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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP080N60E-GE3	4.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHP080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	RFQ	6564	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	（14a）（61A）（61A）（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 16a，10v	4V @ 270µA	23 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），75W（（（ta）
MCDS04N60-TP	-	RFQ	3003	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MCDS04N60	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件			353-MCDS04N60-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	600 v	4a	10V	3ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	760 pf @ 25 V	-	-
SCT3080ARC15	11.8400	RFQ	9965	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3080	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3080ARC15	Ear99	8541.29.0095	450	n通道	650 v	30A（TJ）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
SI3420A-TP-HF	-	RFQ	3103	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3420	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载				353-SI3420A-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	20 v	6a	2.5V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.25W
AOT2144L	1.0036	RFQ	1457	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT2144	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOT2144LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	205a（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5225 pf @ 20 V	-	8.3W（187W），187W（tc）
IPC26N10NRX1SA1	-	RFQ	1997	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC26N			下载					过时的		1
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	RFQ	3363	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ65	MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-22	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	750	n通道	650 v	64A（TC）	10V	40mohm @ 24.8a，10v	4.5V @ 1.24mA	97 NC @ 10 V	±20V	4975 PF @ 400 V	-	357W（TC）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）
DI280N10TL	-	RFQ	5338	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）	收费	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI280N10TLTR		8541.29.0000	1	n通道	100 v	280a（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	4.2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8150 PF @ 50 V	-	425MW（TC）
DI5A7N65D1K	-	RFQ	3548	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA（DPAK）	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-DI5A7N65D1KTR	Ear99	8541.29.0000	1	n通道	650 v	5.7A（TC）	10V	430MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±30V	722 PF @ 325 V	-	36W（TC）
C3M0350120J-Tr	4.3834	RFQ	5969	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0350120	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	-				1697-C3M0350120J-Tr			800	n通道	1200 v	7.2A（TC）	15V	455MOHM @ 3.6A，15V	3.6V @ 1mA	13 NC @ 15 V	+15V，-4V	345 PF @ 1000 V		40.8W（TC）
AOTF66919L	0.9678	RFQ	4178	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF66919	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOTF66919LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	25A（25A），50A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 50 V	-	8.3W（32W），32W（tc）
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD122	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
NTE2389	7.6700	RFQ	282	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2389	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	35A（TA）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		30V	2000 pf @ 25 V	-	125W（TA）
IRFPS3815pbf	-	RFQ	6082	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）	SUPER-247™to-274AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	150 v	105A（TC）	10V	15mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	441W（TC）
IRFR4104PBF	-	RFQ	8776	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FDS6673BZ-G	0.6600	RFQ	126	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6673BZ-GTR	Ear99	8541.29.0095	758	P通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±25V	4700 PF @ 15 V	-	1W（ta）
FQP19N20C	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
PH5030AL	0.2000	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							-						0000.00.0000	1
FDS6676AS-G	0.5600	RFQ	24	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6676AS-GTR	Ear99	8541.29.0095	893	n通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FS70SM-2＃201	5.9200	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
APT106N60LC6	20.9500	RFQ	63	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT106	MOSFET （金属 o化物）	TO-264（L）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT106N60LC6	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	106a（TC）	10V	35MOHM @ 53A，10V	3.5V @ 3.4mA	308 NC @ 10 V	±20V	8390 pf @ 25 V	-	833W（TC）
IMT65R107M1HXTMA1	-	RFQ	8797	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R			-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.3a（ta），3.6a（3.6a）TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
SI2319CDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	3.1A（ta），4.4a（tc）	4.5V，10V	77MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	595 pf @ 20 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
IRF7821pbf	1.0000	RFQ	9751	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXFH170N25X3	21.3100	RFQ	70	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH170	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
NTTFSS1D1N02P1E	1.0303	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn	NTTFSS1	MOSFET （金属 o化物）	9-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFSS1D1N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	39A（TA），264A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 27A，10V	2V @ 934µA	60 NC @ 10 V	±16V	4360 pf @ 13 V	-	2W（ta），89w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²