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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IXFP36N55X2	8.8776	RFQ	1281	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixfp36	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp36n55x2	Ear99	8541.29.0095	50	-		-	-	-	-		-		-	-
FDMS5352	2.9300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS53	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	13.6A（TA），49A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 13.6A，10V	3V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	6940 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
PMN40UPEA115	0.2700	RFQ	46	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
MTD5P06VT4G	-	RFQ	6166	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MTD5P	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	5A（TC）	10V	450MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±15V	510 pf @ 25 V	-	2.1W（ta），40W（TC）
UPA2631T1R-E2-AX	-	RFQ	2085	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	UPA2631	MOSFET （金属 o化物）	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	62MOHM @ 3A，1.8V	-	12.5 NC @ 4.5 V	±8V	1240 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
DMP2045UQ-7	0.4800	RFQ	43	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2045	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMP2045UQ-7DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±8V	634 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SIR158DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir158	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IXFN34N100	-	RFQ	8901	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN34	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	1000 v	34A（TC）	10V	280MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	700W（TC）
2SK1313-01L-E	2.0900	RFQ	281	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PJMB210N65EC_R2_00601	2.2700	RFQ	276	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PJMB210	MOSFET （金属 o化物）	TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	650 v	19a（tc）	10V	210MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1412 PF @ 400 V	-	150W（TC）
NTD78N03R-035	0.2100	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SQA401EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2854	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA401	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.75A（TC）	2.5V，4.5V	125mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
PJD8NA50_L2_00001	-	RFQ	6138	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD8N	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD8NA50_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	500 v	8a（8a）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	16.2 NC @ 10 V	±30V	826 pf @ 25 V	-	130W（TC）
TSM60NB099PW C1G	15.1800	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	329W（TC）
BUK9Y53-100B，115	1.1000	RFQ	31	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y53	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	23A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	18 nc @ 5 V	±15V	2130 PF @ 25 V	-	75W（TC）
R6018JNXC7G	5.0700	RFQ	3	Rohm半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6018	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	18A（TC）	15V	286mohm @ 9a，15v	7V @ 4.2mA	42 NC @ 15 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	72W（TC）
APT17F120J	34.0700	RFQ	9357	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT17F120	MOSFET （金属 o化物）	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1200 v	18A（TC）	10V	580MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	545W（TC）
MTP75N06HD	1.0700	RFQ	9803	Onmi	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2156-MTP75N06HD	Ear99	8541.29.0095	1
NTTFS5826NLTAG	0.8500	RFQ	7800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5826	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	8a（8a）	4.5V，10V	24mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），19w（（（（（（（（
SI3429EDV-T1-GE3	0.4700	RFQ	2398	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3429	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	8a（8a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	21MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±8V	4085 pf @ 50 V	-	4.2W（TC）
TP86R203NL，LQ	0.9000	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TP86R203	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（19a ta）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 9A，10V	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1W（TC）
NTBGS001N06C	14.4800	RFQ	659	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	42A（ta），342a （TC）	10V，12V	1.1MOHM @ 112A，12V	4V @ 562µA	139 NC @ 10 V	±20V	11110 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），245W（TC）
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF3704ZPBF	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
UPA1727G-E1-AT	1.5400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1727G-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	19mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 10 V	-	2W（TA）
FDMC86259P	2.9300	RFQ	5616	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86259	MOSFET （金属 o化物）	Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	150 v	3.2a（ta），13a（tc）	6V，10V	107MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 75 V	-	2.3W（TA），62W（TC）
V30433-T1-GE3	-	RFQ	9520	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30433			-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
IRF3808STRRPBF	-	RFQ	9626	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570154	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FDBL86210-F085	6.1400	RFQ	275	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL86210	MOSFET （金属 o化物）	8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	150 v	169a（TC）	10V	6.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5805 PF @ 75 V	-	500W（TJ）
FDD6778A	-	RFQ	2742	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD677	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	（12A）（TA），10A （TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），24W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²