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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
PMCM650VNE023	-	RFQ	4672	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
IRF6218SPBF	-	RFQ	6075	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF6218	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP0015536 28	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FDMC86320	-	RFQ	7757	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载						0000.00.0000	1	n通道	80 V	10.7a（ta），22a（tc）	8V，10V	11.7MOHM @ 10.7A，10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 40 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
STD6N95K5	2.8200	RFQ	2583	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6N95	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	950 v	9A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	90W（TC）
FDS5690	1.0000	RFQ	7301	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	60 V	7a（ta）	6V，10V	28mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1107 PF @ 30 V	-	2.5W（TA）
NP80N03MLE-S18-AY	1.8400	RFQ	300	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	80A（TC）		7mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V		3900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
G7P03D2	0.1141	RFQ	5430	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	6-DFN（2x2）	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G7P03D2TR	Ear99	8541.29.0000	3,000	P通道	30 V	7A（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 1A，10V	1.1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1900 pf @ 15 V	-	1.3W（TC）
BUK9509-55A，127	-	RFQ	8053	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	4633 PF @ 25 V	-	211W（TC）
SPP70N10L	-	RFQ	3616	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP70N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
DMN52D0LT-13	0.3800	RFQ	7821	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMN52	MOSFET （金属 o化物）	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	50 V	350mA（ta）	1.8V，5V	2ohm @ 50mA，5v	1.2V @ 250µA	1.5 NC @ 10 V	±12V	40 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
RM60N100DF	0.4900	RFQ	7225	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM60N100DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	100 v	60a（TC）	10V	8.5mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 50 V	-	105W（TC）
SIHF8N50L-E3	-	RFQ	6750	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF8	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 4A，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 0 V	±30V	873 PF @ 25 V	-	40W（TC）
BUK7Y25-80E/CX	-	RFQ	9726	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	buk7	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	39A（TC）	10V	25mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	25.9 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	95W（TC）
AO7412	-	RFQ	7193	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	AO741	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.7A（TA）	2.5V，10V	90MOHM @ 2.1a，10V	1.8V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±12V	270 pf @ 15 V	-	350MW（TA）
RJK2057DPA-00＃j0	-	RFQ	9498	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK2057	MOSFET （金属 o化物）	8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	20A（TA）	10V	85mohm @ 10a，10v	-	19 nc @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	30W（TC）
BSH111BK215	-	RFQ	2382	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
G06N02H	0.0975	RFQ	9583	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G06N02HTR	Ear99	8541.29.0000	2,500	n通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	14.3MOHM @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±12V	1140 pf @ 10 V	-	1.8W（TC）
IXFR9N80Q	-	RFQ	2444	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR9N80	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	-		-	-				-	-
SI3456DDV-T1-BE3	0.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	（5a ta），6.3a（6.3a）（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	325 pf @ 15 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
PSMP075N15NS1_T0_00601	4.9600	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMP075	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB-L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PSMP075N15NS1_T0_00601	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	150 v	125A（TC）	7V，10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	6511 PF @ 75 V	-	258.6W（TC）
FQA8N80C_F109	-	RFQ	3447	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA8	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	800 v	8.4A（TC）	10V	1.55OHM @ 4.2A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	220W（TC）
BSP89 E6327	-	RFQ	8535	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	240 v	350mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.8V @ 108µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5449	MOSFET （金属 o化物）	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.1a（ta）	2.5V，4.5V	85mohm @ 3.1a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
PJQ4414P_R2_00001	0.4900	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4414	MOSFET （金属 o化物）	DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4414P_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±20V	392 PF @ 25 V	-	（2W）（21W）（21W）TC）
MTB30P06VG	-	RFQ	6895	Onmi	*		过时的				MTB30			-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	50
NTMFS4823NT3G	-	RFQ	1289	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	6.9a（ta），30a （TC）	4.5V，11.5V	10.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 11.5 V	±20V	795 pf @ 15 V	-	860MW（TA），32.5W（tc）
2SJ654	-	RFQ	6157	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SJ654-600057			1	P通道	100 v	8a（8a）	4V，10V	315MOHM @ 4A，10V	2.6V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
FCP290N80	4.9000	RFQ	3575	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP290	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 1.7mA	75 NC @ 10 V	±20V	3205 PF @ 100 V	-	212W（TC）
ON5278/C4127	0.7200	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NVMFS020N06CT1G	0.6500	RFQ	9796	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS020	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS020N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	（9a）（28a）（28a tc）	10V	19.6mohm @ 4A，10V	4V @ 20µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 30 V	-	3.4W（TA），31W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²