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![]() | IPD90N04S403ATMA1 | 1.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD90 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-313 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 10V | 3.2MOHM @ 90A,10V | 4V @ 53µA | 66.8 NC @ 10 V | ±20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W(TC) | ||
![]() | SI2347DS-T1-BE3 | 0.4300 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SI2347DS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.8A(ta),5a tc(5a tc) | 4.5V,10V | 42MOHM @ 3.8A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 705 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA),1.7W(TC) | |||
![]() | IRLR3303TRLPBF | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001577002 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 35A(TC) | 4.5V,10V | 31mohm @ 21a,10v | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 V | ±16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | |||
![]() | FCH190N65F-F155 | 3.3400 | ![]() | 4300 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | FRFET®,SuperFet®II | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 66 | n通道 | 650 v | 20.6A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 5V @ 2mA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 3225 pf @ 100 V | - | 208W(TC) | ||||||
![]() | IRFR3504ZTR | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 42A(TC) | 10V | 9mohm @ 42a,10v | 4V @ 50µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1510 PF @ 25 V | - | 90W(TC) | |||
AON6560 | 1.0107 | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON656 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 84A(ta),200a(tc) | 4.5V,10V | 0.62Mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 325 NC @ 10 V | ±20V | 11500 PF @ 15 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) | |||
![]() | NTB45N06LG | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NTB45 | MOSFET (金属 o化物) | D²Pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 45A(TA) | 5V | 28mohm @ 22.5a,5v | 2V @ 250µA | 32 NC @ 5 V | ±15V | 1700 PF @ 25 V | - | 2.4W(ta),125W(((((() | |||
![]() | IRFP90N20DPBF | 7.9600 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 200 v | 94A(TC) | 10V | 23mohm @ 56A,10V | 5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±30V | 6040 pf @ 25 V | - | 580W(TC) | ||
![]() | TSM240N03CX RFG | 0.9000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM240 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 345 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | ||
![]() | STFU15N80K5 | 4.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STFU15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 14A(TC) | 10V | 375MOHM @ 7A,10V | 5V @ 100µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | ||
STP55NF06 | 1.6200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 10V | 18mohm @ 27.5a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | |||
![]() | EPC2059 | 4.4500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | EPC20 | ganfet(n化岩) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n通道 | 170 v | 24A(24A) | 5V | 9mohm @ 10a,5v | 2.5V @ 3mA | 7.4 NC @ 5 V | +6V,-4V | 836 pf @ 85 V | - | - | ||
![]() | SI2324-TP | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2324 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | - | 353-SI2324-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 2a | 4.5V,10V | 234mohm @ 1.5A,10V | 2.8V @ 250µA | 5.8 NC @ 4.5 V | ±20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.2W | ||||
![]() | IRFTS8342TRPBF | 0.5900 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | IRFTS8342 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8.2a(ta) | 4.5V,10V | 19mohm @ 8.2a,10v | 2.35V @ 25µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ±20V | 560 pf @ 25 V | - | 2W(TA) | ||
![]() | NDS8426A | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NDS842 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 10.5a(ta) | 2.7V,4.5V | 13.5MOHM @ 10.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±8V | 2150 pf @ 10 V | - | 2.5W(TA) | |||
![]() | IRFC4115EB | - | ![]() | 4687 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IPA180N10N3GXKSA1 | - | ![]() | 8621 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-fp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 28a(TC) | 6V,10V | 18mohm @ 28a,10v | 3.5V @ 35µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1800 PF @ 50 V | - | 30W(TC) | |||
![]() | DMN6040SSS-13 | 0.4600 | ![]() | 2562 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMN6040 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 5.5A(ta) | 4.5V,10V | 40mohm @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 V | ±20V | 1287 PF @ 25 V | - | 1.5W(TA) | ||
IPI70N10S3L12AKSA1 | - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI70N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 70A(TC) | 4.5V,10V | 12.1MOHM @ 70A,10V | 2.4V @ 83µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 5550 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||
![]() | NTLJS3180PZTBG | - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | NTLJS31 | MOSFET (金属 o化物) | 6-WDFN(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 1.5V,4.5V | 38mohm @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 19.5 NC @ 4.5 V | ±8V | 1100 pf @ 16 V | - | 700MW(TA) | |||
![]() | SI7840BDP-T1-E3 | - | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7840 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 16.5A,10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||
![]() | FQU5N40TU | 1.2300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | FQU5N40 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 400 v | 3.4A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 1.7A,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),45W(((((((((( | ||
![]() | SQJ444EP-T1_GE3 | 1.3300 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ444 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | |||
![]() | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | 0.9000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | IAUZ30 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSDSON-8-32 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 60 V | 30A(TJ) | 14mohm @ 15a,10v | 2.2V @ 10µA | 12.2 NC @ 10 V | ±16V | 888 pf @ 30 V | - | 33W(TC) | |||
![]() | MCB160N04Y-TP | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MCB160N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 160a(TC) | 4.5V,10V | 1.85MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 132 NC @ 20 V | ±20V | 7100 PF @ 25 V | - | 150W | ||
![]() | BUK7515-100A,127 | - | ![]() | 7828 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 75A(TC) | 10V | 15mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||
![]() | BSL202SNL6327HTSA1 | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSOP6-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 7.5A(ta) | 2.5V,4.5V | 22MOHM @ 7.5A,4.5V | 1.2V @ 30µA | 8.7 NC @ 4.5 V | ±12V | 1147 PF @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||
![]() | IRLR120TRPBF | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRLR120 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 7.7A(TC) | 4V,5V | 270MOHM @ 4.6A,5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 V | ±10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||
![]() | STB60N55F3 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB60N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 10V | 8.5MOHM @ 32A,10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | ||
PMV48XP,215 | 0.5600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PMV48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 2.5V,4.5V | 55mohm @ 2.4a,4.5V | 1.25V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | 1000 pf @ 10 V | - | 510MW(TA) |
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