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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NVTYS005N04CTWG	0.7036	RFQ	8093	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS005N04CTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	18A（18A），71A（71A）（TC）	10V	5.6MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 40µA	16 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
MCAC50P03B-TP	0.9500	RFQ	17	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC50	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	50a	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	111.7 NC @ 10 V	±25V	6464 PF @ 15 V	-	83W
BUK7Y25-40B，115	-	RFQ	3044	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	35.3a（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	12.1 NC @ 10 V	±20V	693 PF @ 25 V	-	59.4W（TC）
ixtq28n15p	-	RFQ	6432	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq28	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		-		-	-				-	-
IPD50N04S308ATMA1	0.6684	RFQ	1845年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRF840APBF-BE3	1.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-		（1 （无限）		742-IRF840APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	125W（TC）
FQI10N20CTU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
BSC014N06NSSCATMA1	3.6000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC014	MOSFET （金属 o化物）	PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	60 V	261a（TC）	6V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 120µA	104 NC @ 10 V	±20V	8125 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
IPP052NE7N3GXKSA1	2.9400	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP052	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
SFT1450-TL-H	-	RFQ	2071	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT145	MOSFET （金属 o化物）	TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700	n通道	40 V	21a（21a）	10V	28mohm @ 10.5a，10v	2.6V @ 1mA	14.4 NC @ 10 V	±20V	715 PF @ 20 V	-	1W（TA），23W（tc）
BUK7Y21-40E115	-	RFQ	9431	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
SI6467BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3762	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6467	MOSFET （金属 o化物）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	6.8a（ta）		12.5MOHM @ 8A，4.5V	850mv @ 450µA	70 NC @ 4.5 V			-
2SK1094-93	2.5900	RFQ	206	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
STW20N95DK5	8.5900	RFQ	26	Stmicroelectronics	MDMESH™DK5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW20	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	950 v	18A（TC）	10V	330mohm @ 9a，10v	5V @ 100µA	50.7 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHB22N60S-GE3	-	RFQ	3462	Vishay Siliconix	s	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	600 v	22a（TC）	10V	190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
DMN1004UFV-13	0.5600	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN1004	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	70A（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	47 NC @ 8 V	±8V	2385 pf @ 6 V	-	1.9W（TA）
STP8NM50N	2.3800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8NM50	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10965-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	364 pf @ 50 V	-	45W（TC）
NTE66	6.4400	RFQ	257	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE66	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.3a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	77W（TC）
FDC654P	0.1700	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载					Ear99	8541.29.0095	1,789	P通道	30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ035	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
FDT459N	0.4400	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT45	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	35mohm @ 6.5a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	365 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
IRF610A	-	RFQ	9339	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FDMF6823	-	RFQ	1548年	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDMF6823-600039			1
AOB414_001	-	RFQ	9859	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB41	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	6.6a（6a）（51A）（TC）	7V，10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	2200 PF @ 50 V	-	2.5W（TA），150W（TC）
IRFM220BTF	0.2900	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	200 v	1.13A（TC）	10V	800MOHM @ 570mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.4W（TC）
irfu6215pbf	-	RFQ	1501	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道	150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
irlr110trr	-	RFQ	6708	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
AONS21307	0.2614	RFQ	6543	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS213	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS21307TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	17a（17a），24a （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1995 pf @ 15 V	-	5W（5W），38W（tc）
RW1A025APT2CR	-	RFQ	4370	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A025	MOSFET （金属 o化物）	6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	P通道	12 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	16 NC @ 4.5 V	-8V	2000 pf @ 6 V	-	400MW（TA）
2SK2159-T1-AZ	-	RFQ	6837	肾脏	-	大部分	过时的							-				2156-2SK2159-T1-AZ			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²