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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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STF16N60M2	2.0400	RFQ	216	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16013-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	25W（TC）
TPH3205WSB	-	RFQ	3868	移动	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		ganfet（n化岩）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	180	n通道	650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 22a，8v	2.6V @ 700µA	42 NC @ 8 V	±18V	2200 PF @ 400 V	-	125W（TC）
IRFH8321TRPBF	-	RFQ	8122	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TQFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	21a（21A），83A （TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 20a，10v	2V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 10 V	-	3.4W（TA），54W（tc）
FCPF260N60E-F154	1.8406	RFQ	2452	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF260	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	15A（TJ）		260MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	36W（TC）
RZR040P01TL	0.7500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RZR040	MOSFET （金属 o化物）	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	30mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	30 NC @ 4.5 V	±10V	2350 pf @ 6 V	-	1W（ta）
BUK762R7-30B，118	-	RFQ	9705	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	75A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	6212 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DMT64M8LCG-13	0.3973	RFQ	4643	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	V-DFN3333-8（B型）	下载			到达不受影响	31-DMT64M8LCG-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	16.1a（ta），77.8a tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	47.5 NC @ 10 V	±20V	2664 PF @ 30 V	-	990MW（TA）
IRFR120Z	-	RFQ	9413	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR120Z	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
APT130SM70J	-	RFQ	8699	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		sicfet （碳化硅）	SOT-227（ISOTOP®）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道	700 v	78A（TC）	20V	45mohm @ 60a，20v	2.4V @ 1mA	270 NC @ 20 V	+25V，-10V	3950 PF @ 700 V	-	273W（TC）
IRF7769L2TR1PBF	-	RFQ	5809	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
TSM1NB60CH C5G	0.7448	RFQ	1518年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1NB60	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
IRF730L	-	RFQ	9249	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF730	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF730L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	-
AOD7N60	0.4763	RFQ	8580	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD7	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.3OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1170 pf @ 25 V	-	178W（TC）
DMN2024UQ-13	0.1075	RFQ	2208	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2024	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMN2024UQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	20 v	6.8a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±10V	647 PF @ 10 V	-	800MW
DMTH6002LPSW-13	0.9526	RFQ	1217	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8（SWP）	下载			到达不受影响	31-DMTH6002LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	205a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	8289 PF @ 30 V	-	（3W（ta），167W（tc）
R6004END3TL1	1.5800	RFQ	7	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	59W（TC）
FDP085N10A-F102	2.9200	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP085	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	96A（TC）	10V	8.5MOHM @ 96A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2695 PF @ 50 V	-	188W（TC）
IRF6218pbf	-	RFQ	3588	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
PH2925U，115	1.3800	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH2925	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	25 v	100A（TC）	4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	950mv @ 1mA	92 NC @ 4.5 V	±10V	6150 pf @ 10 V	-	62.5W（TC）
IXTP05N100M	4.1400	RFQ	500	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	700mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 25µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STWA67N60M6	9.2000	RFQ	2506	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67	MOSFET （金属 o化物）	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STWA67N60M6	Ear99	8541.29.0095	600	n通道	600 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	330W（TC）
STFI13NM60N	-	RFQ	7459	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI13N	MOSFET （金属 o化物）	I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	790 pf @ 50 V	-	25W（TC）
SI7462DP-T1-GE3	-	RFQ	1505	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7462	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	200 v	2.6a（ta）		130MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V			-
GPIHV10DK	7.5000	RFQ	340	GanPower	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			ganfet（n化岩）		下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响	4025-GPIHV10DKTR	3A001	8541.49.7000	1	n通道	1200 v	10a	6V		1.7V @ 3.5mA	3.5 NC @ 6 V	+7.5V，-12V	105 PF @ 700 V
NTMFS005P03P8ZT1G	-	RFQ	2078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS005P03P8ZT1GTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	15.3A（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 22A，10V	3V @ 250µA	112 NC @ 4.5 V	±25V	7880 pf @ 15 V	-	900MW（TA），104W（tc）
IRF1405STRRPBF	-	RFQ	9342	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1405	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
SUD19N20-90-BE3	3.0700	RFQ	4940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-		（1 （无限）		742-SUD19N20-90-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
TSM250N02CX	0.2763	RFQ	4236	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM250	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM250N02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000	n通道	20 v	5.8A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	0.8V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±10V	535 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
PJQ2460_R1_00001	0.4300	RFQ	6	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	PJQ2460	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020B-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ2460_R1_001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.2A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	509 pf @ 15 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²