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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF9135LR5	94.7000	RFQ	20	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		SOT-957A	MRF91	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	1.1 a	25W	17.8db	-	26 V
MRF8P23080HSR3	-	RFQ	7619	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935321471128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	280 MA	16W	14.6dB	-	28 V
MRF8S21100HSR3	101.3300	RFQ	905	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	250		10µA	700 MA	24W	18.3db	-	28 V
AFV09P350-04GNR3	233.1000	RFQ	253	自由度半导体	-	大部分	积极的	105 v	表面安装	OM-780G-4L		920MHz	ldmos	OM-780G-4L	下载					5A991G	8541.29.0075	1	双重的	-	860 MA	100W	19.5db	-	48 v
MRF5S19150HSR5	127.4800	RFQ	150	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-880S	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	50		-	1.4 a	32W	14dB	-	28 V
MRF6VP3450HR6	-	RFQ	7297	自由度半导体	-	大部分	积极的	110 v		NI-1230	MRF6	860MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	双重的	-	1.4 a	90W	22.5dB	-	50 V
MRF21085R3	146.7600	RFQ	162	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	SOT-957A		2.11GHZ〜2.17GHz	MOSFET	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	10µA	1 a	90W	13.6dB	-	28 V
MRF5S9150HR5	83.1600	RFQ	100	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		SOT-957A	MRF5	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	1.5 a	33W	19.7db	-	28 V
PD85004	-	RFQ	8401	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V	表面安装	TO-243AA	PD85004	870MHz	ldmos	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		2a	50 mA	4W	17dB	-	13.6 v
MRFG35010NT1	37.5500	RFQ	2	自由度半导体	-	大部分	积极的	15 v		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000		-	180 MA	9W	10dB	-	12 v
AFT26HW050GSR3	-	RFQ	9284	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-780GS	AFT26	2.69GHz	ldmos	NI-780GS-4L4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1	双重的	-	100 ma	9W	14.2db	-	28 V
MRF6S27050HR5	60.6700	RFQ	29	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		SOT-957A	MRF6	2.62GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	500 MA	7W	16dB	-	28 V
MRF5S9150HR5	-	RFQ	2289	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF5	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.5 a	33W	19.7db	-	28 V
MWT-PH27F	12.6000	RFQ	90	微波技术公司	-	案件	积极的			死		26GHz	Phemt fet	芯片	下载		（1 （无限）		1203-MWT-PH27F	Ear99	8541.29.0095	10		120mA	1 MA	25dBm	14dB	-	3 V
MRFE6VP100HSR5	112.5908	RFQ	4457	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	表面安装	NI-780S-4L	MRFE6	512MHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314736178	Ear99	8541.29.0095	50		-	100 ma	100W	26dB	-	50 V
MRF6S9130HSR3	72.8200	RFQ	4	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		NI-780	MRF6	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250		-	950 MA	27W	19.2db	-	28 V
MRF8P20165WHSR5	117.6600	RFQ	39	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v	底盘安装	NI-780S-4		1.88GHZ〜2.025GHz	ldmos	NI-780S-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50	双重的	10µA	550 MA	37W	14.8db	-	28 V
MRF6P18190HR6	184.1300	RFQ	372	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v	底盘安装	NI-1230		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		10µA	2 a	44W	15.9db	-	28 V
MRF5S19060NR1	-	RFQ	4443	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	TO-270AB	MRF5	1.99GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	750 MA	12W	14dB	-	28 V
MRF101AN	26.4000	RFQ	836	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	133 v		TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		10µA	100 ma	115W	21.1db	-	50 V
PD85035A-E	-	RFQ	6288	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD85035	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		8a	350 MA	35W	15DB〜17DB	-	13.6 v
MRF6S21140HSR5	-	RFQ	3117	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	NI-880S	MRF6	2.12GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.2 a	30W	15.5db	-	28 V
NE34018-A	-	RFQ	7334	cel	-	大部分	过时的	4 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	NE340	2GHz	GAAS HJ-FET	SOT-343	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1		120mA	5 ma	12DBM	16dB	0.6dB	2 v
ATF-38143-TR2G	-	RFQ	6885	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4.5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-38143	2GHz	Phemt fet	SOT-343	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		145mA	10 MA	12DBM	16dB	0.4dB	2 v
BF245B	-	RFQ	6455	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF245	-	JFET	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道	100mA		-	-	-
PD55025STR-E	-	RFQ	2650	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55025	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a	200 ma	25W	14.5db	-	12.5 v
BLF871S，112	-	RFQ	7604	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	89 v	表面安装	SOT-467B		860MHz	ldmos	SOT-467B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	500 MA	100W	19db	-	40 V
BLF988S，112	509.2500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	110 v		SOT539B		860MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
RF5L08600CB4	217.8000	RFQ	2734	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	115 v	底盘安装	D4E	RF5L08600	400MHz〜1GHz	ldmos	D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L08600CB4			100	-	1µA	110 MA	650W	19.5db	-	50 V
BLF8G20LS-400PVU	-	RFQ	2146	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1242B	BLF8	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	3.4 a	95W	19db	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²