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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RE1E002SPTCL	0.3600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	RE1E002	MOSFET （金属 o化物）	EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	250mA（ta）	4V，10V	1.4OHM @ 250mA，10V	2.5V @ 1mA		±20V	30 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
FQP2N60	0.9000	RFQ	84	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	64W（TC）
TK5A65W，S5X	1.6000	RFQ	1655年	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A65	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	5.2a（ta）	10V	1.2OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W（TC）
IRFP460C	-	RFQ	2828	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IRFP4	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	235W（TC）
SIHA2N80E-GE3	1.6500	RFQ	26	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha2	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	2.8A（TC）	10V	2.75ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	29W（TC）
FDD390N15A	1.3600	RFQ	4848	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD390	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	26a（TC）	10V	40mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1285 PF @ 75 V	-	63W（TC）
FQI9N15TU	-	RFQ	2015	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI9	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
BSS169H6327XTSA1	0.4700	RFQ	98	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS169	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	170mA（TA）	0V，10V	6ohm @ 170mA，10v	1.8V @ 50µA	2.8 NC @ 7 V	±20V	68 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
IRFP4868PBF	-	RFQ	4090	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	300 v	70A（TC）	10V	32MOHM @ 42A，10V	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10774 PF @ 50 V	-	517W（TC）
SIHD6N80AE-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
FDMT80040DC	11.7100	RFQ	435	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT80040	MOSFET （金属 o化物）	8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	420a（TC）	6V，10V	0.56MOHM @ 64a，10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	26110 PF @ 20 V	-	156W（TC）
HUF764233	-	RFQ	1419	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
NVMFS5C646NLWFT3G	-	RFQ	7290	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
PMZ390UN，315	0.4900	RFQ	144	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	PMZ390	MOSFET （金属 o化物）	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	30 V	1.78A（TC）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
NTTFS015P03P8ZTWG	0.8000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS015	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	13.4A（TA），47.6A （TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	62.3 NC @ 10 V	±25V	2706 pf @ 15 V	-	2.66W（TA），33.8W（tc）
IQE013N04LM6SCATMA1	3.1000	RFQ	5893	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	PG-WHSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道	40 V	31a（TA），205a（tc）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80	P通道	80 V	15a		-	-		-		标准	125W
IPB140N08S404ATMA1	-	RFQ	5051	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB140	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	140a（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	161W（TC）
AOD208	-	RFQ	3936	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD20	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），62W（TC）
ISC16DP15LMATMA1	2.7900	RFQ	3539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC16DP15LMATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	5,000
HUF75631S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263ab）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
NTMFS5C450NLT1G	2.3300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
2SK1401A-E	4.2800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTB75N03-006	-	RFQ	2514	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
FDD5N50UTF_WS	-	RFQ	3815	Onmi	FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
PSMN015-110P，127	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN0			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
AUIRF9540N	1.0400	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道	100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FQD20N06TM	-	RFQ	4146	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1	n通道	60 V	16.8A（TC）	10V	63mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
IXFP36N20X3	4.6800	RFQ	387	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²