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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLF2425M8LS140112	-	RFQ	8265	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v				2.45GHz	ldmos		-						0000.00.0000	1		-	1.3 a	140W	19db	-	28 V
BLP10H603AZ	-	RFQ	4374	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	104 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP10	860MHz	ldmos	12-hvson（6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60		-	15 ma	2.5W	22.8db	-	50 V
CLF3H0035-100U	214.0200	RFQ	15	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	150 v	底盘安装	SOT-467C		0Hz〜3.5GHz	hemt	SOT467C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-	300 MA	100W	15DB	-	50 V
RF5L051K4CB4	180.0000	RFQ	5585	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	D4E	RF5L051K4	500MHz	ldmos	D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K4CB4			100	-	1µA	200 ma	1400W	20.5dB	-	50 V
MRF6VP3450HR5	199.1900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	860MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4 a	90W	22.5dB	-	50 V
BLF6G20-180PN，112	-	RFQ	3259	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-539A	BLF6G20	1.8GHz〜1.88GHz	ldmos	SOT539A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.6 a	50W	18db	-	32 v
NE5500234-T1-AZ	2.6200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	20 v		TO-243AA		1.9GHz	MOSFET	SOT-89	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	115	n通道	1a	400 MA	32.5dBm	-	-	4.8 v
LET9045	-	RFQ	9310	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	80 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	LET9045	960MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		9a	300 MA	59W	17.5db	-	28 V
PXAC260602FC-V1-R0	82.5176	RFQ	6017	Wolfspeed，Inc。	-	条	积极的	65 v	底盘安装	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8542.33.0001	50		-	85 MA	5W	15.7dB	-	28 V
PD55008L-E	-	RFQ	6067	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		8-Powervdfn	PD55008	500MHz	ldmos	PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		5a	150 ma	8W	19db	-	12.5 v
MRF8S26120HSR3	-	RFQ	8492	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF8	2.69GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935310363128	Ear99	8541.29.0075	250		-	900 MA	28W	15.6dB	-	28 V
MMRF2011NT1	-	RFQ	9893	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	28 V	表面安装	24-PowerQfn	MMRF2	728MHz〜960MHz	ldmos	24-PQFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935336897528	Ear99	8541.29.0075	1,000		-		1.6W	-	-
MD7P19130HSR3	-	RFQ	3730	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MD7P1	1.99GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	1.25 a	40W	20dB	-	28 V
MMBF4416	-	RFQ	1205	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF44	100MHz	JFET	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	3,000	n通道	15mA	5 ma	-	18db	2DB	15 v
LET9045STR	-	RFQ	7571	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80 V		Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）	LET9045	960MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		1µA	300 MA	45W	18.5db	-	28 V
MMRF1013HSR5	-	RFQ	6439	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1013	2.9GHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318222178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	320W	13.3db	-	30 V
MRF6V4300NBR5	-	RFQ	9930	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	TO-272BB	MRF6	450MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	900 MA	300W	22DB	-	50 V
MMRF1304GNR1	34.2856	RFQ	8574	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	表面安装	TO-270BA	MMRF1304	512MHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315325528	Ear99	8541.29.0075	500		-	10 MA	25W	25.4db	-	50 V
ON5447,518	-	RFQ	3721	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	ON5447	-	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288028518	Ear99	8541.29.0095	600	-	-		-	-	-
BF908,215	-	RFQ	4741	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF908	200MHz	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	0.6dB	8 V
BLF879P，112	-	RFQ	9497	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	104 v	底盘安装	SOT-539A		860MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	1.3 a	200W	21dB	-	42 v
BF244C_J35Z	-	RFQ	6218	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF244	100MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	50mA		-	-	1.5dB	15 v
MRF7S18170HSR5	-	RFQ	1611	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-880S	MRF7	1.81GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.4 a	50W	17.5db	-	28 V
MRF6VP2600HR5	-	RFQ	9171	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	2.6 a	125W	25DB	-	50 V
BLF6G20-180RN，112	-	RFQ	5858	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G20	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934062731112	Ear99	8541.29.0075	20		49a	1.4 a	40W	17.2db	-	30 V
BF5030WH6327XTSA1	-	RFQ	3870	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF5030	800MHz	MOSFET	PG-SOT343-4-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	25mA	10 MA	-	24dB	1.3dB	3 V
SCH2817-TL-H	0.1000	RFQ	720	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
MRF5S21045MR1	-	RFQ	5967	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-270-4	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	500 MA	10W	14.5db	-	28 V
A3T09S100NR1	22.0500	RFQ	6684	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270-2		136MHz〜941MHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		10µA	450 MA	100W	22.8db	-	28 V
MRF6S27085HSR5	-	RFQ	7051	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.66GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	900 MA	20W	15.5db	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²