射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
PXAE213708NB-V1-R2	85.3006	询价	1835年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS	PG-HB2SOF-8-1	下载				1697-PXAE213708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250		10微安	750毫安	54W	16分贝	-	29伏
2SK3487-TD-E	0.2100	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
ST9060C	76.8980	询价	1686	意法半导体	-	盒子	的积极	94V	安装结构	M243	ST9060	1.5GHz	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		12A		80W	17.3分贝	-
SCH2806-TL-E	0.0600	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
ON5451,518	-	询价	2378	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极			-		-	-	-	-					EAR99	8541.29.0095	1	-	-		-	-	-
MRF1513T1	-	询价	8729	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	40V	表面贴装	PLD-1.5		520兆赫	场效应晶体管	PLD-1.5	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000	N沟道	1微安	50毫安	3W	11分贝	-	12.5V
2SK3617-E	0.5500	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
PTFC262157SH-V1-R250	-	询价	6281	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的				PTFC262157				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
BLA0912-250R	-	询价	8377	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极	75V	安装结构	SOT-502A		960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502A	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		1微安	150毫安	250W	13分贝	-	36V
MRFG35002N6T1	11.0600	询价	2	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	8V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000		-	65毫安	1.5W	10分贝	-	6V
BLF7G10LS-250	-	询价	3834	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		869MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				100		5微安	1.8安	250W	19.5分贝	-	30V
BLF7G24LS-140	-	询价	1619	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20		5微安	1.3A	140W	18.5分贝	-	28V
BLF7G27LS-90P,112	70.2800	询价	16	恩智浦	-	管子	的积极	65V		SOT-1121B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源	18A	720毫安	16W	18.5分贝	-	28V
FTD2017A-TL-E	-	询价	3521	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
A2I20H060GNR1	30.9400	询价	500	恩智浦半导体	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	TO-270WBG-15		1.8GHz～2.2GHz	LDMOS（双）	TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 N 沟道	-	24毫安	12W	32.4分贝	-	28V
BLF6G27LS-40P,112	75.6200	询价	40	恩智浦	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	SOT-1121B		2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载					EAR99	8541.29.0075	4	双重、共同来源	-	450毫安	12W	17.5分贝	-	28V
BLC8G27LS-140AV518-AMP	1.0000	询价	2	Ampleon美国公司	BLC	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-1275-1		2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT-1275-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	1.4微安	320毫安	140W	14.5分贝	-	28V
CGH35015F	94.9500	询价	31	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V	表面贴装	440196	CGH35015	3.3GHz～3.9GHz	HEMT	440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	15W	12分贝	-	28V
GTRB226002FC-V1-R0	154.4796	询价	3406	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB226002	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB226002FC-V1-R0TR			50	-	-		450W	15分贝	-
CLF1G0035-200P	1.0000	询价	1919年	罗彻斯特电子有限责任公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CLF1G0035-200P-2156	EAR99	8541.29.0095	1
BLF1046	73.2400	询价	1	罗彻斯特电子有限责任公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-BLF1046-2156			1
EC4301C-TL	0.0600	询价	350	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
GTRB424908FC/1-V1-R0	210.0922	询价	2807	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248KC-6/2	GTRB424908	3.7GHz～4GHz	HEMT	H-37248KC-6/2	-				1697-GTRB424908FC/1-V1-R0TR			50	-	-		450W	12分贝	-
EC4404C-TL	0.0800	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
50C02SP-AC	0.1500	询价	12	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
BLF184XRSU	188.9200	询价	60	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	135V	表面贴装	SOT-1214B	BLF184	108兆赫	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	100毫安	700W	23.9分贝	-	50V
BLF7G10L-250,112	-	询价	2221	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G10	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	1.8安	60W	19.5分贝	-	30V
BLC10G27XS-400AVTY	85.5450	询价	第3139章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT1258-4	-	符合ROHS3标准			1603-BLC10G27XS-400AVTYTR			100	2 N 沟道（双）公共源	2.8微安		400W	13.3分贝	-	28V
GTVA212701FA-V2-R2	138.2003	询价	1037	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-87265J-2	GTVA212701	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-87265J-2	下载				1697-GTVA212701FA-V2-R2	EAR99	8541.29.0075	250		-	320毫安	270W	19分贝	-	48V
GTVA311801FA-V1-R0	432.7000	询价	48	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37265J-2	GTVA311801	2.7GHz～3.1GHz	HEMT	H-37265J-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50		-	20毫安	180W	15分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²