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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74			下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			-
PH6325L，115	-	RFQ	7306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PH63			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
YJL3401AQ	0.0640	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJL3401AQTR	Ear99		3,000
AUIRR1404ZS	1.7000	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FDME910PZT	1.0000	RFQ	3527	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn		MOSFET （金属 o化物）	Microfet 1.6x1.6薄	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道	20 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	24mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V	2110 PF @ 10 V	-	2.1W（TA）
APT20M22LVFRG	22.6100	RFQ	6451	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M22	MOSFET （金属 o化物）	TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	100A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	435 NC @ 10 V	±30V	10200 PF @ 25 V	-	520W（TC）
MTB4N40ET4-ON	0.9100	RFQ	147	Onmi	*	大部分	积极的							-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	800
NX602NBKS115	-	RFQ	5279	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
SIHFR024-GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IPC70N04S54R6ATMA1	1.1000	RFQ	4360	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC70N04	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	70A（TC）	7V，10V	4.6mohm @ 35a，10v	3.4V @ 17µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	50W（TC）
C3M0060065J-Tr	10.3980	RFQ	9391	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0060065	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	-				1697-C3M0060065J-Tr			800	n通道	650 v	36a（TC）	15V	79mohm @ 13.2a，15v	3.6V @ 5mA	46 NC @ 15 V	+15V，-4V	1020 PF @ 600 V		136W（TC）
HUF75631S3ST	4.2400	RFQ	464	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-HUF75631S3STTR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
MCMP06-TP	-	RFQ	2540	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	MCMP06		DFN2020-6U	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		2A（TA）		110MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA				Schottky 二极管（孤立）
apt8052bllg	14.9100	RFQ	8873	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT8052	MOSFET （金属 o化物）	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	15A（TC）		520MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 1mA	75 NC @ 10 V		2035 PF @ 25 V	-
SFT1345-H	-	RFQ	5290	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT134	MOSFET （金属 o化物）	IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道	100 v	11a（11a）	4V，10V	275MOHM @ 5.5A，10V	-	21 NC @ 10 V	±20V	1020 pf @ 20 V	-	1W（TA），35W（tc）（TC）
DMP3018SFVQ-7	-	RFQ	5363	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3018	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	30 V	（11a）（ta），35a（tc）	4.5V，10V	12mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	2147 PF @ 15 V	-	1W（ta）
r6004jnjgtl	2.2300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6004	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	4A（TC）	15V	1.43OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	260 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RFP15N05L	-	RFQ	4378	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RFP15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	50 V	15A（TC）	5V	140mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	RFQ	12	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	18A（TC）	10V	180MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 280µA	25 NC @ 10 V	±20V	1081 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IXFX30N50Q	-	RFQ	2778	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX30	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	416W（TC）
irfr014trlpbf-be3	1.5900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr014trlpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	7.7A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IPB013N06NF2SATMA1	3.9600	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB013	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	40a（40a），198a（198a）TC）	6V，10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 246µA	305 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 30 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
TSM035NB04LCZ	1.6825	RFQ	7136	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM035NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	40 V	18A（18A），157A（tc）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6350 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
NTHL185N60S5H	3.3784	RFQ	4176	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	15A（TC）	10V	185MOHM @ 7.5A，10V	4.3V @ 1.4mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	116W（TC）
SQJ409EP-T2_GE3	1.4900	RFQ	7432	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ409EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 25 V	-	68W（TC）
G33N03S	0.4000	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	13A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 8a，10v	1.1V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
JDX5012	0.6400	RFQ	22	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRFS7540pbf	-	RFQ	3973	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
AUIRFSL4115	2.4500	RFQ	6882	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²