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单FET，MOSFET（（44971）

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FDD86250-F085	2.2700	RFQ	3178	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86250	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 75 V	-	160W（TJ）
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STF15NM60ND	-	RFQ	9797	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	14A（TC）	10V	299MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±25V	1250 pf @ 50 V	-	30W（TC）
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STB30N65M2AG	4.2400	RFQ	4563	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STB30N65M2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30.8 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	190w（TC）
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TK155U65Z，RQ	3.4000	RFQ	3	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	650 v	18A（18A）	10V	155mohm @ 9a，10v	4V @ 730µA	29 NC @ 10 V	±30V	1635 PF @ 300 V	-	150W（TC）
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AOT20N60L	1.5073	RFQ	6880	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	20A（TC）	10V	370MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3680 pf @ 25 V	-	417W（TC）
STF13N65M2	2.0400	RFQ	866	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF13	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	10A（TC）	10V	430MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	25W（TC）
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STFU15N80K5	4.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	14A（TC）	10V	375MOHM @ 7A，10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 100 V	-	35W（TC）
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IRFZ44RPBF	2.8100	RFQ	6719	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ44RPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²