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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（QG））（最大） @ vgs	（ciss））（最大） @ vds
IPB024N08NF2SATMA1	3.1100	RFQ	779	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB024N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	107a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 85µA	133 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 40 V	-	150W（TC）
DMT10H9M9SSSSSS-13	0.4606	RFQ	1677年	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				DMT10			-			到达不受影响	31-DMT10H9M9SSSSSSSSS-13TR			2,500
STH275N8F7-2AG	5.9600	RFQ	3839	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH275	MOSFET （金属 o化物）	H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
FQP8N60C	1.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	247	n通道		7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36	±30V	1255	-	147W（TC）	10	25
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB70	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	70A（TC）	10V	88mohm @ 35a，10v	5.5V @ 8mA	265 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FDMC4435BZ-F127-L701	0.5273	RFQ	6317	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC4435BZ-F127-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	8.5a（ta），18a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 8.5a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），31W（tc）
2SK2631-TL-E	-	RFQ	6259	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK/TP-FA	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK2631-TL-E-488			1	n通道	800 v	1A（1A）	15V	10ohm @ 500mA，15v	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±30V	300 pf @ 20 V	-	1W（TA），30W（TC）
TSM60NB380CF	2.5238	RFQ	7234	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CF	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SSM3J372R，LXHF	0.4600	RFQ	20	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	6a（6a）	1.8V，10V	42MOHM @ 5A，10V	1.2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	+6V，-12V	560 pf @ 15 V	-	1W（ta）
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177	n通道	120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
FDP13AN06A0_NL	-	RFQ	4876	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	10.9a（ta），62a（tc）	6V，10V	13.5Mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
AOD66923	1.1200	RFQ	12	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD66	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	16.5A（TA），58A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 50 V	-	6.2W（ta），73w（tc）
BUK7675-100A，118	0.8600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	23A（TC）	10V	75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99W（TC）
STD30NF04LT	-	RFQ	5248	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD30N	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	30A（TC）	5V，10V	30mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	-	50W（TC）
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的							-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HAT2218R0T-EL-E	Ear99	8541.29.0075	1
NTBG040N120SC1	24.3300	RFQ	760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NTBG040	sicfet （碳化硅）	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1789 PF @ 800 V	-	357W（TC）
SCT3060ALHRC11	25.3100	RFQ	282	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3060	sicfet （碳化硅）	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	39A（TC）	18V	78mohm @ 13a，18v	5.6V @ 6.67mA	58 NC @ 18 V	+22V，-4V	852 PF @ 500 V	-	165W
STH240N75F3-6	6.6600	RFQ	6752	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH240	MOSFET （金属 o化物）	H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	75 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2706GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	（11a）（ta），20A （TC）	4V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	7.1 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	（3W）（15W）（15W）TC）
IRFR214TRPBF	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
2SK3573-az	2.4500	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	123
FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
IPI70N10SL16AKSA1	-	RFQ	9826	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI70N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
NTD4809NA-1G	-	RFQ	5704	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	9.6a（ta），58a tc）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
PH3830DLX	-	RFQ	2248	Nexperia USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1,500
DMN63D1L-13	0.0340	RFQ	4964	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN63	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	380mA（ta）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA	0.3 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	370MW（TA）
NVTFS5116PLWFTAG	1.5100	RFQ	7388	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5116	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	P通道	60 V	6a（6a）	4.5V，10V	52MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1258 pf @ 25 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST006	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	（58A）（TA），475a （TC）	6V，10V	0.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
IPDQ60T017S7AXTMA1	12.7508	RFQ	5104	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPDQ60T017S7AXTMA1TR			750
HUF75345S3S	1.0000	RFQ	1906年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²