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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFC250NB	-	RFQ	4149	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）	死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC250NB	过时的		1	-	200 v	-	-	-	-		-		-	-
PJE8428_R1_00001	0.4700	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	PJE8428	MOSFET （金属 o化物）	SOT-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJE8428_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道	30 V	300mA（TA）	1.2V，4.5V	1.2OHM @ 300mA，4.5V	1V @ 250µA	0.9 NC @ 4.5 V	±10V	45 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
IPD90P03P4L04ATMA2	2.7500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	90A（TC）		4.1MOHM @ 90A，10V	2V @ 253µA	160 NC @ 10 V	+5V，-16V	11300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
IRFS4310pbf	-	RFQ	4036	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
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2SK3827	-	RFQ	7946	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3827	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	100 v	40a（ta）	4V，10V	34mohm @ 20a，10v	2.6V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 20 V	-	1.75W（TA），60W（TC）
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DMN3300U-7	0.4600	RFQ	14	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3300	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	193 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
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Stu150N3LLH6	2.1400	RFQ	2	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu150	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4040 pf @ 25 V	-	110W（TC）
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Stu90n4f3	-	RFQ	5820	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu90	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
NTA4153NT1	-	RFQ	5114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA41	MOSFET （金属 o化物）	SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	915ma（ta）	1.5V，4.5V	230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.82 NC @ 4.5 V	±6V	110 pf @ 16 V	-	300MW（TJ）
AOD424G	0.2270	RFQ	6638	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD42	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOD424GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	20 v	30a（30a），46A （TC）	2.5V，4.5V	4.9Mohm @ 20a，4.5V	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	3300 PF @ 10 V	-	6.2W（ta），50W（TC）
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FDA38N30	-	RFQ	4934	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载						0000.00.0000	1	n通道	300 v	38A（TC）	10V	85mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	312W（TC）
BSP324L6327	0.2900	RFQ	147	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	170mA（TA）	4.5V，10V	25ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 94µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	154 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
ISP13DP06NMSATMA1	0.9000	RFQ	7726	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP13DP06	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	2.8A（ta）	-	-	-		±20V		-	-
SPP20N60S5	-	RFQ	1909年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP20N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	20A（TC）	10V	190MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	208W（TC）
SI7164DP-T1-GE3	2.9100	RFQ	984	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7164	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	60a（TC）	10V	6.25mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2830 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
NVMFS6B14NLT3G	-	RFQ	5072	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	（11a）（ta），55a tc（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±16V	1680 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
FDP33N25	2.1000	RFQ	1996	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	fdp33	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	33A（TC）	10V	94mohm @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2135 PF @ 25 V	-	235W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²