FQU5N40TU 1.2300
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FQU5N40 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 400 v 3.4A(TC) 10V 1.6OHM @ 1.7A,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 460 pf @ 25 V - 2.5W(ta),45W((((((((((
SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ444EP-T1_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ444 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 3.2MOHM @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±20V 5000 pf @ 25 V - 68W(TC)
IAUZ30N06S5L140ATMA1 Infineon Technologies IAUZ30N06S5L140ATMA1 0.9000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN IAUZ30 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8-32 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 30A(TJ) 14mohm @ 15a,10v 2.2V @ 10µA 12.2 NC @ 10 V ±16V 888 pf @ 30 V - 33W(TC)
MCB160N04Y-TP Micro Commercial Co MCB160N04Y-TP 1.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MCB160N MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 160a(TC) 4.5V,10V 1.85MOHM @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 132 NC @ 20 V ±20V 7100 PF @ 25 V - 150W
BUK7515-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK7515-100A,127 -
RFQ
ECAD 7828 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 75A(TC) 10V 15mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 6000 pf @ 25 V - 300W(TC)
BSL202SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL202SNL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5973 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 MOSFET (金属 o化物) PG-TSOP6-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 7.5A(ta) 2.5V,4.5V 22MOHM @ 7.5A,4.5V 1.2V @ 30µA 8.7 NC @ 4.5 V ±12V 1147 PF @ 10 V - 2W(TA)
IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR120TRPBF 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRLR120 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 7.7A(TC) 4V,5V 270MOHM @ 4.6A,5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 V ±10V 490 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
STB60N55F3 STMicroelectronics STB60N55F3 -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB60N MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8.5MOHM @ 32A,10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
PMV48XP,215 Nexperia USA Inc. PMV48XP,215 0.5600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMV48 MOSFET (金属 o化物) TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.5A(ta) 2.5V,4.5V 55mohm @ 2.4a,4.5V 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 1000 pf @ 10 V - 510MW(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库