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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 噪声系数 | 电压 - 测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MW7IC930NR1 | 59.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | TO-270-16 变体,薄牛皮 | 920MHz~960MHz | LDMOS(双) | TO-270WB-16 | - | 2156-MW7IC930NR1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 6 | 2 N 沟道 | 10微安 | 第285章 | 3.2W | 35.9分贝 | - | 28V | |||||
![]() | CGHV96130F-AMP | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 大部分 | 的积极 | 120V | 安装结构 | 440217 | 8.4GHz~9.6GHz | HEMT | 440217 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8543.70.9810 | 1 | - | 1A | 130W | 13.8分贝 | - | 40V | |||||
![]() | PD85015STR-E | - | ![]() | 1949年 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 40V | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2条直读) | PD85015 | 870兆赫 | LDMOS | PowerSO-10RF(直读) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 5A | 150毫安 | 15W | 16分贝 | - | 13.6V | ||||
ARF476FL | 158.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 托盘 | 的积极 | 500V | - | ARF476 | 128兆赫 | 场效应晶体管 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N 沟道(双)公共源 | 10A | 15毫安 | 900W | 16分贝 | - | 150伏 | ||||
![]() | PTFB072707FH-V1-R0 | - | ![]() | 3785 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 过时的 | 65V | 安装结构 | H-34288G-4/2 | 768兆赫 | LDMOS | H-34288G-4/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | 10微安 | 2A | 60W | 18.5分贝 | - | 28V | |||||
![]() | STMFS4834NST | 0.5300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,500人 | ||||||||||||||||
![]() | BLC10G15XS-301AVTY | 79.2450 | ![]() | 4594 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 65V | 安装结构 | SOT-1275-1 | BLC10 | 1.452GHz~1.492GHz | LDMOS | 东风六号 | - | 符合ROHS3标准 | 1603-BLC10G15XS-301AVTYTR | 100 | 2 N 沟道(双)公共源 | 1.4微安 | 300毫安 | 350W | 18分贝 | - | 30V | |||||
![]() | BLF278 | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | CPH3437-TL-E | 0.1500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP5150GNR1,528 | 35.4100 | ![]() | 第475章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 133伏 | 表面贴装 | TO-270BB | 1.8MHz~600MHz | LDMOS | TO-270 WB-4海鸥 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | 5微安 | 100毫安 | 150W | 26.1分贝 | - | 50V | |||
![]() | DC35GN-15-Q4 | - | ![]() | 第1672章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 125V | 表面贴装 | 24-TFQFN 裸露焊盘 | - | HEMT | 24-QFN (4x4) | 下载 | REACH 不出行 | 150-DC35GN-15-Q4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 40毫安 | 19W | 18.6分贝 | - | 50V | |||||
![]() | 2SJ316-TD-E | 0.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MRF085HR5178 | 146.7100 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-MRF085HR5178-954 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-200PU | - | ![]() | 6477 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | - | - | - | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | - | - | - | - | - | |||||||||
![]() | ATF-53189-黑色 | - | ![]() | 6064 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 大部分 | 过时的 | 7V | TO-243AA | 900兆赫 | pHEMT | SOT-89-3 | 下载 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 100 | 300毫安 | 135毫安 | 21.7分贝 | 17.2分贝 | 0.8分贝 | 4V | ||||||
![]() | 2SK3819-DL-E | 0.9600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MMRF1304NR1 | 25.6700 | ![]() | 410 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 133伏 | 表面贴装 | TO-270AA | 1.8MHz~2GHz | LDMOS | TO-270-2 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-MMRF1304NR1 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7微安 | 10毫安 | 25W | 25.4分贝 | - | 50V | ||||
![]() | BLA9G1011LS-300GU | 257.3600 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 托盘 | SIC停产 | 安装结构 | SOT-502E | BLA9 | 1.03GHz~1.09GHz | LDMOS | CDFM2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 4.2微安 | 100毫安 | 317W | 21.8分贝 | - | 32V | ||||
NE3515S02-T1D-A | 0.6700 | ![]() | 第654章 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 大部分 | 过时的 | 4V | 4-SMD,写入 | 12GHz | 高频场效应晶体管 | S02 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88毫安 | 10毫安 | 14分贝 | 12.5分贝 | 0.3分贝 | 2V | ||||||||
![]() | BLC9G22LS-120VTY | - | ![]() | 9971 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 表面贴装 | SOT-1271-2 | BLC9 | 2.11GHz~2.18GHz | LDMOS | SOT1271-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 100 | 2.8微安 | 700毫安 | 120W | 18.1分贝 | - | 28V | ||||
![]() | 2SK2406-TL-E | 0.5300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 700 | ||||||||||||||||
![]() | A2T21S260-12SR3 | - | ![]() | 5725 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | NI-780-2S2L | A2T21 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780-2S2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935320716128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2A | 65W | 18.7分贝 | - | 28V | ||
![]() | BLC10G22XS-600AVTY | 101.2350 | ![]() | 3381 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 65V | 表面贴装 | SOT-1258-4 | BLC10 | 2.11GHz~2.17GHz | LDMOS | SOT1258-4 | - | 符合ROHS3标准 | 1603-BLC10G22XS-600AVTYTR | 100 | 2 N 沟道(双)公共源 | 2.8微安 | 2A | 600W | 15分贝 | - | 32V | |||||
![]() | 2SK3412-TL-E | 0.4300 | ![]() | 198 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 700 | ||||||||||||||||
![]() | 2SK1470-TD-E | 0.3100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MCH3402-TL-E | 0.1600 | ![]() | 54 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | PTFB201402FC-V1-R0 | - | ![]() | 8385 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | H-37248-4 | 2.01GHz~2.025GHz | LDMOS | H-37248-4 | - | 1697-PTFB201402FC-V1-R0 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重、共同来源 | 10微安 | 650毫安 | 140W | 16分贝 | - | 28V | |||||
![]() | A2I22D050NR1 | 51.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | TO-270WB-15 | 1.8GHz~2.2GHz | LDMOS(双) | TO-270WB-15 | - | 2156-A2I22D050NR1 | 6 | 2 N 沟道 | 10微安 | 第520章 | 5.3W | 31.1dB@1.88GHz | - | 28V | |||||||
![]() | BLC2425M10LS500PY | 140.4300 | ![]() | 3227 | 0.00000000 | Ampleon美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 65V | 表面贴装 | SOT1250-1 | BLC2425 | 2.4GHz~2.5GHz | LDMOS | SOT1250-1 | - | 符合ROHS3标准 | 1603-BLC2425M10LS500PYTR | 100 | 2 N 沟道(双)公共源 | 4.2微安 | 20毫安 | 500W | 14.5分贝 | - | 32V | |||||
![]() | AFT26HW050GSR3-恩智浦 | 115.4500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 |
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