射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF6VP41KHR6	-	询价	5850	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	110V	安装结构	NI-1230	MRF6	450兆赫	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	150	双重的	-	150毫安	1000W	20分贝	-	50V
A2T18S260-12SR3	-	询价	7537	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-2S2L	A2T18	1.805GHz～1.995GHz	LDMOS	NI-780-2S2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318801128	EAR99	8541.29.0075	250		10微安	1.4A	257W	18.9分贝	-	28V
BLM7G1822S-20PBGY	-	询价	6647	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-1212-3	BLM7	2.17GHz	LDMOS	16-HSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重的	-		2W	32.3分贝	-	28V
MRF6V3090NBR5578	-	询价	3344	恩智浦	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
AFT26H200W03SR6	-	询价	8143	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4S	AF26	2.5GHz	LDMOS	NI-1230-4S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311201128	EAR99	8541.29.0095	150		-	500毫安	45W	14.1分贝	-	28V
MHT1108NT1	-	询价	4254	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	16-VDFN 裸露焊盘	MHT11	2.45GHz	LDMOS	16-DFN (4x6)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	935337042515	EAR99	8541.29.0075	1,000		10微安	110毫安	12.5W	18.6分贝	-	32V
PTVA120501EA-V1-R0	64.7600	询价	9657	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	H-36265-2	PTVA120501	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	50毫安	50W	17分贝	-	50V
CLF1G0060S-30U	144.3750	询价	7998	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	表面贴装	SOT-1227B	CLF1G0060	3GHz～3.5GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT1227B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	70毫安	30W	13分贝	-	50V
BLF8G22LS-270J	-	询价	2632	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		-	2.4A	80W	17.7分贝	-	28V
BF245C	-	询价	4233	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BF245	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	25毫安		-	-	-
MRF18030ALSR5	-	询价	9311	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400S	MRF18	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	50		-	250毫安	30W	14分贝	-	26V
3SK324UG-TL-E	-	询价	2895	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	6V	表面贴装	SC-82A、SOT-343		-	场效应晶体管	CMPAK-4	-		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	3,000	N 沟道双感应	-	10毫安	-	24分贝	1分贝	3.5V
MRF5S9150HR5	-	询价	2289	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF5	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.5A	33W	19.7分贝	-	28V
PTFB093608FVV2R250XTMA1	-	询价	5295	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000997836	EAR99	8541.29.0095	250
BLM8G0710S-15PBY	43.9200	询价	1	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-1211-3	BLM8	957.5兆赫	LDMOS	16-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100	双重的	-	15毫安	1.5W	36.1分贝	-	28V
MRF8S18120HSR5	-	询价	2568	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310108178	5A991G	8541.29.0075	50		-	800毫安	72W	18.2分贝	-	28V
PTFA071701EV4R250XTMA1	-	询价	6014	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA071701	765兆赫	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	250		-	900毫安	150W	18.7分贝	-	30V
BLF7G27LS-90P,112	-	询价	6512	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064499112	EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	18A	720毫安	16W	18.5分贝	-	28V
ATF-551M4-黑色	-	询价	5995	博通有限公司	-	大部分	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-551M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	100		100毫安	10毫安	14.6分贝	17.5分贝	0.5分贝	2.7V
MRF9045LR1	-	询价	9782	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-360	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	350毫安	45W	18.8分贝	-	28V
AFT05MP075GNR1	15.7228	询价	7722	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	40V	表面贴装	TO-270BB	AF05	520兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935311172528	5A991G	8541.29.0040	500	双重的	-	400毫安	70W	18.5分贝	-	12.5V
BLC9H10XS-300PZ	-	询价	5457	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	108V	表面贴装	SOT-1273-1	BLC9	600MHz～960MHz	LDMOS	SOT1273-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.4微安	600毫安	300W	21分贝	-	50V
MMBFJ309LT1G	0.3600	询价	29	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	25V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ309	-	结型场效应晶体管	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	30毫安		-	-	-
MRF6S9130HR5	-	询价	3487	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	950毫安	27W	19.2分贝	-	28V
BLF8G22LS-270V,118	-	询价	5313	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066767118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2.4A	80W	17.3分贝	-	28V
DE150-501N04A	-	询价	2682	IXYS-RF	德	管子	过时的	500V		6-SMD，写入裸露焊盘	DE150	-	场效应晶体管	DE150	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	40	N沟道	4.5A	25微安	200W	-	-
MRF8S18210WGHSR3	127.9372	询价	5485	恩智浦	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	表面贴装	NI-880XS-2 GW	MRF8S18210	1.93GHz	场效应晶体管	NI-880XS-2 海鸥	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935310994128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道	-	1.3A	50W	17.8分贝	-	30V
A2T18S262W12NR3	-	询价	3406	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	OM-880X-2L2L	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	OM-880X-2L2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		10微安	1.6安	231W	19.3分贝	-	28V
PTFB212507SHV1R250XTMA1	-	询价	9114	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极				PTFB212507				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001015178	EAR99	8541.29.0095	250
PTVA123501ECV2XWSA1	-	询价	2346	英飞凌科技	-	托盘	过时的	105V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001237182	EAR99	8541.29.0095	50	双重的	10微安		350W	17分贝	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²