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单FET，MOSFET（（44971）

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NTMS4937NR2G	1.5600	RFQ	108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS4937	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n通道	30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	38.5 NC @ 10 V	±20V	2563 PF @ 25 V	-	810MW（TA）
ISZ0703NLSATMA1	1.1100	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0703N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	（13A）（ta），56a （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 15µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
H5N2007LSTL-E	-	RFQ	2306	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-		-	-	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	-		25A（TJ）	-	-	-		-		-	-
R6018Jnjgtl	4.2600	RFQ	626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6018	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	18A（TC）	15V	286mohm @ 9a，15v	7V @ 4.2mA	42 NC @ 15 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	220W（TC）
SPA11N60CFDXKSA1	2.5347	RFQ	6513	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 1.9mA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
FQB34P10TM	3.0500	RFQ	4844	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB34P10	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道	100 v	33.5a（TC）	10V	60mohm @ 16.75a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	2910 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
PSMN130-200D，118	-	RFQ	4010	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
IXFH26N100X	19.7800	RFQ	5621	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	26a（TC）	10V	320MOHM @ 13A，10V	6V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	860W（TC）
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IPI530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5036	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI530	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	150 v	21a（TC）	8V，10V	53mohm @ 18a，10v	4V @ 35µA	12 nc @ 10 V	±20V	887 PF @ 75 V	-	68W（TC）
AOD4186	0.2558	RFQ	7688	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD418	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	（10a ta），35a tc（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
STW58N65DM2AG	11.6700	RFQ	8672	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW58	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	48A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±25V	4100 PF @ 100 V	-	360W（TC）
IXTP20N65X2	5.0500	RFQ	279	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
2SJ296STL-E	4.3800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	69
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to251-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IAUZ20N08S5L300ATMA1	1.1300	RFQ	7150	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUZ20	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	20A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2V @ 8µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	599 pf @ 40 V	-	30W（TC）
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IRF1324S-7ppbf	-	RFQ	1518年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1	n通道	24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IAUC100N08S5N031ATMA1	2.8800	RFQ	2499	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	100A（TC）	6V，10V	3.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 95µA	76 NC @ 10 V	±20V	5525 pf @ 40 V	-	167W（TC）
MCU20N15-TP	-	RFQ	1040	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	20A（TC）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	68W
DMN2500UFB4-7B	-	RFQ	7480	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMN2500	MOSFET （金属 o化物）	X2-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2500UFB4-7BDI	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	810mA（ta）	1.8V，4.5V	400mohm @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.737 NC @ 4.5 V	±6V	60.67 pf @ 16 V	-	460MW（TA）
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auirlr3410trl	2.4800	RFQ	2728	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR3410	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRF9541	1.7700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	80 V	19a（tc）	10V	200mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
NTTFS4930NTAG	0.5700	RFQ	27	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4930	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	4.5A（TA），23a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	476 pf @ 15 V	-	（790MW）（TA），20.2W（tc）
IRF9332TRPBF	0.8000	RFQ	469	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9332	MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道	30 V	9.8A（ta）	4.5V，10V	17.5MOHM @ 9.8A，10V	2.4V @ 25µA	41 NC @ 10 V	±20V	1270 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPP50R500CEXKSA1	-	RFQ	7144	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IPP50R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	7.6A（TC）	13V	500mohm @ 2.3a，13v	3.5V @ 200µA	18.7 NC @ 10 V	±20V	433 pf @ 100 V	-	-
IRLR8743PBF	-	RFQ	9970	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²