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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NTMYS2D9N04CLTWG	1.7177	RFQ	3623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS2	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NTMYS2D9N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 11µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
IRLR4343TRRPBF	-	RFQ	5937	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Stu5n			-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3,000
IRFL214Tr	-	RFQ	8398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
FDC658APG	-	RFQ	3188	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				FDC658			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC658APGTR	过时的		3,000			-
IXFK44N50Q	-	RFQ	2619	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK44	MOSFET （金属 o化物）	TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
FDD6690S	0.6300	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	40a（ta）	10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	2010 PF @ 15 V	-	1.3W（TA）
HAT2256RWS-E	-	RFQ	9502	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	8a（8a）	4.5V，10V	30mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1210 PF @ 10 V	-	2W（TA）
PJU4NA70_T0_00001	-	RFQ	5360	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PJU4NA70	MOSFET （金属 o化物）	TO-251AA	-				3757-PJU4NA70_T0_001	过时的		1	n通道	700 v	4A（ta）	10V	2.8ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	514 pf @ 25 V	-	77W（TC）
FDB6030BL	3.2000	RFQ	82	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	60W（TC）
R6547KNZ4C13	15.3400	RFQ	7294	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6547	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6547KNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	47A（TC）	10V	80mohm @ 25.8a，10v	5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4100 PF @ 25 V	-	480W（TC）
AON2411	-	RFQ	8420	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-PowerWFDFN	AON24	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	8mohm @ 12a，4.5V	900mv @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	2180 pf @ 6 V	-	5W（ta）
Si4435dytrpbf	1.0300	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPA60R520CPXKSA1	-	RFQ	4674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	30W（TC）
PSMN5R0-30YL，115	0.9700	RFQ	8420	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN5R0	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	91A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 12 V	-	61W（TC）
SPI07N65C3HKSA1	-	RFQ	6873	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI07N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FF6MR12W2M1HB70BPSA1	252.3600	RFQ	1381	Infineon技术	-	托盘	积极的							-		（1 （无限）	到达不受影响				15
FQB22P10TM-F085	-	RFQ	3563	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），125W（（tc）
NTMFS5C430NT3G	1.8724	RFQ	1863年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	35A（35A），185A （TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
C2M1000170J	10.0700	RFQ	880	Wolfspeed，Inc。	C2M™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7 （直线直线）	C2M1000170	sicfet （碳化硅）	D2PAK（7铅）	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1700 v	5.3A（TC）	20V	1.4OHM @ 2A，20V	3.1V @ 500µA（typ）	13 NC @ 20 V	+25V，-10V	200 pf @ 1000 V	-	78W（TC）
DMT69M8LFV-7	0.7800	RFQ	980	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT69	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	45A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.5A，10V	3V @ 250µA	33.5 NC @ 10 V	±16V	1925 PF @ 30 V	-	42W（TC）
STF24NM65N	-	RFQ	2416	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	19a（tc）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 50 V	-	40W（TC）
TK12A50W，S5X	2.1100	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	35W（TC）
IXFQ8N85X	4.5552	RFQ	8060	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ8N85	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfq8n85x	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	850 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	654 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXTT74N20P	7.2430	RFQ	7227	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT74	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	74A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFK220N20X3	20.7100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220	MOSFET （金属 o化物）	TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
SI2366ds-T1-BE3	0.4600	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2366DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4.5A（ta），5.8a tc）	4.5V，10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
TSM2N7002KCX RFG	-	RFQ	7633	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
SQJQ186ER-T1_GE3	2.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	SQJQ186	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	329a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SI3440ADV-T1-GE3	0.4700	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3440	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	2.2A（TC）	7.5V，10V	380MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 75 V	-	3.6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²