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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
P3M06060T3	10.3800	RFQ	8146	PN连接半导体	P3M	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-2		sicfet （碳化硅）	TO-220-2L	下载	rohs3符合条件		到达受影响	4237-P3M06060T3			1	n通道	650 v	46a	15V	79mohm @ 20a，15v	2.2V @ 20mA（typ）		+20V，-8V		-	170W
irfr9020pbf	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	P通道	50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
BUK7610-55AL，118	2.9500	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7610	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	6280 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN360N10T	28.2400	RFQ	5370	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN360	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	100 v	360a（TC）	10V	2.6mohm @ 180a，10v	4.5V @ 250µA	505 NC @ 10 V	±20V	36000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
SI5485DU-T1-GE3	-	RFQ	4626	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5485	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	25mohm @ 5.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	42 NC @ 8 V	±12V	1100 pf @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
PJD2NA60_R2_00001	0.7100	RFQ	6377	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD2N	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD2NA60_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	2A（TA）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	5.7 NC @ 10 V	±30V	257 PF @ 25 V	-	-
2SK3462（TE16L1，NQ）	-	RFQ	7650	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3462	MOSFET （金属 o化物）	PW-MOLD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	250 v	3A（3A）	10V	1.7OHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	267 PF @ 10 V	-	20W（TC）
TK750A60F，S4X	1.7600	RFQ	968	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK750A60	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	10a（10a）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 300 V	-	40W（TC）
FQD13N10LTM	0.7500	RFQ	3363	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD13N10	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	10A（TC）	5V，10V	180MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
SIRA90DP-T1-RE3	1.5500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	+20V，-16V	10180 pf @ 15 V	-	104W（TC）
IXFX120N303	18.3200	RFQ	9873	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx120n303	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	300 v	120A（TC）	10V	27mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	8630 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
BSS215P H6327	-	RFQ	7244	Infineon技术	Optimos™P2	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23-3-5	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.5A，4.5V	600mv @ 11µA	3.6 NC @ 4.5 V	±12V	346 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FDMC8622	1.5800	RFQ	9106	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86	MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	（4A）（16A （TC）（TC）	6V，10V	56mohm @ 4A，10V	4V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	402 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），31W（tc）
BSC883N03LSGATMA1	-	RFQ	1376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC883	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	34 v	17a（17a），98a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
AOE8910	-	RFQ	7150	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的				AOE891			-			到达不受影响	785-AOE8910			1
YJQ55P02A	0.5200	RFQ	1895年	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	20 v	55A（ta）	1.8V，4.5V	8.3mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	12.7 NC @ 10 V	±10V	6358 pf @ 10 V	-	3.2W（TA），38W（tc）
RUU002N05T106	0.3400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	ruu002	MOSFET （金属 o化物）	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50 V	200ma（ta）	1.2V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	1V @ 1mA		±8V	25 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
IPI120P04P4L03AKSA1	-	RFQ	9812	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120p	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000842296	Ear99	8541.29.0095	500	P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 100a，10v	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SI2305ADS-T1-E3	-	RFQ	8948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	5.4A（TC）	1.8V，4.5V	40mohm @ 4.1a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
PJD8NA50_R2_00001	0.5160	RFQ	6540	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD8N	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD8NA50_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	500 v	8a（8a）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	16.2 NC @ 10 V	±30V	826 pf @ 25 V	-	-
TP2522N8-G	1.3900	RFQ	3537	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP2522	MOSFET （金属 o化物）	TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	220 v	260mA（tj）	4.5V，10V	12ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
STI360N4F6	-	RFQ	1417	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI360N	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.8mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	340 NC @ 10 V	±20V	17930 PF @ 25 V	-	300W（TC）
irlr2908pbf	-	RFQ	3616	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
FDME510PZT	0.9100	RFQ	10	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	FDME510	MOSFET （金属 o化物）	Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	37mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±8V	1490 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
EPC2050	6.0700	RFQ	17	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	死	EPC20	ganfet（n化岩）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,500	n通道	350 v	6.3a（ta）	5V	180mohm @ 6a，5v	2.5V @ 1mA	4 NC @ 5 V	+6V，-4V	628 PF @ 280 V	-	-
2N7002KL3-TP	0.5000	RFQ	9	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	410mA（ta）	4.5V，10V	1.5OHM @ 40mA，10v	2.3V @ 250µA	2.8 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 40 V	-	100MW
NTHD3101FT3G	-	RFQ	6521	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD31	MOSFET （金属 o化物）	chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	P通道	20 v	3.2A（TJ）	1.8V，4.5V	80MOHM @ 3.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.4 NC @ 4.5 V	±8V	680 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA）
AOI208	-	RFQ	3619	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI20	MOSFET （金属 o化物）	TO-251A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	30 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），62W（TC）
BSP122,115	0.6200	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP122	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	550mA（ta）	2.4V，10V	2.5Ohm @ 750mA，10v	2V @ 1mA		±20V	100 pf @ 25 V	-	1.5W（TA）
2SK3906（Q）	-	RFQ	5343	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3906	MOSFET （金属 o化物）	to-3p n（n）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	20A（TA）	10V	330mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±30V	4250 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²